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YbBi_2单晶的磁化特性研究: 2000年; 研究了 Yb Bi2 单晶磁化强度和温度的关系以及 Yb Bi2 单晶在 2 K时的磁化特性 .实验发现 Yb Bi2 单晶在 2 K以上没有表现出超导电性 ;在 1 .5 K以上 Yb Bi2 单晶是一种顺磁质 ;它在 5 5; 张方辉姜振益杨成军; 关键词：顺磁质相变磁化特性

SiC多型体的电子结构和光学特性研究(英文): 2001年; 在局域密度近似下 ,采用平面波超软赝势法对 Si C多型体的能带和光谱特性进行了研究。计算了 4种 Si C多型体的能带、介电常数等并进行了比较。计算表明 :4H-Si C导带最低点在布里渊区 M点 ,6H-Si C导带最低点在布里渊区 ML 线上 U( 0 ,0 .1 76,0 ) ( 2 π/ a)点。在布氏区垂直于 Z轴方向的AH和 L H段能带是二重简并的。能带得介电常数的计算表明 Si C是各向异性材料。局域密度近似下的密度泛函理论对能隙的计算结果小于实验结果。; 姜振益张方辉杨成军; 关键词：SIC 赝势法光学特性

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杨成军