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方小红

作品数：27 被引量：25H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第十八研究所更多>>
发文基金：天津市科技支撑计划重点项目更多>>
相关领域：电气工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 12篇电气工程
  • 3篇一般工业技术

主题

  • 22篇电池
  • 22篇太阳电池
  • 22篇铜铟镓硒
  • 14篇薄膜太阳电池
  • 8篇铜铟镓硒薄膜...
  • 7篇硫化
  • 7篇衬底
  • 5篇性能表征
  • 5篇硫化镉
  • 5篇半导体
  • 5篇CDS薄膜
  • 4篇柔性衬底
  • 4篇硒源
  • 4篇溅射
  • 4篇功率
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇导体
  • 3篇镀液
  • 3篇致密

机构

  • 27篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 27篇方小红
  • 13篇赵彦民
  • 13篇李巍
  • 12篇冯金晖
  • 10篇王庆华
  • 7篇杨立
  • 7篇刘兴江
  • 6篇李微
  • 1篇闫礼
  • 1篇刘勇
  • 1篇乔在祥
  • 1篇王希文

传媒

  • 2篇电源技术
  • 2篇第28届全国...
  • 1篇华南师范大学...
  • 1篇新材料产业
  • 1篇可再生能源
  • 1篇第二十八届全...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2012
  • 4篇2011
  • 6篇2010
  • 10篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种铜铟镓硒半导体薄膜的制备方法
本发明涉及一种铜铟镓硒半导体薄膜的制备方法，先采用公知技术真空磁控溅射方法在刚性或柔性衬底上溅射Mo层，在Mo层上分别溅射Cu、In、Ga，制成的预制层反应基片，再通过封装、升温、降温制备出本发明铜铟镓硒半导体薄膜。由于...
赵彦民方小红王庆华冯金晖
文献传递
CdS薄膜的化学水浴法制备及其性能表征
本文介绍用化学水浴法沉积铜钢镓硒薄膜太阳电池的缓冲层CdS薄膜。研究制备CdS溥膜过程中的一些化学反应过程和反应机理，着重研究在沉积过程中，氨水浓度和水浴温度温度对CdS薄膜品质的影响。经过实验比较得到沉积CdS薄膜的较...
李巍方小红
关键词：硫化镉太阳电池化学反应过程光电转换效率
文献传递
铜铟镓硒柔性薄膜太阳电池被引量：2
2007年
介绍了铜铟镓硒柔性薄膜太阳电池的性能、优点以及应用范围;阐述了柔性薄膜太阳电池的国内外研究现状、发展趋势;特别介绍了柔性薄膜太阳电池的典型结构以及柔性衬底材料的要求和选择,底电极、吸收层、缓冲层、窗口层、减反射膜、上电极等各功能层的制备工艺等,同时简要介绍了其产业化面临的困难和挑战。
方小红刘勇王庆华杨立赵彦民冯金晖
关键词：铜铟镓硒太阳电池
多晶薄膜太阳电池发展被引量：1
2009年
太阳能电池正在发生革命性地变化，近年来，业界已经充分掌握了以薄膜取代硅晶制造太阳能电池的技术。专家认为，未来5年内薄膜太阳能电池将大幅降低成本，届时这种薄膜太阳能电池将得到广泛应用。
方小红
关键词：薄膜太阳电池薄膜太阳能电池多晶革命性
制备铜铟镓硒系列薄膜太阳电池光吸收层的硒化装置
本实用新型涉及一种制备铜铟镓硒系列薄膜太阳电池光吸收层的硒化装置，包括反应腔体；反应腔体中有石英舟、基片加热器和两者之间的基片支架；连接在反应腔体上的抽真空系统；石英舟下方的加热炉，反应腔体外部有一个通过阀门与反应腔体连...
赵彦民刘兴江方小红王庆华冯金晖
文献传递
柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的制备方法
本发明属于柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的制备方法，在衬底上，磁控溅射沉积底电极Mo，再在底电极Mo薄膜上用CuIn和CuGa合金靶材以磁控溅射法制备金属预制层；将沉积有底电极Mo和铜铟镓金属预制层的基片置于石英管中，同...
方小红
文献传递
铜铟镓硒薄膜太阳电池用光吸收层的制备方法
本发明涉及铜铟镓硒薄膜太阳电池用光吸收层的制备方法，先采用公知技术的真空磁控溅射方法在镀Mo的衬底上溅射Cu、In、Ga预制层，其特点包括封装、升温、降温制备过程，制备出本发明的铜铟镓硒薄膜太阳电池用吸收层。由于采用了密...
赵彦民方小红王庆华李巍
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在PI衬底上制备CdS薄膜及其性能表征
本文介绍用化学水浴法在聚酰亚胺(PI)衬底上沉积铜铟镓硒薄膜太阳电池的缓冲层CdS薄膜。研究制备CdS薄膜过程中的一些化学反应过程和反应机理,着重研究在沉积过程中,氨水浓度和水浴温度温度对CdS薄膜品质的影响。经过实验比...
李巍方小红
关键词：硫化镉铜铟镓硒太阳电池
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铜铟镓硒薄膜太阳电池窗口层的制备方法
本发明属于铜铟镓硒薄膜太阳电池窗口层的制备方法，将镀有Mo/CIGS/CdS的衬底放入真空室，室内真空度为1×10<Sup>-4</Sup>～3×10<Sup>-3</Sup>Pa、温度RT-350℃条件下，通入氩气，控...
方小红李微
一种铜铟镓硒太阳电池缓冲层的制备方法
本发明属于一种铜铟镓硒太阳电池缓冲层的制备方法，配置镀液、选择衬底、在衬底上喷淋镀液，衬底上形成II-VI族化合物薄膜作为太阳电池缓冲层。本发明采用喷淋法制备铜铟镓硒太阳电池缓冲层，利用动态结晶原理，采用喷嘴对传送带上的...
李巍刘兴江方小红李微
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