杨振亮
- 作品数：11 被引量：9H指数：2
- 供职机构：北京科技大学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术化学工程更多>>
- 先驱体转化法制备Diamond／SiC复合材料
- 碳硅烷(PCS)为先驱体，采用先驱体浸渍裂解工艺(PIP)制备出Diamond，SiC复合材料，重点研究制备工艺参数对复合材料致密度等性能的影响规律。结果表明：PCS裂解产生的β-SiC与基体中a-Sic和Diamond...
- 杨振亮何新波张昊明曲选辉
- 关键词：先驱体转化法聚碳硅烷复合材料致密度界面相容性
- 先驱体转化法制备Diamond/SiC复合材料被引量：6
- 2011年
- 以聚碳硅烷(PCS)为先驱体,采用先驱体浸渍裂解工艺(PIP)制备出Diamond/SiC复合材料,重点研究制备工艺参数对复合材料致密度等性能的影响规律。结果表明:PCS裂解产生的β-SiC与基体中α-SiC和Diamond的界面相容性良好,有利于Diamond/SiC的致密化;模压压力、浸渍液浓度以及预氧化处理等制备工艺参数是影响Diamond/SiC复合材料致密度的主要原因;Diamond/SiC多孔坯经7个周期的PIP处理后可成为致密度较高的Diamond/SiC复合材料。
- 杨振亮何新波张昊明曲选辉
- 关键词：先驱体转化法聚碳硅烷
- 一种金刚石/碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法
- 一种金刚石/碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，属于陶瓷材料领域。其特征是原料重量百分比为：5～15％的粘接剂，15～45％的碳化硅粉，40～80％的金刚石颗粒。原料经8～24h湿混，75～250MPa压力下模压成形得到复合...
- 何新波杨振亮吴茂任淑彬曲选辉
- 一种快速制备金刚石-碳化硅电子封装材料的方法
- 本发明提供了一种快速制备金刚石-碳化硅电子封装材料的方法，其特征是按重量百分比，将10～15%的粘接剂，5～20%的石墨，20～40%的硅粉，30～60%的金刚石湿混16～24h。然后在100～200℃和10～50MPa...
- 何新波杨振亮吴茂刘荣军任淑彬曲选辉
- 高性能Diamond/SiC电子封装材料的制备工艺
- 本发明提供了一种高性能Diamond/SiC电子封装材料的制备工艺，其特征是首先按重量百分比，将10～15%的粘接剂，5～20%的石墨，20～40%的硅粉，30～60%的金刚石颗粒湿混，混合时间16～24h。然后在10～...
- 何新波杨振亮吴茂刘荣军任淑彬曲选辉
- 文献传递
- 高性能Diamond/SiC电子封装材料的制备工艺
- 本发明提供了一种高性能Diamond/SiC电子封装材料的制备工艺，其特征是首先按重量百分比，将10～15%的粘接剂，5～20%的石墨，20～40%的硅粉，30～60%的金刚石颗粒湿混，混合时间16～24h。然后在10～...
- 何新波杨振亮吴茂刘荣军任淑彬曲选辉
- 一种金刚石/碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法
- 一种金刚石/碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，属于陶瓷材料领域。其特征是原料重量百分比为：5～15％的粘接剂，15～45％的碳化硅粉，40～80％的金刚石颗粒。原料经8～24h湿混，75～250MPa压力下模压成形得到复合...
- 何新波杨振亮吴茂任淑彬曲选辉
- 文献传递
- 一种快速制备金刚石-碳化硅电子封装材料的方法
- 本发明提供了一种快速制备金刚石-碳化硅电子封装材料的方法，其特征是按重量百分比，将10～15%的粘接剂，5～20%的石墨，20～40%的硅粉，30～60%的金刚石湿混16～24h。然后在100～200℃和10～50MPa...
- 何新波杨振亮吴茂刘荣军任淑彬曲选辉
- 文献传递
- 金刚石/碳化硅电子封装材料的制备及性能研究
- 杨振亮
- 关键词：电子封装热物理性能
- 金刚石/碳化硅复合材料的近净成形研究被引量：1
- 2013年
- 采用金刚石/碳/硅预制坯成形以及真空气相反应渗硅工艺实现了金刚石/碳化硅复合材料的近净成形制备。对复合材料的显微结构以及性能进行了研究,讨论了反应渗透过程中复合材料体积变化的影响因素及影响机理。结果表明:采用真空气相反应渗硅工艺制备的金刚石/碳化硅复合材料主要由金刚石,碳化硅以及少量残留硅组成,复合材料内部各相分布均匀,致密度达到99%以上,抗弯曲强度达到260MPa。由于硅碳原位反应生成碳化硅是一个体积膨胀过程,预制坯体在渗透过程中呈现5%～20%的体积膨胀。原料配方中金刚石含量越高,硅碳比越低,预制坯体开孔率越高,渗透过程中复合材料的体积膨胀率越低。为了避免样品变形,实现金刚石/碳化硅复合材料近净成形的最佳硅碳比为1:1。
- 杨振亮何新波马安吴茂章林刘荣军胡海峰张玉娣曲选辉
- 关键词：近净成形
