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张爱国

作品数:5 被引量:16H指数:2
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇RU
  • 2篇隧道结
  • 2篇CR
  • 2篇磁电
  • 2篇磁电阻
  • 2篇磁记录
  • 2篇磁性隧道结
  • 1篇电性质
  • 1篇电阻
  • 1篇多层膜
  • 1篇随机存储器
  • 1篇隧穿
  • 1篇隧穿磁电阻
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁耦合
  • 1篇热氧化
  • 1篇物理学
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射沉积
  • 1篇矫顽力

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇张爱国
  • 4篇韩秀峰
  • 4篇詹文山
  • 2篇王荫君
  • 2篇李飞飞
  • 1篇赵素芬
  • 1篇魏红祥
  • 1篇曾中明
  • 1篇王天兴
  • 1篇王伟宁

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2005
  • 3篇2004
  • 1篇2002
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
Cr/Ru/PtCo/Ru/PtCo/Ru磁记录结构性质的研究
本文讨论了Cr/Ru/PtCo/Ru/PtCo/Ru结构的矫顽力与交换场随Ru底层与反铁磁耦合Ru层厚度变化的规律。其矫顽力(H)与交换场(H)随Ru底层厚度增加而增大,这是由Ru层hcp结构引起的。矫顽力与交换场在0....
张爱国王荫君韩秀峰詹文山
文献传递
Cr/Ru/PtCo/Ru/PtCo/Ru介质中底层Ru厚度对磁记录特性影响的研究被引量:3
2005年
讨论了Cr Ru(1) PtCo(稳定层 ) Ru(2 ) PtCo(记录层 ) Ru(3)结构的矫顽力Hc 与层间反铁磁耦合交换场Hex随Ru(1)与Ru(2 )厚度变化的规律 .研究发现 ,样品的矫顽力及交换场随Ru(1)厚度增加而增大 ,这可能是由Ru(1)hcp结构引起的 .矫顽力及交换场在Ru(2 )厚度为 0 8nm处有峰值 .
张爱国王荫君韩秀峰詹文山
关键词:矫顽力反铁磁耦合薄膜物理学
4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备被引量:13
2004年
就如何在 4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究 ,并对磁性隧道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论 .利用现有的光刻设备和工艺条件在 4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结 ,其结电阻与面积的积矢的绝对误差在 10 %以内 ,隧穿磁电阻的绝对误差在 7%以内 ,样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性 。
王天兴魏红祥李飞飞张爱国曾中明詹文山韩秀峰
关键词:磁性隧道结隧穿磁电阻电性质硅衬底磁随机存储器热氧化
利用光刻法制备高磁电阻磁性隧道结
通过优化制备磁性隧道结的实验和光刻工艺条件,制备出具有室温高磁电阻和低电阻的高质量磁性隧道结,300℃退火前后其室温磁电阻比值、结电阻、结电阻和结面积的积矢及自由层的偏转场分别达到22﹪和50﹪、31和41Ω、3100和...
韩秀峰李飞飞张爱国赵素芬王伟宁詹文山
关键词:光刻法磁性隧道结磁电阻
文献传递
Co/Ru多层膜层间耦合性质以及磁记录性能的研究
目前磁记录密度的提高受到热稳定性的限制,层间反铁磁耦合引入到磁记录中是解决这个问题的方法之一。本论文用磁控溅射沉积样品,研究Co/Ru多层膜为基的多层膜的层间耦合性质,通过改变Co/Ru/Co多层膜中的磁性层(CoFe薄...
张爱国
关键词:磁性多层膜层间耦合磁记录磁控溅射沉积
文献传递
共1页<1>
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