林玲
- 作品数：6 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
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- InGaP/GaAs HBT器件研究中的几个重要问题
- 2006年
- 本文分析了InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)微波器件研制中的一些重要问题,优化了发射结阻挡层厚度,解决离子注入实现器件隔离的问题,设计制备出发射极尺寸为(3μm×40μm)×3的HBT单管,并进行了测试。
- 林玲徐安怀孙晓玮齐鸣
- 关键词：INGAP/GAAS阻挡层离子注入
- 两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析
- InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了...
- 林玲徐安怀孙晓玮齐鸣
- 关键词：异质结双极晶体管直流特性
- 文献传递
- GaAs/InGaP异质界面的湿法腐蚀被引量：2
- 2008年
- 对柠檬酸系、盐酸系溶液腐蚀GaAs/InGaP异质结构材料体系时出现的腐蚀不均匀现象进行了实验研究,采用原子力显微镜(AFM)、电子显微镜、台阶仪等分析了不同腐蚀条件下GaAs/InGaP异质界面的腐蚀形貌,找到了简单有效的办法,可获得很好的表面平整度,同时侧向腐蚀也较小。
- 林玲王伟徐安怀孙晓玮齐鸣
- 关键词：湿法腐蚀GAASINGAP柠檬酸
- InGaP/GaAs微波HBT器件与电路研究及应用进展被引量：2
- 2006年
- 概述了近年来微波InGaP/GaAs异质结双极晶管(HBT)器件和集成电路的研究和应用现状,着重阐述了HBT器件的热设计、降低偏移电压、离子注入隔离、湿法腐蚀,以及用于电路设计的等效电路模型等关键问题。
- 林玲徐安怀孙晓玮齐鸣
- 关键词：异质结双极晶体管INGAP/GAAS微波单片集成电路
- InGaP/GaAs微波HBT器件及VCO电路的研究
- InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)具有优良的频率和功率特性，并具有相对成熟的材料生长技术和器件制备工艺，因此在无线通信、光纤通信和军用电子系统等领域获得了广泛应用。
本文在总结概括目前国内外关于HBT的...
- 林玲
- 关键词：异质结双极晶体管压控振荡器
- 文献传递
- 两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析
- 2007年
- InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8和10GHz.
- 林玲徐安怀孙晓玮齐鸣
- 关键词：异质结双极晶体管INGAP/GAAS直流特性
