李福龙
- 作品数：3 被引量：7H指数：1
- 供职机构：厦门大学材料学院更多>>
- 发文基金：福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划国家自然科学基金福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- ZnO薄膜的制备及其性能研究
- ZnO是一种直接带隙的宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能高达60 meV，具有可见光透过率高、紫外光吸收强的特点，因此，被认为是有望取代GaN的新一代短波长光电子材料，在平面显示器、太阳能电池透...
- 李福龙
- 关键词：半导体材料氧化锌薄膜溶胶-凝胶法光致发光性能
- 文献传递
- A位取代对ZnO-0．5SiO2陶瓷烧结特性和介电性能的影响被引量：1
- 2009年
- 采用常规固相反应法,以ZnO-0.5Si O2体系为基体成分,研究了A位取代ZnO-0.5Si O2陶瓷的烧结特性和介电性能的影响规律.结果表明:Mg在一定范围内A位取代ZnO-0.5Si O2中的Zn可形成(Zn1-x,Mgx)2Si O4固溶体,x(Mg)最大固溶度不超过0.5.当取代量超过固溶度后,出现Mg2Si O4和Mg2Si O3相.x(Mg)≤0.5,陶瓷介电常数变化不大,品质因子较高;x(Mg)>0.5时,陶瓷介电常数增大,品质因子急剧下降.研究还揭示了(Zn1-x,Mgx)2Si O4(x=0.1~0.3)陶瓷在1 275℃烧结具有良好的介电性能,其介电常数为6.19~6.23,品质因子为48 000~53 000 GHz,频率温度系数为-50×10-6^-60×10-6/℃.
- 徐进李福龙张启龙
- 关键词：微波介质陶瓷介电性能低介电常数
- 直拉硅单晶中原生氧沉淀的透射电镜研究被引量：5
- 2007年
- 利用透射电镜对掺氮(NCZ)和普通(CZ)直拉硅单晶中的原生氧沉淀进行研究.研究表明,在NCZ样品中,有高密度的粒径为5nm的氧沉淀生成,而在CZ样品中,没有观察到这种氧沉淀.初步认为,这种细小的氧沉淀是以650℃低温下形成的N-O复合体为核心在随后的冷却过程中形成.
- 徐进李福龙杨德仁
- 关键词：直拉硅透射电镜氧沉淀
