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李铭杰
作品数:
3
被引量:2
H指数:1
供职机构:
哈尔滨师范大学
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发文基金:
黑龙江省教育厅科学技术研究项目
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
一般工业技术
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合作作者
李凯
哈尔滨师范大学物理与电子工程学...
李江禄
哈尔滨师范大学物理与电子工程学...
张伟光
哈尔滨师范大学物理与电子工程学...
高红
哈尔滨师范大学物理与电子工程学...
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哈尔滨师范大学物理与电子工程学...
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低温下单根In掺杂ZnO纳米带电学性质的研究
2012年
采用化学气相沉积(CVD)的方法合成了In掺杂ZnO纳米带,并且用简单、廉价的微栅模板法为单根纳米带制作了微电极,研究了在室温到20 K低温范围内单根In掺杂ZnO纳米带电阻随温度的变化.结果表明,在140~290 K区间单根ZnO∶In纳米带电子输运机制符合热激活输运机制.
李铭杰
李江禄
李凯
关键词:
纳米带
低温下单根ZnO纳米带电学性质的研究
被引量:2
2013年
用化学气相沉积法在硅衬底上合成了宽1μm左右、长数十微米的ZnO纳米带.采用微栅模板法得到单根ZnO纳米带半导体器件,由I-V特性曲线测得室温下ZnO纳米带电阻约3 M,电阻率约0.4·cm.研究了在20—280 K温度范围内单根ZnO纳米带电阻随温度的变化.结果表明:在不同温度区间内电阻随温度变化趋势明显不同,存在两种不同的输运机制.在130—280 K较高的温度范围内,单根ZnO纳米带电子输运机制符合热激活输运机制,随着温度继续降低(<130 K),近邻跳跃传导为主导输运机制.
李铭杰
高红
李江禄
温静
李凯
张伟光
关键词:
ZNO
纳米带
温度对单根ZnO纳米带电学性质的影响
由于一维ZnO纳米材料独特的物理化学性质使其在纳米光电子器件、纳米传感器等方面拥有巨大的应用空间和潜力。对低温下单根ZnO纳米材料电阻随温度变化的研究,有助于更好地理解一维纳米结构的电子输运行为。 本文采用化学气相沉积(...
李铭杰
关键词:
ZNO纳米带
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