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童志深

作品数：9 被引量：13H指数：2
供职机构：中国纺织大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学金属学及工艺一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 6篇理学
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇等离子体聚合
  • 5篇离子
  • 4篇聚合膜
  • 3篇等离子体
  • 3篇离子注入
  • 2篇等离子体聚合...
  • 2篇电阻率
  • 2篇改性
  • 2篇苯胺
  • 2篇I
  • 1篇导电性能
  • 1篇多层结构
  • 1篇多晶
  • 1篇形变
  • 1篇亚胺
  • 1篇有机膜
  • 1篇正电子
  • 1篇正电子湮没
  • 1篇吡咯
  • 1篇噻吩

机构

  • 8篇中国纺织大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇兰州大学
  • 1篇中国科学院近...

作者

  • 9篇童志深
  • 8篇吴美珍
  • 6篇浦天舒
  • 3篇金若鹏
  • 3篇张铮扬
  • 2篇张菁
  • 2篇周馥
  • 1篇曹建清
  • 1篇彭栋梁
  • 1篇王天民
  • 1篇朱德彰
  • 1篇曹德新
  • 1篇朱福英
  • 1篇张强
  • 1篇金运范
  • 1篇张铮杨
  • 1篇刘惠珍
  • 1篇王树芬
  • 1篇丁九龙

传媒

  • 4篇高分子材料科...
  • 2篇物理学报
  • 1篇科学通报
  • 1篇纺织基础科学...
  • 1篇中国纺织大学...

