孙玉明
- 作品数：14 被引量：206H指数：4
- 供职机构：中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术经济管理更多>>
- 同步辐射光电子能谱表征MgO在GaAs(100)上淀积过程中的氧物种
- 1997年
- 用同步辐射光电子能谱表征了不同氧分压下通过热蒸发镁在ＧａＡｓ（１００）面制备氧化物超薄膜过程中的氧物种，结果表明表面氧物种的形式与镁氧配比有关。较高的氧分压下利于形成活泼的分子离子等氧中间体，因此通过控制镁氧比可以制备高效的薄膜模型催化剂或适合于功能材料集成的规则氧化物过渡层。氧物种的形式可以通过能谱图中不同的原子或分子轨道电子跃迁来有效地区分。
- 徐法强孙玉明陆尔东张发培余小江潘海斌许保宗徐彭寿张新夷
- 关键词：氧物种XPS
- NSRL在宽带隙半导体能带结构的研究进展
- 2003年
- 综述了中国科技大学国家同步辐射实验室(NSRL)在宽带隙半导体能带结构的研究进展。首次利用全势线性Muffin-tin 轨道(FP-LMTO)方法,计算了ZnO及其几种本征点缺陷的能带结构,从理论上证明了Zn填隙是引起ZnO的本征n型导电性的主要原因,并讨论了它们对ZnO的光谱特性的影响。利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了纤锌矿结构GaN(0001)体态和表面态的能带色散。首次通过全势缀加平面波(FPLAPW)方法,对β-SiC(110)表面进行了第一性原理计算。我们的计算结果显示出顶层Si-C键长收缩且发生扭转的驰豫特性,而表面弛豫实现了从金属性到半导体性质的转变。
- 徐彭寿谢长坤孙玉明徐法强邓锐潘海斌施朝淑
- 关键词：宽带隙半导体角分辨光电子能谱
- ZnO及其缺陷电子结构对光谱特性的影响被引量：54
- 2002年
- 利用全势ＬＭＴＯ(ＦＰ－ＬＭＴＯ)理论计算方法,对ＺｎＯ中的某些缔合缺陷(如氧空位和锌填隙、锌填隙和锌空位及锌的氧反位缺陷〕的电子结构进行了计算根据本文和以前的计算结果,得到了ＺｎＯ中几种本征点缺陷对应的缺陷态能级位置．利用得到的理论计算结果,我们分析了ＺｎＯ的吸收和发射光谱可能产生的机制,并讨论了ＺｎＯ与缺陷电子结构对它们的影响．
- 徐彭寿孙玉明施朝淑徐法强潘海斌潘海斌
- 稀土金属Tb在GaAs(100)表面的吸附及其界面形成的研究
- 2000年
- 利用同步辐射光电子能谱技术研究了Tb/GaAs(10 0 )界面的吸附过程和界面形成。通过对价带谱及高分辨率的Ga,As芯能级谱的研究表明 ,在较低的覆盖度下 (<0 2nm) ,Tb与GaAs衬底的反应很弱 ,形成较突变的金属 /半导体界面。当Tb的覆盖度增加时 ,As 3d和Ga 3d的表面发射峰很快消失 ,Tb与衬底发生反应 ,置换出Ga而与As形成化学键。同时Ga原子会向Tb薄膜内扩散并偏析到表面 ,而Tb As化合物只停留在界面附近区域。当Tb淀积到 0 6nm时 ,Tb膜金属化。
- 郭红志张发培潘海斌孙玉明许保宗徐彭寿
- 关键词：铽砷化镓半导体
- ZnO及其缺陷电子结构的FP-LMTO研究
- ZnO是一种宽禁带半导体(3.37eV),它的激子束缚能是60meV,是一种有极强的商业应用前景的紫光、紫外激光材料.目前的研究集中在材料制备上,而对ZnO的理论研究很少,特别是对材料生长和器件工艺具有重要意义的缺陷研究...
