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杨昊

作品数:8 被引量:6H指数:1
供职机构:华南师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金广东省自然科学基金广州市科技攻关项目更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇掺杂
  • 2篇P型
  • 2篇GAN基LE...
  • 1篇氮掺杂
  • 1篇第一性原理
  • 1篇电子结构
  • 1篇电子态
  • 1篇电子态密度
  • 1篇电子学
  • 1篇多量子阱
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇英文
  • 1篇原子
  • 1篇指纹
  • 1篇指纹图
  • 1篇指纹图像
  • 1篇湿法刻蚀
  • 1篇受主
  • 1篇态密度

机构

  • 8篇华南师范大学
  • 1篇清华大学

作者

  • 8篇杨昊
  • 4篇范广涵
  • 4篇李军
  • 3篇姚光锐
  • 2篇梁瑞生
  • 2篇王发强
  • 2篇胡胜蓝
  • 1篇金锐博
  • 1篇吕园园
  • 1篇刘颂豪
  • 1篇孙鹏

传媒

  • 2篇量子电子学报
  • 2篇光子学报
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 7篇2009
  • 1篇2008
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
GaN基LED溢出电流的模拟
2009年
通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考虑了LED散热和载流子屏蔽效应对溢出电流的影响,并为减小溢出电流提供了思路.
李军范广涵刘颂豪姚光锐杨昊胡胜蓝
关键词:多量子阱极化效应
界面介质层对GaN基LED漏电流的影响被引量:1
2008年
在LED电极欧姆接触中,载流子在金属电极和半导体间有不同的传输机制。通过载流子在金属半导体界面传输机制的模拟,讨论了界面介质层及其势垒对器件串联电阻和漏电流的影响,发现介质层电阻比LED的串联电阻小得多,可以忽略不计;但是随着器件的老化,介质层及其所含的缺陷会产生相当大的漏电流,使器件的可靠性和稳定性下降,也为LED的失效机理提供了理论依据。
李军范广涵杨昊姚光锐
关键词:光电子学发光二极管介质层欧姆接触漏电流
基于方向场DFT和角点检测的指纹奇异点定位
2009年
提出了一种新的基于方向场离散傅里叶变换(Discrete Fourier transform,DFT)和角点检测的指纹奇异点定位算法。对方向场做DFT变换到频域处理能更好地压制噪声。通过角点提取、基于目标标注的聚类方法来定位指纹图像的奇异点。从方向场的极/零点模型出发,导出了若干新颖的性质,说明了奇异点和角点之间的关系。实验结果表明,奇异点定位精度有所提高,处理时间更短。
杨昊王发强梁瑞生孙鹏
关键词:指纹图像离散傅里叶变换角点检测奇异点
P型ZnO材料的理论研究
ZnO是一种Ⅱ—Ⅵ族直接带隙宽禁带化合物半导体材料,具有压电、热电、气敏、光电导等多种性能,在许多领域都有广泛的应用.近年来ZnO在光电领域的应用引起了人们的很大关注,这是由于ZnO在室温下禁带宽度为3.37eV,可以用...
杨昊
关键词:氧化物半导体氮掺杂电子结构电子态密度
文献传递
掺杂GaN的湿法刻蚀研究被引量:1
2009年
对掺杂GaN的湿法刻蚀研究进行了总结,回顾了不同的湿法刻蚀技术,包括传统的酸碱化学刻蚀和电化学刻蚀。从掺杂GaN的生长过程、表面化学组分和光电性质出发,深入地分析了湿法刻蚀的特性,对比了不同刻蚀方法的原理和效果。考虑到p-GaN的表面氧化层比较厚,接触电阻较大,能带向下弯曲不能进行光增强湿法刻蚀,重点阐述了p-GaN的传统湿法刻蚀和n-GaN的紫外光增强湿法刻蚀技术。与传统化学刻蚀相比,光增强湿法刻蚀具有更为广阔的前景。结合GaN基半导体器件的制作,对湿法刻蚀的主要应用进行了较为详细的归纳。目前,湿法刻蚀和干法刻蚀可以有效结合。将来湿法刻蚀有希望代替干法刻蚀。
姚光锐范广涵李军杨昊胡胜蓝
关键词:湿法刻蚀
一种改进型的双边带抑制光载波RoF双工通信系统设计
毫米波光纤无线电(ROF)(ROF: Radio—over—Fiber)技术可以将光纤的大容量与低成本优势与无线电接入的灵活性有机的结合在一起,在未来的宽带无线接入技术中扮演核心角色。所谓ROF技术就是指利用光纤代替大气...
杨昊
关键词:光纤无线通信系统
文献传递
利用双面腔制备n原子GHZ态(英文)
2009年
提出了一种利用双面腔制备多原子GHZ态的方法.当腔中囚禁原子处于特定态时,腔可能反射入射的单光子脉冲,也可能透射它.这个特性可以引起囚禁原子和输入腔肠的纠缠.数值模拟显示制备的多原子GHZ态具有很高的保真度和成功率.而且原子自发辐射等内禀噪声只对成功率有影响,而对保真度几乎没有影响.另外,对高Q腔和原子的L-D条件的不要求,提升了试验实现的可行性.
吕园园王发强金锐博杨昊梁瑞生
关键词:量子纠缠GHZ态
Li、N共掺杂实现P型ZnO的机理探讨被引量:4
2009年
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法计算了本征ZnO、N掺杂、Li掺杂以及Li、N共掺杂ZnO的能带结构、电子态密度和差分电荷分布。计算结果表明:N掺杂的受主能级局域性较强,导致N溶解度较低,Li替位原子受主能级较浅,但是会受到Li间隙原子的补偿。Li、N共同掺入时,NO-LiZn复合受主结构并不是ZnO的主要P型来源,NO受主可以与间隙原子Lii形成NO-Lii结构,该结构可促进N的掺入,并抑制Lii施主的补偿效应,因而对实现ZnO的P型非常有利。
杨昊范广涵李军
关键词:ZNO第一性原理密度泛函理论
共1页<1>
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