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张时明

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：北京工业大学电子工程系北京市光电子技术实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇硅锗
  • 2篇SIGE/S...
  • 2篇硅
  • 1篇电子特性
  • 1篇直流
  • 1篇直流特性
  • 1篇特性分析
  • 1篇硅锗合金
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体工艺
  • 1篇SI/SIG...
  • 1篇SI衬底
  • 1篇HBT
  • 1篇HBT工艺
  • 1篇衬底
  • 1篇SIGE

机构

  • 3篇北京工业大学

作者

  • 3篇沈光地
  • 3篇陈建新
  • 3篇张时明
  • 2篇邹德恕
  • 1篇韩金茹
  • 1篇高国
  • 1篇赵玉琴
  • 1篇杜金玉
  • 1篇袁颖
  • 1篇杜春霞
  • 1篇韩军
  • 1篇董欣
  • 1篇王东凤

传媒

  • 2篇北京工业大学...
  • 1篇Journa...

年份

  • 3篇1996
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Si／SiGe腐蚀停止技术的研究及其在SiGe／SiHBT工艺中的应用
1996年
对ＳｉＧｅ／Ｓｉ腐蚀停止技术进行了大量的实验研究，分析了腐蚀的化学机理，并在一定的腐蚀液浓度和温度下，获得了Ｓｉ和ＳｉＧｅ的腐蚀速率比大于３０的结果。该技术极宜在ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ制作中应用。
陈建新袁颖杜春霞张时明赵玉琴沈光地
关键词：硅硅锗半导体工艺
SiGe／Si　HBT的直流特性分析被引量：1
1996年
应用＂掺杂工程＂和＂带隙工程＂各自的特点，设计了一种独特的基区双向高速输运的ＳｉＧｅ／Ｓｉ　ＨＢＴ层结构，并利用此结构在３μｍ工艺线上做出了性能良好的ＳｉＧｅ／Ｓｉ　ＨＢＴ。其主要直流参数为：室温共发射极最大电流增益βｍａｘ（３００Ｋ）可达３００，低温βｍａｘ（７７Ｋ）可达８０００，厄利电压３００Ｖ，漏电流在ｎＡ量级，均为国际先进水平。同时，给出了ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的室温（大注入，小注入），低温（大注入，小注入）的输出特性曲线，进行了对比分析，详细讨论了影响室温β，低温β及其它直流参数的主要因素。
张时明邹德恕陈建新高国杜金玉韩金茹董欣袁颍王东凤沈光地倪卫新汉森
关键词：硅锗合金直流特性
LPE法在Si衬底上生长SiGe层的方法及电子特性的研究
1996年
本文介绍了在电阻率为（７７～３００）ｋΩ·ｃｍ的ｎ型（１１１）Ｓｉ衬底上用ＬＰＥ法生长高质量Ｓｉ１－ＸＧｅｘ单晶薄层（其厚度一般为１～３μｍ）的生长条件，并对引入的缺陷进行了ＴＥＭ研究，结果表明其缺陷密度和用ＭＢＥ及超高真空ＣＶＤ法生长的同样厚度和组分的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ薄层的缺陷密度相等甚至更低．霍尔迁移率μＨ与温度有μＨ∝Ｔｍ的关系，（在Ｔ＝８０～３００Ｋ时，ｍ＝－０．９５）．当ｘ＞０．８５时，μＨ的测量值和由Ｋｒｉｓｈｎａｍｕｒｔｈｙ计算的理论值相符，ｘ＜０．８５，测量值仅为理论值的７０％．由Ｂｉ杂质引入能级的电子激活能Ｅｎ与Ｇｅ的组分ｘ有关．但在ｘ＝０．８３时有最大值．其值分别为Ｂｉ在Ｓｔ，Ｇｅ体材料中的１／４．这表明用ＬＰＥ生长的ＳｉＧｅ层的电子特性不但与Ｂｉ而且还与ＳｉＧｅ的结构特性有关．
陈建新邹德恕张时明韩军沈光地
关键词：SIGE电子特性
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