张益军
- 作品数：135 被引量：78H指数：5
- 供职机构：南京理工大学电子工程与光电技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金微光夜视技术国防科技重点实验室基金江苏省普通高校研究生科研创新计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>
- GaAlAs缓冲层对具有薄发射层的反射式GaAs光电阴极的影响
- 传统的反射式GaAs光电阴极量子效率公式不能很好地与发射层较薄的情况下的量子效率实验曲线拟合。考虑GaAlAs缓冲层产生光电子,通过建立和求解少数载流子所遵循的一维连续性方程,得到修正后的反射式GaAs光电阴极量子效率公...
- 陈鑫龙张益军常本康金睦淳郝广辉徐源
- 关键词：光电阴极量子效率
- GaN光电阴极表面势垒对电子逸出几率的影响被引量：1
- 2012年
- 针对GaN光电阴极表面势垒对电子逸出几率的影响问题,应用玻尔兹曼分布和基于Airy函数的传递矩阵法计算了GaN光电阴极的电子逸出几率,发现电子逸出几率主要由Ⅰ势垒决定,Ⅱ势垒对电子逸出几率的影响有限.利用自行研制的GaN光电阴极激活评估实验系统,测试了透射式GaN光电阴极样品的激活光电流.实验发现,Cs单独激活引起电子逸出几率的显著增加,而Cs单独充分激活后的Cs/O交替激活对电子逸出几率的影响有限.理论计算结果与激活光电流测试结果一致,其原因是Cs单独激活对降低真空能级的贡献远大于Cs/O共同激活.
- 杨永富富容国张益军王晓晖邹继军
- 关键词：GAN光电阴极表面势垒
- 多层复杂结构GaAs基光电阴极的光学性能和量子效率
- 2023年
- 为了更好地了解这两种结构对光电发射性能的影响,设计和生长了两种结构的光电阴极样品,对其光电发射性能进行比较,并利用薄膜光学的矩阵法推导的光学性能公式以及通过求解一维连续性方程推导的量子效率模型,对比研究了光电阴极发射层、缓冲层厚度变化以及AlxGa1-xAs缓冲层中Al组分变化对两种结构光电阴极光学性能和量子效率的影响。这两种结构对光电发射性能的影响机理并不相同,因此作用效果也大不一样。渐变带隙结构的光电阴极通过引入内建电场和减少界面复合从而提升光电发射性能,而DBR结构则通过形成法布里-罗伯共振腔,使得特定波长的入射光在共振腔内来回反射进而被多次吸收,从而加强光电发射。激活实验结果表明,DBR结构样品的发射效率与渐变带隙结构相比具有明显优势,尤其是在755,808和880 nm处有更高的发射效率峰值,可分别提升37.5%,38.9%和47.0%。最后利用模型拟合了量子效率曲线,验证了光学性能参量对复杂结构光电阴极的重要影响及理论模型的合理性。
- 冯琤刘健张益军钱芸生
- 关键词：GAAS光电阴极光学性能量子效率
- InGaAs光电阴极的Cs/NF_(3)激活被引量：2
- 2023年
- 为了提高InGaAs光电阴极的光电发射性能,探究新型激活工艺,采用Cs/NF_(3)和Cs/O两种激活方式对InGaAs样品进行激活实验。对同一结构的InGaAs阴极样品,分别进行了激活实验、衰减实验、光谱响应测试和表面成分分析,分别从白光光电流、衰减稳定性、光谱响应和表面成分等角度测试并分析了不同激活工艺下阴极的性能参数。通过对比Cs/NF_(3)和Cs/O两种激活方式的实验结果可知:Cs/NF_(3)激活后的InGaAs光电阴极在白光光电流、截止波长和光谱响应方面明显优于Cs/O激活后的样品,光谱响应的增强效果在近红外波段尤为明显,在1064 nm处Cs/NF_(3)激活后阴极光谱响应是Cs/O激活后的4.7倍;然而,与GaAs光电阴极Cs/NF_(3)激活能够获得更高的阴极稳定性这一现象不同,Cs/O激活的InGaAs光电阴极的稳定性明显优于Cs/NF_(3)激活,Cs/NF_(3)激活在截止波长和光谱响应方面的优势在连续光照衰减后消失。
- 王自衡李诗曼石峰钱芸生张益军
- 关键词：光谱响应
- 一种基于阵列探测法的激光光斑恢复方法
- 本发明提供了一种基于阵列探测法的激光光斑恢复方法，包括以下步骤：对阵列探测器光强分布的四周非密集区域进行双线性插值和反双线性插值计算，对得到的双线性和反双线性插值进行加权平均融合，得到完整的光斑分布；根据初始的光强分布得...
