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张化宇: 作品数：33 被引量：97H指数：5; 供职机构：哈尔滨工业大学深圳研究生院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金广东省科技计划工业攻关项目深圳市科技计划项目更多>>; 相关领域：化学工程一般工业技术电子电信理学更多>>

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Sn类钙钛矿太阳电池薄膜的掺杂改性研究: 2016年; 采用一步法分别制备了Sn类CH3NH3Sn I3和Pb类CH3NH3Pb I3钙钛矿太阳电池薄膜材料,并对其表面形貌、微观结构、吸收光谱和电池器件性能进行了表征和测试。研究结果表明:Sn类钙钛矿材料的吸收光谱相对于Pb类钙钛矿材料发生了明显的红移,吸收截止波长从800 nm上升到950 nm左右,光学带隙由1.45 e V降低至1.21 e V左右;Sn类钙钛矿材料的光谱吸收范围明显扩大,但吸收强度有所降低,相应太阳电池器件的光电转换效率也明显低于Pb类钙钛矿太阳电池,分别为2.05%和6.71%。而Br的掺杂可使Sn类钙钛矿材料带隙变宽,吸收光子能量增大,电池器件的开路电压也相应提高。当Br含量由0增加至完全替代I时,Sn类钙钛矿材料逐渐由黑褐色转变为黄色,光学带隙增大至1.95 e V,但吸收截止波长由950 nm降低至650nm。值得提及的是当Br含量为0.5时,电池器件的光电转换效率可由最初的2.05%提升至2.94%。; 檀满林杨帅马清符冬菊李冬霜王晓伟张维丽陈建军张化宇; 关键词：掺杂改性

用于AlN晶体生长的图形化衬底: 用于AlN晶体生长的图形化衬底，涉及一种用于AlN晶体生长的图形化衬底。解决现有采用籽晶制备大尺寸AlN晶体的方法中，AlN籽晶成本高，SiC籽晶高温易分解影响AlN晶体质量的问题。图形化衬底是在衬底上嵌入均匀排布的图形...; 韩杰才宋波赵超亮张幸红张化宇张宇民; 文献传递

碳化硅晶体的高温退火改性研究: 碳化硅晶体作为典型的第三代宽带隙半导体材料,具有高击穿场强、高热导率、高饱和电子迁移速率、良好的物理和化学稳定性等特点,在高温、大功率、高电压、高频等半导体; 汪桂根张化宇韩杰才罗勇左洪波朱灿; 文献传递

自蔓延还原合成BN反应机理被引量：5: 2000年; 结合差热分析 ,通过研究B2 O3 和Al在不同温度下的反应以及在不同氮气压力中的自蔓延实验 ,探讨了B2 O3 Al N2 体系自蔓延还原合成BN的反应机理。结果表明 :铝热还原B2 O3 的反应是一个分步过程 ,低于 82 0℃时 ,B2 O3 与Al缓慢反应生成Al4 B2 O9;高于 82 0℃时 ,B2 O3 与Al剧烈反应生成Al4 B2 O9;高于 10 5 0℃时 ,Al与在低温生成的Al4 B2 O9反应生成Al18B4 O3 3 ;在更高的温度下 ,Al18B4 O3 3 继续被Al还原成B。还原反应生成的B多为无定形态 ,还原出的B在高压氮气中被氮化成BN。生成的BN中 ,部分为六方BN ,另一部分为未知晶体结构的BN ,其形态近似立方体。; 王华彬韩杰才张化宇杜善义; 关键词：自蔓延高温合成氮化硼

用于GaN基发光二极管的蓝宝石图形衬底制备进展被引量：13: 2012年; 近几年,图形化蓝宝石衬底因其作为GaN基发光二极管外延衬底,不仅能降低GaN外延薄膜的线位错密度,还能提高LED的光提取效率而引起国内外许多科研机构的广泛研究兴趣.本文综述了图形化蓝宝石衬底提高GaN基发光二极管性能的作用机理,重点评述了目前图形化蓝宝石衬底的制备方法(湿法刻蚀、干法刻蚀、固相反应)和图形尺寸(微米图形化、纳米图形化),分析比较了不同制备方法和图形尺寸制备蓝宝石图形衬底对GaN基发光二极管性能改善,最后针对蓝宝石图形衬底制备存在的问题对其今后的发展方向做出了展望.; 崔林汪桂根张化宇周福强韩杰才; 关键词：氮化镓发光二极管