- 孙玉明
- 关键词：点缺陷电子结构ZNO
- 文献传递
- Co/GaAs(100)界面形成以及Co超薄膜磁性质的研究被引量：3
- 1998年
- 利用同步辐射光电发射和铁磁共振（ＦＭＲ）研究了Ｃｏ／ＧａＡｓ（１００）界面形成以及Ｃｏ超薄膜的磁性质．结果表明，在低覆盖度（约为０２ｎｍ）下，Ｃｏ吸附原子与衬底发生强烈的界面反应，在覆盖度为０９ｎｍ时，形成稳定的界面．从衬底扩散出的Ｇａ原子与Ｃｏ覆盖层合金化，而部分Ａｓ原子与Ｃｏ原子发生反应，形成稳定的键合，这些反应产物都停留在界面处很窄的区域（０３—０４ｎｍ）内．另一部分Ａｓ原子偏析在Ｃｏ覆盖层表面．结合理论模型，详细地讨论了界面结构及Ｇａ，Ａｓ原子的深度分布．ＦＭＲ结果表明，生长的Ｃｏ超薄膜具有较好的单晶特性和化学均一性．
- 张发培徐彭寿徐发强陆尔东孙玉明张新夷朱警生梁任又
- 关键词：多层膜超薄膜磁性质
- ZnO薄膜的特殊光谱性质及其机理被引量：19
- 2004年
- 以同步辐射真空紫外光 (1 95nm)为激发源 ,在低温下观察到Si基衬底上ZnO薄膜的发光有三种紫外发射 ,其峰值波长分别为 380 ,36 9.5 ,2 90nm。它们各自具有不同的衰减时间和不同的温度依赖关系 ,但其激发谱相同。强激发带不在近紫外区 ,而在真空紫外区 (1 0 0～ 2 0 0nm) ,可能源于ZnO的下价带 (Zn3d组态 )电子的激发。
- 施朝淑张国斌陈永虎林碧霞孙玉明徐彭寿傅竹西Kirm MZimmerer G
- 关键词：ZNO薄膜发光真空紫外光谱特性
- 钆在不同衬底表面吸附的同步辐射光电子能谱研究
- 该文利用同步辐射光电子能谱技术,研究了钆不同衬底表面的吸附.当钆在GaAs(100)、MgO(110)、Ni(110)表面吸附时,Gd4f峰发生分裂.他们将这一现象归因于Gd以团簇的形式吸附,并用终态效应的观点作了解释:...
- 孙玉明
- 关键词：受激发射光电子能谱
- 钆在MgO(110)薄膜上的吸附
- 1998年
- 为研究钆在ＭｇＯ薄膜表面吸附的特性。首先在经硫代乙酰胺（ＣＨ＿３ＣＳＮＨ２）处理的ＧａＡｓ（１００）表面外廷生长ｐ型半导体ＭｇＯ（１１０）薄膜，然后利用同步辐射光电子能谱研究钆在此表面的吸附。结果发现由于Ｇｄ／ＭｇＯ界面的能带弯曲使Ｍｇ２ｐ向高结合能端位移０．４ｅＶ，而且从实验结果推断，钆与衬底反应很弱，并且主要以团簇的形式吸附。
- 孙玉明徐彭寿徐法强陆尔东张新夷
- 关键词：钆质量作用定律团簇
- ZnO及其缺陷的电子结构被引量：118
- 2001年
- 利用全势线性Muffin_tin轨道 (FP_LMTO)理论方法 ,计算了ZnO及其几种本征点缺陷的电子结构 .计算的结果表明 ,ZnO中的Zn3d电子对其成键起重要作用 .O2p与Zn3d的轨道杂化使价带变宽 ,带隙变小 .Zn空位和O填隙分别在价带顶 0 .3和 0 .4eV处产生浅受主能级 .而Zn填隙在导带底 0 .5eV处产生浅施主能级 .但O空位则在导带底 1 .3eV处产生深施主能级 .根据以上结果 。
- 徐彭寿孙玉明施朝淑徐法强潘海斌
- 关键词：电子结构氧化锌化合物半导体半导体激光器件
