樊永良
- 作品数：54 被引量：49H指数：4
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术轻工技术与工程更多>>
- 三维SiGe量子点晶体的生长与光荧光特性
- 点晶体的概念是类比于原子晶体而得到的.即,将每个量子点看成一个“人工原子”,将由量子限制效应而产生的量子点局域化分立能级类比于原子能级,当量子点系综空间三维排列有序、量子点彼此近邻耦合、量子点尺寸高度均匀这三个条件被同时...
- 马英杰钟振扬杨新菊樊永良蒋最敏
- 关键词：SIGE分子束外延荧光谱
- Si1-xGex虚拟衬底上生长Mn0.05Ge0.95量子点的磁性研究
- 王利明刘桃林冬冬樊永良钟振扬蒋最敏
- GeSi量子点的微结构和能带排列
- 本文利用同步辐射光源对Si(001)衬底上自组织生长的单层和多层量子点的微结构进行了研究,利用掠入射X射线衍射结合常规X射线同时测量出量子点的组分和应变.
- 蒋最敏蒋伟荣施斌樊永良王迅
- 关键词：微结构
- 文献传递
- 锗催化生长的氧化硅纳米线及其制备方法
- 本发明属于纳米材料技术领域，具体为一种利用锗作为催化剂生长的氧化硅纳米线及其制备方法。采用本发明生长的氧化硅纳米线呈非晶态，其直径为20～30nm左右，长度达到数十微米。与以往报道的生长氧化硅纳米线不同，由于在生长过程中...
- 蒋最敏聂天晓樊永良钟振扬杨新菊张翔九
- 微区中MBE共度生长SiGe/Si异质结构的应变和退火效应
- 2007年
- 报道了在Si衬底上微米尺寸的介质膜窗口中,采用分子束外延技术共度生长的Si0.8Ge0.2薄膜的应变及其退火特性.实验表明,微区生长材料的这些特性,与同一衬底上无边界约束条件下生长的材料相比,有明显的不同.微米尺寸窗口中生长的SiGe/Si材料的应变与窗口尺寸有关,也和窗口的掩膜中的内应力有关.实验还表明,边缘效应对于微区中共度生长的SiGe/Si材料的热稳定性也有显著的影响.在3μm×3μm窗口中共度生长的Si0.8Ge0.2/Si异质结构材料,在950℃高温退火30min后,它的应变弛豫不大于4%.远小于同一衬底上非微区生长材料的应变弛豫.文章还对微区生长材料的这些特性成因进行了探讨.
- 杨鸿斌樊永良张翔九
- 关键词：SIGE位错分子束外延
- Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究
- 1991年
- 在Si(100)衬底上用分子束外延在不同的温度下生长了不同组份的Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格。用反射式高能电子衍射、X射线双晶衍射、卢瑟福背散射、透射电子显微镜以及Raman。散射等测试方法研究了Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格的生长及其结构特性。结果表明,对不同合金组份的超晶格,其最佳生长温度不同。x值小,生长温度高;反之,则要求生长温度低。对于x为0.1—0.6,在400—600℃的生长温度范围能够长成界面平整、晶格完好和周期均匀的Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格。
- 周国良盛篪樊永良蒋维栋俞鸣人
- 关键词：硅化锗超晶格分子束外延SI
- 量子点的形成对Si/Ge界面互扩散的影响
- 2002年
- 在Si(10 0 )衬底上低温生长了一层完全应变的Ge层 ,高温退火形成量子点 .我们用喇曼光谱研究了量子点形成时Si/Ge界面的互扩散现象 ,实验表明量子点的形成伴随着Si/Ge原子之间的互扩散 ,通常在Si衬底上形成的是SiGe合金量子点 ,而不是纯Ge量子点 .
- 周星飞施斌胡冬枝樊永良龚大卫蒋最敏
- 关键词：量子点分子束外延硅衬底喇曼光谱
- 在Ge和SiGe复合缓冲层上生长高质量Ge／Si超晶格被引量：3
- 1996年
- 利用Ｇｅ的三维生长特性和迅速弛豫，在Ｓｉ衬底上形成有一定高度的岛状Ｇｅ层，继续生长不到２００ｎｍＳｉＧｅ合金就可获得较高质量的缓冲层．这种很薄的缓冲层已用于生长Ｇｅ／Ｓｉ短周期超晶格．超晶格的优良性能表明Ｇｅ岛技术是生长配晶体的有效方法．薄的外延厚度和低的工艺温度与集成电路工艺是完全相容的．
- 盛篪周铁城龚大卫樊永良王建宝张翔九王迅
- 关键词：元素半导体锗SIGE合金硅超晶格
- 锗催化生长的氧化硅纳米线及其制备方法
- 本发明属于纳米材料技术领域，具体为一种利用锗作为催化剂生长的氧化硅纳米线及其制备方法。采用本发明生长的氧化硅纳米线呈非晶态，其直径为20～30nm左右，长度达到数十微米。与以往报道的生长氧化硅纳米线不同，由于在生长过程中...
- 蒋最敏聂天晓樊永良钟振扬杨新菊张翔九
- 文献传递
- 平面光延迟器的设计方法及结构
- 本发明属光通讯技术领域,具体为一种平面光延迟器的设计方法及结构。本发明根据光子晶体缺陷态之间相互耦合的理论,研究了缺陷层厚度和透射谱之间的关系,缺陷层之间的结构的周期数和透射谱之间的关系以及不同数量的缺陷对器件的性能所造...
- 刘坚施斌樊永良赵登涛蒋最敏王迅
- 文献传递
