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李铭杰

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：哈尔滨师范大学更多>>
发文基金：黑龙江省教育厅科学技术研究项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学

主题

  • 3篇纳米
  • 3篇纳米带
  • 2篇温下
  • 2篇ZNO纳米
  • 2篇ZNO纳米带
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇温度
  • 1篇ZNO

机构

  • 3篇哈尔滨师范大...

作者

  • 3篇李铭杰
  • 2篇李江禄
  • 2篇李凯
  • 1篇温静
  • 1篇高红
  • 1篇张伟光

传媒

  • 1篇哈尔滨师范大...
  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
低温下单根In掺杂ZnO纳米带电学性质的研究
2012年
采用化学气相沉积(CVD)的方法合成了In掺杂ZnO纳米带,并且用简单、廉价的微栅模板法为单根纳米带制作了微电极,研究了在室温到20 K低温范围内单根In掺杂ZnO纳米带电阻随温度的变化.结果表明,在140～290 K区间单根ZnO∶In纳米带电子输运机制符合热激活输运机制.
李铭杰李江禄李凯
关键词：纳米带
低温下单根ZnO纳米带电学性质的研究被引量：2
2013年
用化学气相沉积法在硅衬底上合成了宽1μm左右、长数十微米的ZnO纳米带.采用微栅模板法得到单根ZnO纳米带半导体器件,由I-V特性曲线测得室温下ZnO纳米带电阻约3 M,电阻率约0.4·cm.研究了在20—280 K温度范围内单根ZnO纳米带电阻随温度的变化.结果表明:在不同温度区间内电阻随温度变化趋势明显不同,存在两种不同的输运机制.在130—280 K较高的温度范围内,单根ZnO纳米带电子输运机制符合热激活输运机制,随着温度继续降低(<130 K),近邻跳跃传导为主导输运机制.
李铭杰高红李江禄温静李凯张伟光
关键词：ZNO纳米带
温度对单根ZnO纳米带电学性质的影响
由于一维ZnO纳米材料独特的物理化学性质使其在纳米光电子器件、纳米传感器等方面拥有巨大的应用空间和潜力。对低温下单根ZnO纳米材料电阻随温度变化的研究，有助于更好地理解一维纳米结构的电子输运行为。 本文采用化学气相沉积（...
李铭杰
关键词：ZNO纳米带
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