您的位置: 专家智库 > >

崔树范

作品数:28 被引量:16H指数:2
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 20篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 14篇理学
  • 5篇电子电信
  • 4篇电气工程
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇机械工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 6篇射线
  • 6篇射线衍射
  • 6篇X射线
  • 6篇X射线衍射
  • 5篇双晶
  • 5篇晶格
  • 5篇晶体
  • 4篇单晶
  • 4篇砷化镓
  • 4篇双晶衍射
  • 4篇超晶格
  • 3篇衍射
  • 3篇衍射仪
  • 3篇摇摆曲线
  • 3篇铁电
  • 3篇钛酸
  • 3篇钛酸钡
  • 3篇钛酸锶
  • 3篇位错
  • 3篇光电

机构

  • 27篇中国科学院
  • 1篇北京有色金属...
  • 1篇天津大学
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 27篇崔树范
  • 18篇麦振洪
  • 5篇吴兰生
  • 4篇吕惠宾
  • 4篇李超荣
  • 3篇贾全杰
  • 3篇徐明
  • 2篇姜晓明
  • 2篇李明
  • 2篇钱家骏
  • 2篇郑文莉
  • 2篇赵彤
  • 1篇唐为华
  • 1篇罗光明
  • 1篇于文学
  • 1篇吕慧宾
  • 1篇王春艳
  • 1篇王玉田
  • 1篇王超英
  • 1篇李建华

传媒

  • 10篇物理学报
  • 4篇北京同步辐射...
  • 3篇物理
  • 2篇中国物理学会...
  • 1篇Journa...
  • 1篇高能物理与核...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇第七届全国X...
  • 1篇第七届全国固...

年份

  • 1篇2002
  • 2篇2001
  • 4篇2000
  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 3篇1994
  • 2篇1993
  • 2篇1992
  • 2篇1991
  • 2篇1990
  • 1篇1989
  • 2篇1988
  • 2篇1985
  • 1篇1984
28 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
氢气区熔硅单晶氢致缺陷的研究
1984年
本文应用X射线透射截面形貌技术研究了氢气区熔硅单晶中氢致缺陷与热处理温度的关系。根据早期氢致缺陷的X射线形貌图衍衬分析,指出氢沉淀周围晶格受到压缩性应变,并简单阐述了硅氢键断裂与氢致缺陷形成过程。
麦振洪崔树范林健吕岩
关键词:形貌区熔硅单晶热处理温度工业气体晶格畸变
多功能X射线衍射仪
麦振洪吴兰生崔树范李超荣罗光明徐明
该项目主要在扩展功能、自动控制及数据分析等方面升级改造。该项目技术路线上在原有X射线衍射仪上增加了晶体单色器,准直系统和多维样品台,并由手动测量实现计算机自动控制。在原衍射仪上增加晶体单色器(包括单晶体单色器和槽型单色器...
关键词:
关键词:X射线衍射仪
硅衬底上MBE生长GaAs薄膜完整性的研究
李超荣麦振洪崔树范
关键词:砷化镓位错
BaTiO_3/SrTiO_3超晶格界面结构与光电性能关系研究
2000年
最近的研究结果表明 ,由L MBE生长的铁电BaTiO3 /SrTiO3 超晶格的二次谐波产生系数(d3 3 可达 1 5 6 .5pm/V)比体材料BaTiO3 高出一个数量级。为了探讨该材料超常的光电性能与微结构的关系 ,我们对其界面结构进行了详细研究。样品的名义结构为 :BaTiO3 (n) /{SrTiO3 (n) /BaTiO3 (n) }m/SrTiO3 ( 0 0 1 ) ,其中n为晶胞数 ,m为周期数。由于样品相当薄 (单层厚度仅为 2~ 1 6nm) ,而且界面失配大 ,使应变和晶格常数的测定比较困难 ,为此我们采用了X射线掠入射反射率和漫散射等多种实验方法。X射线掠入射反射率和漫散射的理论模拟结果表明 ,样品的表面、界面粗糙度为σ =0 .1nm至 0 .2nm ,Ispec/Idiffuse≈ 1 0 3 ,Bragg衍射除了多级卫星峰外还出现了干涉条纹 ,表明超晶格样品具有原子级平滑的表面和界面。在分析 ( 0 0 2 )、( 30 3)、( 0 33)和 ( 1 0 3)对称和非对称衍射及相应的倒易空间图的基础上 ,确定了样品的水平和垂直晶格常数。第一次采用掠入射衍射(GID)技术 ,直接测定了BaTiO3 /SrTiO3 超晶格的界面应变的水平弛豫。结构分析结果显示 :随周期厚度的变化 ,超晶格水平应变量与二次谐波产生系数的变化具有对应关系。即随周期厚度减小 ,界面水平弛豫减小 ,晶格内应力增大 ,从而使得自发极化增大 ,并?
崔树范于文学徐明吴兰生麦振洪赵彤陈凡吕惠宾陈正豪贾全杰郑文莉姜晓明
关键词:X射线衍射光电性能
薄膜界面粗糙对双晶摇摆曲线的影响
1992年
用X射线衍射动力学理论,模拟计算InP衬底上InGaAs/AllnAs超晶格和InGaAs单层膜的X射线双晶摇摆曲线,计算结果表明:薄膜界面粗糙对单层膜的衍射峰和超晶格的零级衍射峰影响较小,但却明显影响单层膜衍射干涉条纹和超晶格的±1级卫星峰,随着平均界面粗糙度的增大,单层膜衍射干涉条纹强度减弱并趋于消失;超晶格的±1级卫星峰变弱并逐渐展宽,理论计算的模拟双晶摇摆曲线与超晶格实验曲线比较表明:高质量匹配In_(0.53)Ga_(0.47)As(85A)/Al_(0.48)In_(0.52)As(85A)/InP超晶格样品的界面间存在约一个原子层的平均界面粗糙度。
欧阳吉庭麦振洪崔树范
关键词:半导体超晶格
BaTiO<,3>/SrTiO<,3>超晶格光电性能与界面应变的依存关系研究
崔树范吕惠宾贾全杰
关键词:光电性能
文献传递
直拉硅单晶中的氧沉淀
1985年
钱家骏崔树范
关键词:堆垛层错层错面缺陷热力学势
X射线双晶衍射摇摆曲线本征半峰宽的理论计算被引量:2
1990年
本文应用X射线衍射动力学理论,推导出Bragg衍射几何X射线双晶衍射反射率的数学表达式。多种晶体、不同衍射的摇摆曲线计算结果表明,σ偏振的摇摆曲线的峰值和积分强度均比π偏振的高。而且半峰宽较宽。同时指出,对圆偏振X射线入射或者A,B两晶体不同类或者两者的衍射级数不相同时,很多文献给出的双晶衍射摇摆曲线半峰宽的近似表达式2^(1/2)∞不再适用。
麦振洪贺楚光崔树范
关键词:X射线双晶衍射摇摆曲线
Taupin-Takagi方程的变换关系及其物理含意被引量:1
1990年
本文论述了畸变晶体X射线衍射动力学理论中Taupin方程和Takagi方程之间的变换关系,讨论了这一变换的物理意义,指出两者之间的差别可归结为波矢k_0的取向略有差异,而物理实质是一致的。
贺楚光麦振洪崔树范
关键词:晶体
BaTiO3/SrTiO3超晶格界面结构与光电性能关系研究
1998年
崔树范赵彤
关键词:超晶格光电性能铁电体钛酸钡钛酸锶
共3页<123>
聚类工具0