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简易高T_c超导YBaCuO薄膜桥结被引量：1: 1993年; 在ZrO_2.基片上采用DC磁控溅射原位生长得到高Tc超导YBaCuO薄膜,我们通过刻蚀这种薄膜简易地制得薄膜Josephson桥结,其临界温度Tc为83K～90K,在液氮温度下,临界电流Ic与正常态电阻R_N之间的乘积IcR_N为0.2mV～1.6mV不等.一般能观测到8mm微波感应台阶,部分微桥还观测到了多个3mm微波感应台阶. 我们测试了结的Ic与温度T的经验关系,对论了薄膜Jc、微桥尺寸等因素对桥结I—V特性的影响情况。; 戴建国李元杨森祖高燕郭大元钱珉; 关键词：超导薄膜磁控溅射高温

YBaCuO薄膜桥结的弱化制备及其保护措施浅探被引量：3: 1994年; 该文介绍的是有选择性地弱化ＹＢａＣｕＯ／ＺｒＯ２（１００）薄膜制备Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ桥结的一种简洁方法，分析、讨论了该方法影响结参数的各种因素。最后。文中还给出了我们对薄膜器件的保护措施所进行的初步探索结果；使用涂覆有机物、射频溅射ＺｒＯ２等几种方法．取得了较好的效果。; 戴建国伍瑞新王华兵郭大元; 关键词：高TC YBCO 超导薄膜桥接

表面组装与芯片键合混合工艺浅探: 1995年; 我们在高新技术产品试制过程中，对表面组装（ＳＭＴ）与芯片键合（Ｂｏｎｄｉｎｇ）的混合工艺作了一些探索——本文重点就有关工艺流程安排，以及在裸芯片组装中的所遇到的一些具体问题，简单地作一讨论。; 戴建国孟江生陈健人茅洁李红; 关键词：芯片键合

综述:无声放电臭氧发生器的研究进展被引量：17: 1997年; 臭氧在水处理、空气净化、器具消毒等多方面具有广泛应用。而工业上应用最为广泛的臭氧合成方法是无声放电法。本文扼要介绍了国内外臭氧发生器设计者们近期在设计或改进无声放电臭氧发生器方面所作的一些努力。这些努力主要集中在有关放电元件结构，介质填料，供电电源和空气预处理装置等的改进或创新上。; 戴建国; 关键词：臭氧发生器

超导YBCO薄膜器件的红外再流焊引线尝试被引量：1: 1995年; 高温超导器件的微组装研究是当今国际上高温超导研究的方向之一。我们在ＹＢＣＯ薄膜器件的红外再流焊引线方面作了一些尝试，该文重点介绍有关实验尝试的工艺方法和初步结果。; 戴建国凌一鸣李元杨森祖; 关键词：引线

关于薄膜YBaCuO微桥的几个实验现象观测被引量：1: 1996年; 在ＺｒＯ２（１００）基片上采用对靶偏轴ＤＣ磁控溅射外延生长高温超导ＹＢａＣｕＯ薄膜，利用多层光刻工艺与Ａｒ＋铣相结合的混合刻蚀工艺刻蚀薄膜得到微桥样品。液氮温度下，测试薄膜微桥样品的特性，观测到一系列有趣的实验现象：测得这种样品的临界电流Ｉｃ与温度Ｔ的经验关系为：Ｉｃ∝（１－Ｔ／Ｔｃ）Ｎ，其中Ｎ在２～３．５之间，比常见报道的Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ结的Ｎ值要大，微波辐照下，观测到的微波感应台阶存在“漂移”现象，即它随微波强度Ｐ的不同而偏离现有理论，经验关系式如下：其中△１（Ｐ，ｎ）、△０（Ｐ）为偏离系数，定性地对一特定微桥，它们主要与微波强度有关；部分样品的Ｉ－Ｖ特性存在异常的“负阻现象”，包括直流负阻现象（即：Ｉ＞０，Ｖ＜０，Ｖ／Ｉ＜０）和微分负阻现象（即：ｄＩ＞０，ｄＶ＜０，ｄＶ／ｄＩ＜０）；对上述样品进行ＳＥＭ成分分析发现：薄膜中各元素比例“失常”，远远不同于一般情况Ｙ：Ｂａ：Ｃａ～１：２：３，其中Ｂａ元素比例较少的样品，其Ｔｃ、Ｊｃ“反常地”较高，并且在出现负阻特性的样品中尤其如此。; 戴建国杨森祖; 关键词：YBCO 超导薄膜

实现多层混合刻蚀薄膜大面积均匀的方法浅探: 1996年; 采用多层光刻工艺结合氩离子铣的混合刻蚀方法，刻蚀高Ｔｃ超导ＹＢａＣｕＯ／ＺｒＯ２（１００）薄膜图形，取得了较好的结果。在进行氩离子镜的工艺步骤中，使用普通氩离子铣设备（离子束斑极不均匀），但采取了一定的措施─－使被刻样品在刻蚀台座上可移动，模糊地实现了薄膜的相对＂大面积＂（直径φ≥２０ｍｍ）均匀刻蚀─－可同时刻蚀２～３片６ｍｍ×１０ｍｍ薄膜，并且被刻蚀部分表面起伏约在１０ｎｍ左右。图形样品的最小线条达２μｍ，其Ｔｃ、Ｊｃ人与刻蚀前薄膜的Ｔｃ、Ｊｃ相当，即：ＴＣ为８５～９０Ｋ，Ｊｃ～１０６Ａ／ｃｍ２（在７７Ｋ下）。; 戴建国凌一鸣

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戴建国