- 绝缘体上硅微环谐振腔电光调制器的分析与最优设计被引量：7
- 2013年
- 针对高频电光调制器的应用需求,提出了一种基于绝缘体上硅微环谐振腔的P-I-N型电光调制器.利用散射矩阵法描述了微环谐振腔谐振特性机理,结合等离子体色散效应中载流子浓度对硅有效折射率变化的影响,系统分析了微环谐振腔电光调制器的理论模型.在此基础上,利用Rsoft仿真软件对脊型波导截面光场分布进行了仿真分析,得到了光场局域性能较优的脊型纳米波导微环谐振腔设计;结合Sentaurus TCAD仿真软件对不同掺杂浓度下的P-I-N型二极管性能进行了仿真计算,理论得出了Q值仅为5×103时频移量达58.74GHz的微环谐振腔最优电光调制器结构,为电光调制器的深入研究提供了理论参考.
- 韦丽萍王永华臧俊斌崔丹凤李艳娜刘耀英薛晨阳
- 关键词：微环谐振腔电光调制器脊型波导
- 基于InP材料的纳米光栅耦合器的耦合效率分析
- 2014年
- 设计了一种基于InP材料的纳米光栅耦合器,运用FDTD算法分析了周期长度、刻蚀深度以及占空比变化时该光栅耦合器的耦合效率。计算结果表明,周期长度为800nm,刻蚀深度为0.3μm,占空比接近0.5时,耦合效率可以达到13%。本文所设计的光栅耦合器对构建基于InP材料的谐振腔、激光器和陀螺结构具有一定的理论指导意义。
- 刘耀英薛晨阳崔晓文崔晓文韦丽萍崔丹凤李艳娜
- 关键词：INP材料光栅FDTD算法
- 基于石墨烯与光波导电光调制器的调制机理研究与制备
- 多核、多芯片封装的系统架构成为未来集成电路发展的一个主要趋势，尺寸的不断缩减导致芯片间互连延迟增大，损耗增加。硅基片上光互连系统兼具高性能和易集成的优势。硅基电光调制器是硅基片上光互连系统的一个重要组件，其性能决定着芯片...
- 李艳娜
- 关键词：集成电路电光调制器芯片设计
- 文献传递
- 基于高Q环形谐振腔的石墨烯电光调制器
- 本发明为一种基于高Q环形谐振腔的石墨烯电光调制器，包括高Q环形谐振系统，在其环形波导上取周长的一部分覆盖制作双层石墨烯薄膜调制系统，双层石墨烯薄膜调制系统包括底层电介质层、底层石墨烯、中间电介质层和顶层石墨烯，在顶层石墨...
- 薛晨阳李艳娜张文栋梁庭韦丽萍王飞王永华
- 文献传递
- SOI环形光波导谐振腔双层石墨烯调制器(英文)被引量：2
- 2015年
- 在片上光互连系统中,电光调制器起到将电信号调制为光信号的作用,是光互联系统中的核心部件之一。调制器的3dB带宽决定着载波所能携带的最大信息量,是衡量调制器性能的核心参数。利用石墨烯和高Q环形谐振腔设计成具有CMOS结构的新型调制器,其集成了石墨烯的宽带吸收、载流子迁移率高等材料优势和高Q值环形光学谐振腔的光程放大的结构优势,通过理论计算,其3dB调制带宽可以达到100GHz。同时,基于微环谐振腔的石墨烯电光调制器结构可以方便的与光互联系统中的波分复用器相集成,从而提升片上光互联系统的集成度和降低技术复杂性。
- 李艳娜汤跃韦丽萍王永华刘耀英薛晨阳
- 关键词：电光调制器微环谐振腔3DB带宽
- 基于SOI光波导的损耗测试与优化
- 2014年
- 利用电子束光刻技术,制备了带有氧化硅包层的SOI光波导结构,对其传输模态及损耗进行了详细的理论分析,并分别对波导的传输损耗和耦合损耗进行了测试.测试结果验证了单模传输模态时的传输损耗较低,在波导层上添加覆盖层可以将波导传输损耗降低至3.96dB/cm,利用光栅垂直耦合可以大大降低光纤-波导的耦合损耗,耦合效率可以达到32.7%.
- 崔丹凤谢成峰晋玉剑刘耀英李艳娜韦丽萍王永华刘俊薛晨阳
- 关键词：传输损耗弯曲损耗光栅
- 四环谐振腔结构中耦合诱导透明特性研究被引量：3
- 2014年
- 基于量子相干效应中的电磁诱导透明,设计了一种四环级联谐振腔结构,并对其产生的耦合诱导透明现象进行了理论分析.利用时域有限差分法和束传输法对结构的关键参量进行了仿真模拟,采用电子束光刻与感应耦合等离子刻蚀工艺相结合的方式完成了结构的加工制备.实验中利用垂直光栅耦合法对结构进行测试,测试结果表明:由于相消干涉,该结构可以引起一个狭窄的透明峰;每个环形腔之间相互干涉,产生了两个透射峰,从而实现对光传输的延迟,其中一个透射谱半高全宽为0.022nm,对应的品质因数为0.72×105,且两个谐振峰之间的距离相隔0.084nm.波导直通端与下载端的谐振谱线吻合,与理论分析相符.
- 崔丹凤谢成峰刘耀英李艳娜韦丽萍王永华刘俊薛晨阳
- 关键词：色散品质因数
- 类电磁诱导透明效应在硅基微环谐振腔中的实现与优化被引量：8
- 2014年
- 为在硅基光波导上实现类电磁诱导透明效应,设计并加工了基于绝缘体上硅的串联双环结构.通过300℃到1 200℃热氧化退火、缓冲刻蚀液湿法腐蚀以及1 000℃高温氮气退火等波导结构的后期处理,利用垂直光栅耦合的方式输入及输出信号,观测到了类电磁诱导透明效应.分析了两环间不同间距对类电磁诱导透明效应的影响,结果表明:工艺中单环Q值达到5.1×104,类电磁诱导透明效应透明峰的带宽约为500MHz.
- 王永华韦丽萍臧俊斌崔丹凤李艳娜刘耀英薛晨阳
- 关键词：集成光学微环谐振腔绝缘体上硅
