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应利良

作品数：95 被引量：22H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金上海市重大科技攻关项目更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 75篇专利
  • 9篇会议论文
  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 20篇电子电信
  • 8篇电气工程
  • 8篇一般工业技术
  • 7篇理学
  • 5篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇建筑科学

主题

  • 37篇超导
  • 32篇约瑟夫森结
  • 20篇绝缘
  • 15篇超导材料
  • 13篇电极
  • 13篇刻蚀
  • 12篇绝缘材料
  • 11篇底电极
  • 11篇电路
  • 11篇衬底
  • 10篇导体
  • 9篇涂层导体
  • 9篇光刻
  • 8篇测试系统
  • 6篇信号
  • 6篇纳米
  • 5篇移位寄存器
  • 5篇时钟
  • 5篇离子束
  • 5篇离子束刻蚀

机构

  • 77篇中国科学院
  • 16篇上海大学
  • 3篇中国科学院大...
  • 2篇上海科技大学

作者

  • 93篇应利良
  • 67篇王镇
  • 43篇任洁
  • 22篇王会武
  • 15篇蔡传兵
  • 14篇刘全胜
  • 11篇刘志勇
  • 10篇高波
  • 10篇鲁玉明
  • 9篇张国峰
  • 9篇熊伟
  • 8篇张雪
  • 5篇陈昌兆
  • 5篇潘成远
  • 5篇刘金磊
  • 5篇范峰
  • 4篇王永良
  • 4篇高波
  • 3篇周文谦
  • 3篇孔祥燕

传媒

  • 3篇物理学报
  • 2篇低温物理学报
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇功能材料
  • 1篇第九届全国超...
  • 1篇AVT201...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 4篇2024
  • 5篇2023
  • 15篇2022
  • 11篇2021
  • 5篇2020
  • 12篇2019
  • 5篇2018
  • 10篇2017
  • 6篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2011
  • 5篇2010
  • 7篇2008
  • 2篇2007
共 95 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
无磁屏蔽环境下抑制磁场干扰的SQUID器件的结构
本发明涉及一种无磁屏蔽环境下抑制磁场干扰的SQUID器件的结构，其特征在于在约瑟夫森结的周围制作一圈超导壁，超导壁包围了约瑟夫森结，超导壁起到一个微型磁屏蔽的作用，使外加磁场对约瑟夫森结的干扰得到抑制。超导壁的高度远大于...
刘全胜王会武应利良张国峰王镇
文献传递
超导连接通道及其制备方法
本发明提供一种超导连接通道及其制备方法，包括：1)制备一表层包括第一铌材料层的中间结构，于所述中间结构上覆盖第一绝缘材料层；2)图形化所述第一绝缘材料层，以形成通道开口并露出所述第一铌材料层的上表面，保留所述第一绝缘材料...
应利良
串联超导量子干涉器件阵列制备与测试分析
2021年
串联超导量子干涉器件(superconducting quantum interference device,SQUID)阵列通过增加SQUID数量来达到提升信噪比的目的,即SQUID电压信号随SQUID数目比例增加而总电压噪声正比于SQUID数目的平方根值.本文介绍了利用自主工艺线进行串联SQUID阵列研究的相关研究进展,实现了SQUID数量分别为200和800的阵列集成,测试得到磁通噪声达到0.5μФ_(0)/√Hz和输入电流灵敏度35μA/Ф_(0),等效输入电流噪声达到18pA/√Hz.另外,还给出了阵列参数与集成SQUID数量的关系,验证了设计可靠性和工艺一致性.
梁恬恬张国峰伍文涛倪志王永良王永良应利良荣亮亮伍俊高波
约瑟夫森结的制备方法
本发明提供一种约瑟夫森结的制备方法，包括：于基底上外延生长第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超导材料层的三层薄膜结构；刻蚀三层薄膜结构定义出底电极，刻蚀第一绝缘材料层及第二超导材料层定义出结区；于器件表面沉积第二绝缘材...
唐鑫王会武张栖瑜石炜峰应利良公凯轩彭炜王镇
文献传递
超导集成电路及其制备方法
本发明提供一种超导集成电路及其制备方法，在绝缘层生长时引入两步生长法，或进一步的在电感外侧形成支撑件以提供绝缘层生长的合适间距，从而填补图形之间的间隙，形成良好的台阶覆盖性，克服因台阶阴影效应导致的台阶缝隙金属沉积现象，...
谢辉何桂香应利良彭炜王镇
一种约瑟夫森结及超导量子干涉器件的制备方法
本申请提供一种约瑟夫森结及超导量子干涉器件的制备方法，该约瑟夫森结的制备方法包括以下步骤：获取衬底；在衬底上依次制备第一超导薄膜层、绝缘层和第二超导薄膜层；采用曝光显影结合刻蚀技术对第二超导薄膜层的第一区域进行刻蚀处理，...
伍文涛梁恬恬张国峰应利良王永良高波彭炜王镇
一种纳米约瑟夫森结及其超导器件与制作方法
本发明提供一种纳米约瑟夫森结及其超导器件与制作方法，包括以下步骤：提供一基底；依次形成下电极层、势垒层及上电极层于基底上，势垒层覆盖下电极层，上电极层覆盖势垒层；形成光刻胶层于上电极层的表面并图形化光刻胶层；基于图形化后...
应利良何桂香彭炜任洁王镇
基于ERSFQ电路的低温超导读出电路及读出系统
本发明提供一种基于ERSFQ电路的低温超导读出电路及读出系统，所述低温超导读出电路包括：m个超导量子干涉器，与低温超导传感器阵列连接，用于将低温超导传感器阵列的多路输出信号转换为多路SFQ脉冲信号；ERSFQ电路，与m个...
任洁应利良王镇
文献传递
氮化铌SQUID器件、制备方法及参数后处理方法
本发明提供一种氮化铌SQUID器件、制备方法及参数后处理方法，包括：首先在衬底上沉积氮化铌‑绝缘层‑氮化铌三层薄膜结构，然后制备SQUID器件超导环和底电极结构；接着制备多个并联的约瑟夫森结；再在器件表面沉积绝缘薄膜，并...
王会武刘全胜张栖瑜应利良王镇
文献传递
一种超导集成电路器件的制备方法
本发明提供一种超导集成电路器件的制备方法，在形成第三绝缘材料层时，先在第三超导材料层表面沉积一定厚度的绝缘材料形成第三绝缘材料层，由于第三绝缘材料层的厚度较大，因此其易在凸角处形成鼓包；接着，采用离子束刻蚀的方法去除具有...
何桂香应利良谢辉彭炜王镇
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