朱小锋
- 作品数：41 被引量：22H指数：3
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
- 发文基金：国防科技工业技术基础科研项目国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术理学电气工程更多>>
- 中子屏蔽材料屏蔽效能理论计算
- 通过蒙特卡罗理论计算方法,运用综合考虑中子注量与中子能谱的全能谱硅位移损伤函数作为表征屏蔽材料屏蔽效能的参数,探索研究不同组分、不同厚度的中子屏蔽复合材料对典型裂变中子谱的屏蔽效能变化规律.计算结果表明,随着屏蔽体含硼量...
- 朱小锋许献国赵洪超
- 关键词：屏蔽材料中子注量中子能谱屏蔽效能蒙特卡罗
- 文献传递
- 基于激光选区熔化成形的钽钨合金制备工艺及钽钨合金
- 本发明公开了基于激光选区熔化成形的钽钨合金制备工艺及钽钨合金，包括成形工艺，所述成形工艺采用激光选区熔化成形获得钽钨合金构件，其中，对激光选区熔化成形的参数进行优化处理，获得不同结构如内填充、结构体、网格支撑、上表面、下...
- 朱小锋许献国肖龙远赵洪超刘珉强段丙皇
- 文献传递
- 三端稳压器中子辐射特性实验研究
- 简要介绍了三端稳压器的中子辐射损伤的机理和辐照试验方法.重点研究了三端稳压器在不同输入电压和不同输出负载测试条件下,输出电压的中子辐照失效阈值范围.试验结果表明:不同生产厂家的同类型器件抗中子辐照能力有较大的差异,这为电...
- 朱小锋赵洪超叶灿
- 关键词：中子辐照三端稳压器
- 辐射效应在线测试长线传输技术
- 介绍了电子元器件辐照试验方法及辐射效应测试方法的分类及其不同特点.针对动态辐照试验中的原位在线测试难点问题,如高频、高压、大电流、高精度、弱驱动信号等,提出了电参数长线传输测试关键技术的解决办法.这些方法在相关元器件抗辐...
- 许献国谢泽元杜川华朱小锋杨有莉
- 关键词：电子元器件
- 三端稳压器中子辐射特性实验研究
- 本文简要介绍了三端稳压器的中子辐射损伤的机理和辐照试验方法。重点研究了三端稳压器在不同输入电压和不同输出负载测试条件下,输出电压的中子辐照失效阈值范围。试验结果表明:不同生产厂家的同类型器件抗中子辐照能力有较大的差异,这...
- 朱小锋赵洪超叶灿
- 关键词：中子辐照三端稳压器
- 文献传递
- γ脉宽对电子器件瞬时辐射效应的影响
- 介绍电子器件的脉冲宽度效应基本原理以及脉冲宽度与辐照响应的关系、在两种γ脉冲辐射源,脉冲宽度分别为:-20ns、-50ns、-150ns,剂量率为106-109Gy(Si)／s下,对五种不同类型的电子器件进行了辐照试验,...
- 朱小锋赵洪超
- 关键词：核电子学脉冲宽度剂量率
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- 反熔丝FPGA器件γ剂量率辐射效应规律探讨
- 本文分析了反熔丝FPGA器件工艺结构及其γ剂量率辐射效应机理,给出了几种反熔丝FPGA器件的γ剂量率辐照效应试验结果。试验结果表明,反熔丝FPGA器件γ剂量率失效主要是瞬时光电流扰动引起的,而全部样品对于γ瞬时扰动效应都...
- 赵洪超朱小锋杜川华袁国火
- 关键词：反熔丝FPGAΓ剂量率
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- NVSRAM与FLASHROM存储器抗γ瞬时辐射性能研究
- 本文对两种类型存储器NVSRAM和FLASHROM在不同辐照剂量率下进行辐照实验,研究了这两种存储器抗γ瞬时辐射性能,对实验结果进行了分析。试验表明:FLASHROM能在10<'9>GY(Si)/s剂量率下不丢失数据,而...
- 朱小锋赵洪超杨有莉
- 关键词：剂量率存储器抗辐射加固
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- 一种硬X射线和光电子屏蔽复合材料
- 本发明公开了一种硬X射线和光电子屏蔽复合材料，包括X射线屏蔽层和光电子屏蔽层，所述X射线屏蔽层的双面或单面设置光电子屏蔽层，所述X射线屏蔽层采用高Z材料制成，所述光电子屏蔽层采用低Z材料制成。本发明采用高Z材料和低Z材料...
- 朱小锋刘珉强赵洪超许献国周开明王艳
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- 脉冲X射线辐射效应时间能量联合数值模拟被引量：1
- 2021年
- 在脉冲X射线辐射效应研究中,需要将时间维度信息结合到仿真模型中,进而实现基于时间能量联合方法的辐射效应数值模拟,同时也为瞬态脉冲辐照效应的仿真提供了一种思路。建立轫致辐射打靶模型,计算出射脉冲X射线能谱,得到脉冲X射线的时间能量联合谱,结合辐射对象的辐射效应仿真模型,获得氧化铝陶瓷试样在不同时间及不同入射深度处的能量沉积。
- 陈玉岳东立钟辉张雨琦郝义张靖雯朱小锋
- 关键词：轫致辐射
