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王鼎

作品数:2 被引量:10H指数:2
供职机构:长沙理工大学物理与电子科学学院更多>>
发文基金:湖南省重点学科建设项目湖南省高校科技创新团队支持计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇石墨烯纳米带
  • 2篇自旋
  • 2篇自旋极化
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米带
  • 1篇电磁性质
  • 1篇输运
  • 1篇输运性质
  • 1篇排线
  • 1篇线缺陷
  • 1篇BN
  • 1篇掺杂
  • 1篇磁学
  • 1篇磁学特性

机构

  • 2篇长沙理工大学

作者

  • 2篇王鼎
  • 1篇张华林
  • 1篇范志强
  • 1篇邓小清
  • 1篇孙琳
  • 1篇张振华

传媒

  • 2篇物理学报

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
含单排线缺陷锯齿型石墨烯纳米带的电磁性质被引量:6
2016年
基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了含单排线缺陷锯齿型石墨烯纳米带(ZGNR)的电磁性质,主要计算了该缺陷处于不同位置时的能带结构、透射谱、自旋极化电荷密度、总能以及布洛赫态.研究表明,含单排线缺陷的ZGNR和无缺陷的ZGNR在非磁性态和铁磁态下都为金属.虽然都为金属,但其呈金属性的成因有差异.在反铁磁态下,单排线缺陷越靠近ZGNR的边缘,对ZGNR电磁性质的影响越明显,缺陷由ZGNR对称轴线向边缘移动过程中,含单排线缺陷的ZGNR有一个半导体-半金属-金属的相变过程.虽然线缺陷靠近中线的ZGNR为半导体,但由于缺陷引入新的能带,导致含单排线缺陷的ZGNR的带隙小于无缺陷ZGNR的带隙.单排线缺陷紧邻边界时,含缺陷ZGNR最稳定;单排线缺陷位于次近邻边界位置时,含缺陷ZGNR最不稳定.在反铁磁态下,对单排线缺陷位于对称轴线的ZGNR施加适当的横向电场,可以实现半导体到半金属的转变.这些研究结果对于发展基于石墨烯的纳米电子器件有重要的意义.
张华林孙琳王鼎
关键词:石墨烯纳米带线缺陷自旋极化
BN链掺杂的石墨烯纳米带的电学及磁学特性被引量:6
2013年
基于密度泛函理论第一性原理系统研究了BN链掺杂石墨烯纳米带(GNRs)的电学及磁学特性,对锯齿型石墨烯纳米带(ZGNRs)分非磁态(NM)、反铁磁态(AFM)及铁磁性(FM)三种情况分别进行考虑.重点研究了单个BN链掺杂的位置效应.计算发现:BN链掺杂扶手椅型石墨烯纳米带(AGNRs)能使带隙增加,不同位置的掺杂,能使其成为带隙丰富的半导体.BN链掺杂非磁态ZGNR的不同位置,其金属性均降低,并能出现准金属的情况;BN链掺杂反铁磁态ZGNR,能使其从半导体变为金属或半金属(half-metal),这取决于掺杂的位置;BN链掺杂铁磁态ZGNR,其金属性保持不变,与掺杂位置无关.这些结果表明:BN链掺杂能有效调控石墨烯纳米带的电子结构,并形成丰富的电学及磁学特性,这对于发展各种类型的石墨烯基纳米电子器件有重要意义.
王鼎张振华邓小清范志强
关键词:石墨烯纳米带输运性质自旋极化
共1页<1>
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