B_2O_3-Al-C体系自蔓延燃烧模式的研究被引量：2: 2000年; 研究了 B2 O3- Al- C体系的燃烧规律 ,利用波速方程确定了 B2 O3- Al- C体系的反应激活能 ,并由此建立了该体系燃烧模式转化的 SHS图。试验中还发现 ,体系中出现的不稳定燃烧实际为螺旋燃烧模式。由此 ,通过计算机数值模拟不同参数下出现的典型螺旋燃烧的温度场 ,并结合实验结果对螺旋燃烧进行了解释。; 张化宇韩杰才赫哓东张卫方杜善义张宇民; 关键词：燃烧模式 SHS 复合陶瓷

基于BiFeO_3/ITO复合膜表面钝化的黑硅太阳电池性能研究被引量：2: 2017年; 采用金属银辅助化学刻蚀法在制绒的硅片表面刻蚀纳米孔形成微纳米双层结构,以期获得高吸收率的太阳能电池用黑硅材料.鉴于微纳米结构会在晶硅表面引入大量的载流子复合中心,利用磁控溅射技术在黑硅太阳电池表面制备了BiFeO_3/ITO复合膜,并对其表面性能和优化效果进行了探索.实验制备的具有微纳米双层结构的黑硅纳米线长约180—320 nm,在300—1000 nm波长范围内入射光反射率均在5%以下.沉积BiFeO_3/ITO复合薄膜后的黑硅太阳能电池反射率略有提高,但仍然具有较强的光吸收性能;采用BiFeO_3/ITO复合膜的黑硅太阳能电池开路电压和短路电流密度分别由最初的0.61 V和28.42 mA/cm^2提升至0.68 V和34.57 mA/cm^2,相应电池的光电转化效率由13.3%上升至16.8%.电池综合性能的改善主要是因为沉积BiFeO_3/ITO复合膜提高了电池光生载流子的有效分离,从而增强了黑硅太阳电池短波区域的光谱响应,表明具有自发极化性能的BiFeO_3薄膜对黑硅太阳能电池的表面性能可起到较好的优化作用.; 檀满林周丹丹符冬菊张维丽马清李冬霜陈建军张化宇王根平; 关键词：表面钝化

疏水耐环境型SiO_2/TiO_2/SiO_2-TiO_2太阳能宽光谱增透膜的制备及性能研究被引量：3: 2016年; 利用TFCcal设计软件构建膜系结构,采用溶胶–凝胶工艺和提拉法在超白玻璃上制备出厚度精确可控的宽光谱、高增透型SiO2/TiO2/SiO2-TiO2减反膜,同时结合甲基三乙氧基硅烷（MTES）改性碱催化的SiO2溶胶,通过提拉法一次制备出高透过率疏水型薄膜。研究表明,高增透型三层宽光谱减反膜的理论膜层厚度依次为：80.9 nm（内层SiO2-TiO2）、125.0 nm（中间层TiO2）、95.5 nm（外层SiO2）,其在400～700 nm可见光范围内平均透过率实际可高达97.03%以上。多层膜经过退火处理后,膜面的水接触角高达131.5°,同时陈化两个月以后的多层膜透过率仅下降0.143%,表明制备的SiO2/TiO2/SiO2-TiO2多层减反膜具有优良的疏水和耐环境性能。; 檀满林张礼杰王晓伟马清符冬菊张维丽李冬霜陈建军张化宇; 关键词：增透膜疏水型宽光谱

磁头表面超薄DLC保护层厚度测量研究: 2006年; 研究了测量磁头表面超薄DLC薄膜和Si中间层厚度的方法,所用的设备有:AES,XPS,TEM。研究结果显示,XPS和AES测量的结果较为吻合,TEM的结果则存在较大差异。在TEM高分辩像下无法分清DLC和Si层,并对AES,XPS和TEM结果产生差异的原因进行了分析。; 张化宇谢小强施元李山丹刘义为; 关键词：XPS AES TEM

MgO-B_4C自蔓延高温合成的反应机理被引量：4: 1999年; 对Ｂ_２Ｏ_３－Ｍｇ－Ｃ体系和Ｂ_２Ｏ_３－Ｍｇ体系不同加热速率下的ＤＴＡ曲线进行了分析．发现Ｂ_２Ｏ_３－Ｍｇ－Ｃ体系的自蔓延高温反应中，温度略低于６５０℃时Ｍｇ与Ｂ_２Ｏ_３发生强放热反应，释放出单质Ｂ；然后中间态Ｂ与Ｃ通过固态扩散反应生成Ｂ_４Ｃ．; 张化宇韩杰才陈贵清杜善义; 关键词：燃烧合成反应机理自蔓延高温合成陶瓷

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