- 富容国周鸣杜振伟陈江南段赐琛张红钱芸生刘磊张俊举张益军邱亚峰
- 文献传递
- 变掺杂GaAs光电阴极研制及其特性评估
- 本文围绕变掺杂GaAs光电阴极的量子效率理论、材料结构设计与生长、制备工艺评估和阴极性能评估等方面开展了系统研究。
针对原有反射式和透射式阴极量子效率公式存在的局限性，根据目前反射式和透射式GaAs光电阴极的结构，...
- 张益军
- 关键词：量子效率表面势垒
- 文献传递
- 负电子亲和势氮化镓光电阴极的制备工艺被引量：1
- 2011年
- 利用自行研制的超高真空激活系统与表面分析系统,通过X射线光电子能谱(XPS)分析确定了采用的GaN(0001)化学清洗配方的有效性,并通过激活结果验证了达到原子级清洁表面所采用的加热清洁工艺的正确性。结合激活过程中的光电流变化曲线,确定了高温Cs单独激活与后续Cs/O交替激活相结合的工艺,成功制备了表面达到负电子亲和势(NEA)的GaN光电阴极。激活结束后,用光纤光源照射,测得光谱响应。通过计算得到量子效率曲线,验证了整套制备工艺的正确性。通过一系列实验,确立了一套制备NEA GaN光电阴极的工艺流程。
- 郭向阳王晓晖常本康张益军乔建良
- 关键词：光电子学GAN光电阴极量子效率
- 一种基于采样的双边遥操作系统的从转矩反馈控制方法
- 本发明给出了一种基于采样的双边遥操作系统的从转矩反馈控制方法,包括以下步骤：步骤1：分析基于网络通信的双边遥操作系统的结构、网络通信中存在的非对称的时变时延和如何降低传输能耗问题；步骤2：针对网络通信中存在的非对称的时变...
- 张益军朱添麟叶达文罗莉
- 文献传递
- 一种真空太阳能光电转换器件
- 本发明提供了一种真空太阳能光电转换器，包括透射式GaAlAs/GaAs光电阴极组件、铟封材料、第一可伐合金、第二可伐合金、圆柱形陶瓷腔与金刚石薄膜阳极组件；阴极组件自上而下由玻璃窗口、增透层、GaAlAs窗口层、GaAs...
- 常本康王焜王贵圆钱芸生富容国石峰程宏昌张益军刘磊张俊举邱亚峰陈鑫龙杨明珠
- 文献传递
- 基于扫描聚焦XPS技术的InGaAs表面清洁研究被引量：3
- 2021年
- 为了获得清洁度更高的InGaAs材料表面,利用氢氟酸溶液、盐酸与水的混合溶液、盐酸与异丙醇的混合溶液,研究了化学清洗方法对材料表面碳污染物和氧化物的去除效果,并在此基础上提出了一种与紫外臭氧清洗相结合的方法。利用扫描聚焦X射线光电子能谱技术,对不同方法清洗后的InGaAs样品表面进行分析,基于样品表面产生的二次电子图像,对表面进行了微区特征分析,精准检测了表面化学成分和表面被腐蚀程度。分析发现,基于氢氟酸溶液的刻蚀会严重腐蚀样品表面,破坏表面结构和成分,而结合了紫外臭氧清洗的基于盐酸和异丙醇混合溶液的刻蚀对样品表面具有更好的清洁效果,能够更好地去除表面的碳污染物和氧化物。
- 荣敏敏张益军李诗曼焦岗成刘伟鑫王自衡舒昭鑫钱芸生
- 关键词：表面污染化学清洗
