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王海玲

作品数：46 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 44篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 17篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 39篇激光
  • 36篇激光器
  • 26篇波导
  • 16篇光子
  • 14篇晶体
  • 12篇光子晶体
  • 12篇硅波导
  • 11篇单模
  • 10篇发散角
  • 8篇发射激光器
  • 7篇调谐
  • 7篇可调
  • 7篇可调谐
  • 7篇边发射
  • 6篇单模激光
  • 6篇单模激光器
  • 6篇阵列
  • 6篇光栅
  • 6篇半导体
  • 6篇半导体激光

机构

  • 46篇中国科学院

作者

  • 46篇郑婉华
  • 46篇王海玲
  • 25篇渠红伟
  • 17篇张冶金
  • 12篇马绍栋
  • 12篇刘磊
  • 9篇张建心
  • 8篇齐爱谊
  • 6篇石岩
  • 5篇彭红玲
  • 5篇王宇飞
  • 4篇刘安金
  • 3篇周文君
  • 3篇陈微
  • 2篇范学东
  • 2篇马传龙
  • 2篇冯朋
  • 1篇付非亚
  • 1篇李晶
  • 1篇陈良惠

传媒

  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 4篇2023
  • 4篇2022
  • 3篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 11篇2013
  • 4篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2009
共 46 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于倾斜光束边发射激光器的硅波导输出面上光源装置
本发明公开了一种基于倾斜光束边发射激光器的硅波导输出面上光源装置，适用于硅基光子集成芯片的光源部分。该面上光源装置包括硅基耦合光栅部分和III-V族倾斜光束边发射激光器部分，其中硅基部分采用SOI材料，其上分布着布拉格光...
张冶金渠红伟王海玲张斯日古楞郑婉华
一种半导体激光器及其制备方法
本公开提供了一种半导体激光器，包括：依次生长在衬底上的第一限制层、有源层、第二限制层及波导层，其中，波导层上表面部分刻蚀形成主振荡结构，另一部分刻蚀形成功率放大结构，其中，主振荡结构与功率放大结构之间设置电隔离区，主振荡...
郑婉华李晶王海玲渠红伟
基横模低水平发散角一维啁啾光子晶体边发射激光器阵列
本发明公开了一种基横模低水平发散角一维啁啾光子晶体边发射激光器阵列，包括：N型衬底；形成于该N型衬底之上的N型缓冲层；形成于该N型缓冲层之上的N型限制层；形成于该N型限制层之上的有源层；形成于该有源层之上的P型限制层；以...
郑婉华刘磊张斯日古楞渠红伟王海玲
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镓锑基中红外圆斑输出低发散角边发射光子晶体激光器
本发明提供了一种镓锑基中红外圆斑输出低发散角边发射光子晶体激光器，包括：n型衬底；沉积于n型衬底背面的n型电极；依次沉积于n型衬底正面的一维光子晶体、下波导层、有源层、上波导层、p型盖层、脊形条波导和p型电极。其中，脊形...
郑婉华王海玲刘磊张建心张斯日古楞渠红伟张冶金
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基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器
一种基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底上制作有N型纵向微纳周期结构、N型下波导层、有源区、P型上波导层和P型上限制层，该P型上限制层纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的两侧为整体结构，一...
渠红伟郑婉华张冶金张建心刘磊齐爱谊王海玲马绍栋石岩
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一种硅波导输出激光器
本发明公开了一种硅波导输出激光器，包括：III‑V族有源结构，用于生成所述激光器的光源，所述III‑V族有源结构包括：隧道结层，用于形成反向隧穿电流通道；N型衬底，设置于所述隧道结层上表面；P型层，设置于所述隧道结层下表...
郑婉华石涛王海玲孟然哲王明金彭红玲齐爱谊
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圆斑输出低发散角边发射光子晶体激光器及复合波导装置
本发明公开了一种用于改善边发射激光器二维远场形貌的光子晶体复合波导装置，该结构由平行于异质节方向的脊波导结构和垂直于异质节方向非对称的光子晶体结构组合构成，两者结合来实现激光器的低发散角和圆斑输出。垂直方向结构从下至上依...
郑婉华张建心刘磊渠红伟张斯日古楞王海玲
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基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器
一种基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底上制作有N型纵向微纳周期结构、N型下波导层、有源区、P型上波导层和P型上限制层，该P型上限制层纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的两侧为整体结构，一...
渠红伟郑婉华张冶金张建心刘磊齐爱谊王海玲马绍栋石岩
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硅基混合集成激光器阵列及其制备方法
本发明公开了一种硅基混合集成激光器阵列及其制备方法。硅基混合集成激光器阵列包括：制作在SOI基底和III‑V半导体外延层上的多个平行排布的硅基混合集成激光器；其中，每个硅基混合集成激光器包括：硅脊波导；导热层，位于硅脊波...
郑婉华王海玲王明金石涛孟然哲
基于共面电极配置的倏逝波耦合硅基激光器及其制备方法
本公开提供了一种基于共面电极配置的倏逝波耦合硅基激光器及其制备方法，该激光器包括：III‑V族或IV族化合物半导体激光器(1)，用于产生激光，SOI波导结构(2)，用于输出激光；其中，III‑V族或IV族化合物半导体激光...
郑婉华石涛孟然哲王海玲
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