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王平
作品数:
2
被引量:3
H指数:1
供职机构:
中国科学技术大学物理学院物理系
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
刘勇
中国科学技术大学物理学院物理系
楼立人
中国科学技术大学物理学院物理系
马义
中国科学技术大学物理学院物理系
夏上达
中国科学院
刘勇
中国科学院
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中国科学技术...
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中国科学院
作者
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夏上达
2篇
马义
2篇
楼立人
2篇
王平
2篇
刘勇
1篇
邝向军
1篇
尹民
1篇
刘勇
传媒
2篇
发光学报
年份
1篇
1998
1篇
1997
共
2
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关于第三代电致发光器件加速层的一些探讨
被引量:2
1997年
通过简化的三角势垒模型计算发现在第三代电致发光器件中,CdS层确实对提供初电子有利.用计入非晶效应的MonteCarlo方法进行模拟计算,证明非晶SiO2层比ZnS层有更好的加速作用,从而有利于提高器件蓝红比.
刘勇
刘勇
王平
楼立人
马义
关键词:
电致发光器件
硫化镉
薄膜电致发光器件SiO_2加速层的电子输运性质
被引量:1
1998年
考虑了非晶效应和非晶无序弹性散射的影响,通过MonteCarlo方法模拟电子在薄膜电致发光器件(TFEL)的SiO2加速层的散射过程,从理论上描述了SiO2层的加速作用与电流倍增效应,获得了电子平均能量与场强的关系曲线、电离率、电流倍增因子。
马义
邝向军
刘勇
王平
尹民
楼立人
夏上达
关键词:
电致发光器件
电离率
二氧化硅
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