尹军舰
- 作品数：83 被引量：59H指数：4
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术化学工程更多>>
- 8～20GHz GaAs pin二极管单片单刀双掷开关(英文)被引量：3
- 2008年
- 基于中国科学院微电子研究所的GaAspin二极管工艺,设计、制作并测试了一种单片单刀双掷开关.在8～20GHz频段内,开关正向导通时的插入损耗最小值为1.5dB,输入和输出端的回波损耗大于10dB;开关关断状态的隔离度最大值为32dB.开关的支路采用串联-并联-并联的结构,其中的GaAs pin二极管基区厚为2.5μm.在1.3V的偏置电压下,正向导通的串联二极管工作电流为7mA.
- 吴茹菲尹军舰刘会东张海英
- 关键词：单刀双掷GAASPIN二极管
- 适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统
- 本发明一种适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统，在重掺杂铟镓砷半导体层上与金属形成良好欧姆接触的新型六层金属结构镍/锗/金/锗/镍/金，在较低的温度360－380度和较短的时间50－80秒内，于氮气气氛下合金得到...
- 李海鸥尹军舰张海英和致经叶甜春
- 文献传递
- 制备低温共烧陶瓷平整基板的方法
- 本发明公开了一种制备低温共烧陶瓷LTCC平整基板的方法。本发明通过事先将地平面对应区域从LTCC带层中切割出来进行打孔、叠层预烧，再将其置入对应的LTCC带层凹槽中，用第二填充物固定，由于第二填充物在烧结过程中能起到固定...
- 朱旻张海英杜泽保尹军舰
- 一种InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法(英文)
- 2007年
- 采用一种新方法对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了模拟.该方法通过流体力学模型和密度梯度模型的联合求解,得到了沟道内的电子密度分布.与一些传统方法相比,该方法收敛性更好,速度更快,且同样适用于其他类型高电子迁移率晶体管器件的模拟.利用仿真对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了深入研究.
- 刘亮张海英尹军舰李潇徐静波宋雨竹刘训春
- 关键词：INPINGAAS/INP复合沟道高电子迁移率晶体管
- 实空间转移高电子迁移率场效应晶体管材料
- 本发明涉及化合物半导体材料技术领域，公开了一种实空间转移高电子迁移率场效应晶体管材料，该实空间转移高电子迁移率场效应晶体管材料由在GaAs衬底上依次外延生长GaAs缓冲层、Al<Sub>0.22</Sub>Ga<Sub>...
- 徐静波张海英叶甜春尹军舰
- 文献传递
- 功率增益截止频率为183GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As HEMTs(英文)被引量：1
- 2007年
- 通过合理的外延层材料结构设计和改进的器件制备工艺,制备出功率增益截止频率(fmax)为183GHz的晶格匹配InP基In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As HEMT.该fmax为国内HEMT器件最高值.还报道了器件的结构、制备工艺以及器件的直流和高频特性.
- 刘亮张海英尹军舰李潇杨浩徐静波宋雨竹张健牛洁斌刘训春
- 关键词：高电子迁移率晶体管INGAAS/INALASINP
- 一种制备用于离子注入的对准标记的方法
- 本发明公开了一种制备用于离子注入的对准标记的方法，该方法包括：在进行离子注入之前进行刻蚀，在待注入区形成用于离子注入的对准标记。所述刻蚀的图形与离子注入的图形相同。所述刻蚀采用的光刻掩膜版与离子注入采用的光刻掩膜版相同。...
- 吴茹菲尹军舰张海英
- 文献传递
- 截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As高电子迁移率晶体管(英文)被引量：1
- 2007年
- 报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管.这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管.器件直流特性也很优异:跨导为980mS/mm,最大电流密度为870mA/mm.文中的材料结构和所有器件制备工艺均为本研究小组自主研制开发.
- 刘亮张海英尹军舰李潇徐静波宋雨竹牛洁斌刘训春
- 关键词：截止频率高电子迁移率晶体管INGAAS/INALASINP
- 一种电感器
- 本发明提供了一种电感器，所述电感器包括：芯片基板；导线，所述导线以所述芯片基板上的直线为中轴线周期性往复铺设至所述芯片基板上，其中，所述导线的两端分别具有一引出端。解决了现有技术中电感器使用较多磁性材料加载，在宽带应用中...
- 李仲茂尹军舰郭瑞邱昕
- 文献传递
- 一种UHF频段RFID读写器天线及系统
- 本发明提供了一种UHF频段RFID读写器天线及系统，天线包括倒F型天线，倒F型天线包括地平面、倒F型天线辐射单元及馈电点，其特征在于，还包括：第一金属线，形成在地平面的一个端部，并沿垂直于地平面的方向延伸。通过平面构型，...
- 杨勇张海英杨浩尹军舰
- 文献传递
