梁晓新
- 作品数：43 被引量：44H指数：3
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术文化科学一般工业技术更多>>
- 一种毫米波功率放大器电路
- 本发明公开了一种毫米波功率放大器电路，所述毫米波功率放大器电路包括：用于将经放大后的至少一路输出功率分别进行划分后得到多路输出信号、且将多路输出信号输出至下一级功率放大结构的级间功分匹配单元，其中，所述级间功分匹配单元包...
- 万晶梁晓新
- 文献传递
- 一种滤波电路及其形成方法
- 本申请实施例公开了一种滤波电路及其形成方法，通过在下层金属层形成金属槽线，从而使滤波电路具有优良的带外抑制度，在金属槽线上绑钉第一金属绑线可以调整金属槽线的参数，从而可以提高滤波电路的带外抑制度；通过缺陷耦合片可以使输入...
- 万晶梁晓新
- 文献传递
- 基于GaAs HBT功率放大器效率提升技术被引量：4
- 2015年
- 针对GaAs HBT功率放大器件,提出了一种能够提升效率的方法,在分析了功率放大器的工作状态、自适应偏置电路的工作机制及功能缺陷、输出馈电对谐波分量的影响之后,通过改进输入、输出馈电方式,输入端在单一供电模式下能够方便地调整偏置状态,输出端馈电通路可同时将二次谐波短接到地,有效地提升该器件的功率附加效率。测试结果表明在不影响输出功率的前提下,效率可提升12.7%左右,而且电路形式简单,操作方便,能够广泛地应用到不同频段要求和不同输出功率的GaAs HBT功率放大器测试过程中。
- 杨敏杨敏万晶李跃华贲志红贲志红
- 关键词：GAHBT自适应偏置馈电方式
- 高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制被引量：3
- 2006年
- 在6H-SiC衬底上,外延生长了AlGaN/GaN HEMT结构,设计并实现了高性能1mm AlGaN/GaN微波功率HEMT,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长.测试表明,该1mm栅宽器件栅长为0.8μm,输出电流密度达到1.16A/mm,跨导为241mS/mm,击穿电压>80V,特征频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz.5.4GHz连续波测试下功率增益为14.2dB,输出功率达4.1W,脉冲条件测试下功率增益为14.4dB,输出功率为5.2W,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力.
- 罗卫军陈晓娟李成瞻刘新宇和致经魏珂梁晓新王晓亮
- 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管微波功率功率增益
- 放大装置和电子设备
- 本申请提供了一种放大装置和电子设备。该放大装置包括：信号输入端，用于输入信号；第一功分单元，包括至少一个第一功分器，第一功分单元按照第一预定功率比将信号分为多个第一子信号并分别输出；多个放大器，各放大器的输入端与第一功分...
- 李海华万晶梁晓新
- 文献传递
- 射频低噪声放大器提高三阶交截点方法探讨
- 2023年
- 随着现代通信技术的进步,特别是4G,5G等无线移动通信的高速发展,多正交振幅调制(QAM)等高频谱利用率的调制方式得到广泛应用,对无线通信系统提出了更高、更严格的线性要求。射频低噪声放大器(RF LNA)作为射频前端(RF FEM)的第1个有源器件,其非线性特征直接影响系统的信号质量和动态范围。以3阶交调为例,低噪声放大器需要足够的输入3阶交截点,以确保即使在强干扰信号下也能提供预期的性能。基于3阶非线性模型,该文简要分析了3阶交调的理论模型,梳理了提高3阶交截点的方法,归纳研究了近年来相关的研究成果与进展,并展望了未来的发展趋势。
- 赵巾翔汪峰于汉超王魁松张胜利梁晓新阎跃鹏
- 关键词：无线通信射频低噪声放大器高线性
- 基于变容管的0.5 GHz～1.2 GHz宽带可调谐功率放大器设计被引量：1
- 2018年
- 针对无线通信系统向多频、微型等方向发展的需求,基于负载牵引系统测试出的功率器件最大输出时的源阻抗和负载阻抗,采用基于变容管的频率调谐技术,输入输出匹配均采用可调谐匹配网络的形式,设计了一款在0.5 GHz^1.2 GHz内可宽带调谐的功率放大器。测试结果表明,该功率放大器频率调谐比达82.3%,且在调谐频率范围内1 dB压缩时的输出功率均大于32.1 dBm,增益大于10.1 dB,漏极效率大于38.4%。
- 王魁松丛密芳阎跃鹏梁晓新
- 关键词：功率放大器宽带可调谐变容管
- 射频微波器件频率可调谐的实现方法
- 2017年
- 主要介绍了射频微波器件频率可调谐的实现方法,即开关选频、变容器件调频和磁场调谐的方法。介绍了各方法的工作原理,重点分析了其研究现状及优缺点,并进行了综合对比,指出射频微波器件频率可调谐方法的发展方向。
- 王魁松阎跃鹏万晶梁晓新
- 关键词：开关
- 高频大功率GaN器件
- 吴德馨钱鹤刘新宇刘键郑英奎魏珂刘洪民王素琴王润梅王文泉汪宁陈晓娟武锦梁晓新杨成樾赵知夷
- 在国内率先建立了拥有自主知识产权和核心技术的2英寸GaN功率器件研制基地，在国产材料上实现的GaN功率器件处于国内领先水平，实现了GaN基高温高频大功率微电子材料和功率器件小批量供应，通过与中国科学院半导体研究所、中国科...
- 关键词：
- 关键词：GAN高频大功率
- 微波功率器件的扇形线测试电路(英文)被引量：3
- 2006年
- 在微波电路原理和半导体器件物理的基础上，设计和模拟了两种用于微波功率器件的测试电路，并且设计了与之配套的测试夹具．采用矢量网络分析仪对该测试电路和夹具在3-8GHz范围内进行了小信号测试．模拟和测试结果都表明，采用扇形线的测试电路性能较好．最后采用该电路和夹具对C波段AlGaN／GaN HEMT微波功率器件进行了微波功率测试，测试频率为5．4GHz．实验测得最大功率增益为8．75dB，最大输出功率为33．2dBm。
- 罗卫军陈晓娟梁晓新马晓琳刘新宇王晓亮
- 关键词：测试电路氮化镓高电子迁移率晶体管
