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潘士宏

作品数:20 被引量:32H指数:3
供职机构:南开大学物理学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇会议论文

领域

  • 15篇理学
  • 7篇电子电信
  • 5篇机械工程

主题

  • 7篇折变
  • 6篇光折变
  • 4篇砷化镓
  • 4篇半导体
  • 4篇GAAS
  • 3篇调制
  • 3篇多量子阱
  • 3篇量子
  • 3篇光谱
  • 2篇电光
  • 2篇电光效应
  • 2篇应变层
  • 2篇晶体
  • 2篇光谱研究
  • 2篇光学
  • 2篇光折变晶体
  • 2篇光折变效应
  • 2篇非线性光学
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延

机构

  • 20篇南开大学
  • 7篇中国科学院
  • 2篇太原理工大学

作者

  • 20篇潘士宏
  • 9篇郭儒
  • 8篇李乙钢
  • 7篇张存洲
  • 5篇金鹏
  • 3篇梁基本
  • 2篇张光寅
  • 2篇李麓维
  • 2篇张世表
  • 2篇李秀燕
  • 1篇张子旸
  • 1篇刘峰奇
  • 1篇刘毅
  • 1篇王玉田
  • 1篇朱战平
  • 1篇李成明
  • 1篇杨小平
  • 1篇李瑞钢
  • 1篇庄岩
  • 1篇王占国

传媒

  • 7篇物理学报
  • 3篇Journa...
  • 2篇太原理工大学...
  • 2篇南开大学学报...
  • 1篇物理
  • 1篇中国激光
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第九届全国凝...

年份

  • 1篇2003
  • 4篇2001
  • 1篇2000
  • 3篇1999
  • 2篇1998
  • 2篇1997
  • 2篇1996
  • 2篇1995
  • 1篇1993
  • 2篇1992
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
光折变多量子阱光学寻址空间光调制器的理论分析被引量:3
1999年
利用瞬态二维输运模型,给出了半绝缘多量子阱光学寻址空间光调制器在纵向场几何的理论分析.建立了空间电荷场分量的偏微分方程和边值方程,并通过数值方法进行了求解.在推导方程中考虑了双极、各向异性输运和带边共振激发等因素.结果表明,在小光栅间距下横向场显著影响体电荷的分布,体电荷的分布效应又强烈影响器件的分辨率和时间响应.
李乙钢郭儒金鹏潘士宏
关键词:空间光调制器光折变多量子阱
增强的串级非线性被引量:1
2001年
介绍了 χ( 2 ) 串级非线性 .讨论了串级光克尔非线性和串级光折变非线性的增强机制 ,并指出二阶和三阶非线性的相互转化 。
郭儒李乙钢潘士宏
关键词:光折变效应非线性光学
Franz_Keldysh效应及其应用
潘士宏金鹏李乙钢张存洲郭儒
该项目实验上用SIN+结构,用光调制反射谱获得FKO是一组线形复杂的变周期的衰减振荡,它包含了轻、重空穴的贡献和因调制而引起的两个电场的影响。通过对FKO的理论和实验线形的富立叶变换进行了详细的研究发现富立叶变换谱的实部...
关键词:
串级非线性及其应用被引量:2
2001年
文章介绍了串级非线性概念 ,讨论了串级过程及其物理思想 。
郭儒李乙钢凌振芳潘士宏
关键词:非线性光学
应变层InGaAsP量子阱激光器结构的调制光谱研究被引量:3
2003年
利用光调制反射谱(PR)对1.55μm应变层InCaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡。利用Bastard包络函数方法和Kane模型从理论上计算了该应变层InGaAsP四元合金三量子阱内电子和空穴的能级和跃迁能量,计算结果与实验数据符合得很好,得到了In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.83)P_(0.17)与In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.525)P_(0.475)四元合金应变界面的导带不连续性。
金鹏李成明张子旸孟宪权徐波刘峰奇王占国李乙钢张存洲潘士宏
关键词:应变层
用Franz-Keldysh效应研究GaAs表面硫化学钝化被引量:1
1999年
硫钝化是一种比较有效的钝化GaAs 表面的方法.本文使用Na2S、S2Cl2 和CH3CSNH2三种化学试剂对表面本征层重掺杂层(sin+ )结构的GaAs 样品进行了钝化,利用光调制反射谱观察到许多个FranzKeldysh 振荡,测量出本征层的电场强度,研究了GaAs表面硫钝化前后费米能级的变化,并且比较了各种钝化方法的钝化效果.
廖友贵金鹏李乙钢张存洲潘士宏梁基本
关键词:砷化镓硫钝化半导体表面
掺杂分子束外延GaAs薄膜表面和GaAs-GaAs界面的光反射调制谱
1993年
报道了用光反射调制谱(PR)测量掺杂分子束外延GaAs薄膜表面和界面电场的结果。分别用He-Ne激光和He-Cd激光作调制光,由于它们的穿透深度不同,可以有效地区分来自表面和界面的PR信号。由PR谱推算出薄膜表面和界面的电场。研究了薄膜干涉效应对调制光谱的影响,对界面电场的成因进行了分析和讨论。
潘士宏王忠和黄硕张存洲周小川徐贵昌蒋健陈忠圭
关键词:砷化镓调制光谱学
CoSi_2薄膜电学性质研究
1999年
对厚度约为0.4μm的CoSi2多晶薄膜的电学性质进行了研究。在-200℃~20℃温度范围,测量了CoSi2薄膜的电阻率。室温下,电阻率为9~20μΩ·cm.随着温度的降低,电阻率减小,且表现出较好的直线性。
李秀燕李秀燕张世表李麓维
关键词:电阻率多晶薄膜电学性质
应变层In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱的光调制反射谱研究被引量:3
1992年
用光调制反射谱(PR)测量了三块应变层 In_xGa_(1-x)As/GaAs 量子阱多重结构样品,每块样品中包含宽度为140、80、50、30和20A的量子阱.在300K和77K的PR谱中观察到各个量子阱的11H和11L光跃迁.根据PR数据用包络函数法进行分析,估算了量子阱中In的成分.在解释300K和77K实验结果时考虑了流体静压形变势常数的温度依赖性.实验和理论最佳符合时求得导带边不连续性在300K为0.7,77K为0.66.
潘士宏刘毅张存洲张光寅冯巍周钧铭
关键词:应变层光调制反射谱
半导体量子阱的调制光谱研究
潘士宏
该项目主要是由中方选派中、青年物理学家到美国大学中有关教授的实验室工作。1986年潘士宏有机会参加这个项目到美国纽约市立大学布鲁克林学院物理系F.Pollak教授的实验室工作,用调制光谱研究半导体量子阱和超晶格。Poll...
关键词:
关键词:半导体量子阱
共2页<12>
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