年份

  • 1篇1999
  • 2篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1990
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
聚酰亚胺的导电性能及其与铝的离子束混合研究
1993年
研究了150 keV Kr^+离子注入对聚酰亚胺(PI)导电性能的影响。发现 PI 样品注入 Kr^+离子后的室温电阻率比注入 Kr^+前降低约16个数量级。用范德堡法测量了193K至293K 温度范围内的电传导行为,对损伤层内的电传导机理进行了讨论。以150keV Kr^+轰击 Al/PI 双层薄膜系统。用背散射分析及误差函数拟合法对实验结果进行拟合计算,得到了 Al 在 PI 中的深度混合扩展量。
童志深吴美珍丁九龙
关键词：离子束电阻率聚酰亚胺
9Cr18不锈钢的N^+注入表面改性及其物相分析
1990年
不同含碳量的碳钢、低合金钢和含碳量低的不锈钢的N^+注入改性及对注入层的物相分析近年来进行了不少工作。内转换电子穆斯堡尔谱(Conversion Electron Mssbauer Spectroscopy,CEMS)是研究铁基合金N^+注入层内氮和铁键合的化学态的有效方法。
吴美珍童志深张强金运范王树芬
关键词：不锈钢离子注入物相改性
等离子体苯胺聚合膜离子注入层的电阻率
1997年
等离子体苯胺聚合膜经１００ｋｅＶ，５×１０１５Ａｒ＋／ｃｍ２或２４ｋｅＶ，１×１０１６Ｉ＋／ｃｍ２离子注入后，室温电阻率下降１２个数量级。用范德堡（Ｖａｎ－ｄｅｒ－Ｐａｕｗ）法在１７３Ｋ～３０３Ｋ温度范围内，测量了温度对注入层体电阻率的影响。实验表明，注入层内电荷载流子的输运过程可用Ｍｏｔ的可变自由程跳跃（ＶＲＨ）模型给以解释。根据此ＶＲＨ理论得到Ｆｅｒｍｉ能级处的态密度及电荷载流子最可能的跳跃距离。
张铮杨吴美珍浦天舒童志深
关键词：等离子体聚合离子注入电阻率苯胺聚合膜
等离子体聚合有机膜的离子注入改性
1994年
以苯胺为单体在等离子体条件下进行聚合，测量所合成的有机膜经１００ｋｅＶ、５×１０１５ｃｍ￣（－２）Ａｒ￣＋注入后电阻率的变化，并用ＦＴＩＲ、ＸＰＳ和核分析方法对离子注入引起的结构和成分改变进行了探讨。结果表明，在等离子体环境下，聚合膜内仍含有大量环结构。由于Ａｒ￣＋的注入，聚合膜表面损伤而碳化，使注入层内的体电阻率降低１１个数量级。
童志深周馥吴美珍浦天舒刘惠珍
关键词：等离子体离子注入改性
吡咯等离子体聚合膜及其注I^+层的复数折射率计算
1999年
以能量20keV、剂量1×10^(16)Ⅰ^(+)·cm^(-2)的Ⅰ^+离子束,辐照吡咯等离子体聚合膜,此表面注Ⅰ^(+)层的电导率可提高11个量级.从光的反射和透射谱(频率范围:紫外——可见光——近红外),应用传递矩阵方法,求得原始膜和注Ⅰ^+层的复数折射率,并在此光学研究的基础上,获取其能量损失函数的信息.
浦天舒张铮扬吴美珍童志深
关键词：等离子体聚合
苯胺等离子体聚合膜的光学常数被引量：1
1995年
应用传递矩阵方法，从光强反射率和透射率得到苯胺等离子体聚合膜的复数折射率和复数介电函数。在０．５μｍ～２．５μｍ波长范围内，膜的折射率ｎｆ不随波长明显变化，其最佳值为１．６５±０．０５。由复数介电函数的虚部得到膜的光学能隙为１．８ｅｖ，与从吸收谱得到的结果（Ｅ０＝１．７６ｅｖ）基本一致。
浦天舒童志深吴美珍金若鹏周馥
关键词：苯胺等离子体聚合膜光学常数
形变充氢多晶纯钴中缺陷的正电子湮没研究被引量：2
1992年
用正电子寿命和多普勒线形参数测量技术,研究了形变和形变充氢多晶钴试样的缺陷性质及其回复行为。观察到形变样品阴极充氢后,氢致缺陷为一定量的位错和空位以及少量的空位团。没有观察到微空洞和微裂纹的产生。单空位的回复温度范围为73—260℃,位错和空位团的退火发生在350—670℃温度范围。测得空位的迁移激活能为E_v^m=1.09±0.07eV。
彭栋梁王天民童志深
关键词：氢正电子湮没
多层结构中有机薄膜吸收系数的计算被引量：4
1997年
固体膜对光的吸收系数是一个重要的物理量，布格尔－朗伯（Ｂｏｕｇｕｅｒ－Ｌａｍｂｅｒｔ）定律仅适用于无界面影响的内透射情况。从光的反射和透射谱，运用传递矩阵方法，通过光学常数的计算，可以得到吸收系数的正确值。文中将由此得到的等离子体吡咯聚合膜（双层结构）及其１００ｋｅＶＡｒ＋辐照层（三层结构）的吸收系数与由布格尔－朗伯定律直接得到的值进行比较，以了解由界面引起的误差。
浦天舒张菁吴美珍张铮扬金若鹏童志深
关键词：等离子体聚合光吸收
等离子体噻吩聚合膜的研究及I^+注入的掺杂效应被引量：6
1996年
以噻吩为单体,在等离子体环境中聚合成致密的有机膜。利用Rutherford背散射(RB2S)和质子弹性反冲(ERD)、傅里叶红外谱(FTIR)测定了膜的成分和结构;从近红外-可见-紫外光的反射和透射谱,运用传递矩阵方法研究了膜的光学性质;此外,还探讨了24keV的I^+离子束的注入对等离子体噻吩聚合膜的掺杂效应。结果表明,注入层内电荷载流子的输运机理可用Mott的可变自由程跳跃(VRH)理论给以解释。
童志深吴美珍张铮扬浦天舒金若鹏张菁朱福英曹德新曹建清朱德彰
关键词：噻吩聚合膜
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