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沈宏

作品数:3 被引量:10H指数:2
供职机构:上海交通大学材料科学与工程学院金属基复合材料国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市浦江人才计划项目上海市科委纳米专项基金更多>>
相关领域:金属学及工艺电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇电子封装
  • 3篇引线
  • 3篇引线框
  • 3篇引线框架
  • 3篇引线框架材料
  • 3篇铜合金
  • 3篇合金
  • 3篇封装
  • 2篇电镀
  • 2篇镀层
  • 2篇铜镀层
  • 1篇IC
  • 1篇表面电镀

机构

  • 3篇上海交通大学

作者

  • 3篇毛大立
  • 3篇沈宏
  • 3篇李明
  • 2篇王寿山
  • 2篇胡安民

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇上海交通大学...
  • 1篇2006上海...

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2006
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
铜镀层对IC引线框架表面抗氧化失效的作用被引量:4
2007年
研究了在铜合金表面电镀纯铜层保护膜对铜合金引线框架氧化失效的影响.研究发现,电镀纯铜层后,纯铜层氧化速率较高,氧化膜较厚,然而,由于纯铜层的阻挡作用,可以使氧化只发生在纯铜层上,减少CuO的生成.当铜合金表面的电镀纯铜层厚度超过一个临界值,表面电镀纯铜处理可以明显改善材料的耐氧化剥离性.表面电镀前的铜合金氧化膜结构为CuO/Cu2O/Cu.电镀纯铜层后,氧化膜结构变为Cu2O/Cu,当氧化膜主要由Cu2O构成时,氧化膜结合强度较高.
王寿山胡安民李明沈宏毛大立
关键词:引线框架材料铜合金电镀电子封装
铜镀层对IC引线框架表面抗氧化失效的作用
研究了在铜合金表面电镀纯铜层保护膜对铜合金引线框架氧化失效的影响.研究发现,电镀纯铜层后,纯铜层氧化速率较高,氧化膜较厚,然而,由于纯铜层的阻挡作用,可以使氧化只发生在纯铜层上,减少CuO的生成.当铜合金表面的电镀纯铜层...
王寿山胡安民李明沈宏毛大立
关键词:引线框架材料铜合金表面电镀电子封装
文献传递
IC铜合金引线框架材料的氧化失效及其机理被引量:7
2006年
通过氧化膜剥落实验发现,在相同条件下,EFTEC64T和C194两种材料的氧化膜与基底结合强度较高,不易剥离,而C5191和C7025两种材料则较差。通过AES对各铜合金材料氧化膜进一步的分析表明:铜合金材料氧化膜基本结构为CuO/Cu2O/Cu,且氧化膜的结合强度与CuO成分在氧化膜中所占比例有关,比例愈高则越易剥落。研究还发现:在氧化过程中,铜合金的某些微量元素会在氧化膜与基底的界面上发生富集偏析,这是导致氧化膜结合强度减弱的主要原因。
沈宏李明毛大立
关键词:引线框架材料铜合金电子封装
共1页<1>
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