耿胜利
- 作品数：12 被引量：9H指数：2
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- 发文基金：博士科研启动基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术理学电气工程更多>>
- 热处理对溅射FeSiAl膜结构及磁性的影响被引量：1
- 1997年
- 在真空度10－2Pa以上的条件下对溅射FeSiAl膜进行了两小时真空退火热处理。发现样品的相结构并未因此而改变，但热处理过程中的晶粒长大和应力消除明显改善了溅射膜的软磁性能。另外，退火FeSiAl膜的有效磁导率μeff直到10．5MHz都没有出现下降趋势，表现出优良的高频性能。
- 肖春涛耿胜利刘建中杨正
- 关键词：真空退火磁性能磁头材料
- 钡铁氧体磁粉颗粒大小的评定
- 1993年
- 一、前言近年来钡铁氧体磁粉的研究及应用引起了人们极大的兴趣。现已用来制备高密度软磁盘(3.5in,4MB),专业用Hi8mm录像带及数字录音带(DAT)。与目前广泛使用的各种氧化铁磁粉相比,片状钡铁氧体磁粉的尺寸更小。
- 耿胜利赵俊慧杨正
- 关键词：衍射仪高斯函数
- BaFe12-xCoxTixO19磁粉的研究
- 1前言研究表明,Co—Ti置换的片状钡铁氧体微粉的涂布介质具有优异的高密度记录特性,也是垂直磁记录技术实用化的开端。因为涂布设备及制备技术均已成熟,实用化进程比较快,日本的东芝等六、七个公司均已研制出高密度钡铁氧体软磁盘...
- 杨正刘建中耿胜利韩德华
- 文献传递
- SrFe_(12)-O_(19)微粉生成过程的研究
- 1989年
- 用玻璃陶瓷法从SrCO_3-F_2O_3-SiO_2-F_2O_3非晶薄片中制备了锶铁氧体片状微粒。用差热分析和X-射线结构分析,研究了上述玻璃体在晶化过程中各种相的生成及转变。发现晶化过程中相组成很复杂,有五种相生成。625℃晶化时,析出SrFe_2O_4相,其含量随晶化温度的提高而逐步减少,在750℃保温10小时后完全消失。在700℃晶化时,又有SrFe_12O_10及X-相两个相生成。X-相的含量在700～750℃之间随温度的升高而增加,当温度超过750℃时,逐渐减少。SrFe_12O_19的含量随温度的升高而增大。在750～800℃又析出Sr_2-FeS_2O_7和S_(12)SrO_4两个相,其含量较少。用酸洗的方法从母体中分离出SrFe_12O_19微粉。电镜观察表明,微粒呈片状。当平均直径D=0.3μm,厚度t=0.1μm时,其比磁化强度C_10=641×10^(-7)Wb·m/kg(51emu/g),矫顽力_MHc=511kA/m(6400Oe)。
- 耿胜利刘建中郊保才杨正
- 关键词：晶化过程锶铁氧体差热分析玻璃陶瓷永磁材料
- CoCr合金薄膜厚度对其结构及磁性的影响
- 1994年
- 本文用射频磁控溅射法制备了厚度20～600nm的CoCr合金薄膜。研究了薄膜厚度tm对薄膜结构和磁特性的影响。薄膜生长的初生阶段，存在着一个非晶、混乱取向的动生层。垂直磁各向异性变差的原因是薄膜还没有形成hcp结构。随CoCr薄膜厚度tm的增加，垂直磁特性变好。
- 阎明朗耿胜利杨正
- 关键词：薄膜厚度COCR合金薄膜磁特性薄膜生长射频磁控溅射法
- 溅射FeZrN薄膜的结构和磁性能被引量：2
- 1996年
- 用射频溅射法在Ar＋N2混和气氛中制备了FeZrN膜，研究了制备条件及退火温度对样品结构及磁性能的影响。样品膜均由（110）取向的α-Fe小晶粒组成。Zr的添加有效地抑制了FeZrN膜中Fe4N相的生成，而Zr和N的加入不仅有利于减小晶粒尺寸，而且能抑制非磁性初生层的生长，改善了软磁性能的热稳定性。
- 耿胜利肖春涛杨正
- 关键词：磁记录射频溅射
- 微晶FeTaN薄膜的结构及磁性研究
- 1997年
- 用射频溅射法在Ar＋N2混和气氛中制备了Fe90Ta10－N膜，发现Ta的添加改善了磁性能的热稳定性，而且对Fe4N相的生成有明显的抑制作用。另一方面，Ta的加入在Fe晶格中造成了较大的晶格膨胀，使α－Fe（110）面内的总各向异性能变得很大，以致于不能获得很低的矫顽力。
- 肖春涛耿胜利刘建中杨正
- 关键词：磁性能磁记录技术软磁材料
- 钡铁氧体超微磁粉颗粒的表面磁特性被引量：3
- 1997年
- 用玻璃晶化法经改善制备工艺得到了ＣｏＳｎ、ＣｏＴｉ置换型钡铁氧体超微磁粉，通过分析饱和磁化强度与比表面积间的关系，得出了它们之间的经验公式，并估算出颗粒表面非磁性层厚度在１ｎｍ左右．
- 司新文刘建中杨正耿胜利
- 关键词：钡铁氧体
- 反应溅射法制备的软磁铁氮膜
- 1996年
- 用反应溅射法在Ar＋N2混合气氛中制备了软磁性铁氮膜，并对样品进行了真空退火热处理。考察了制备条件和热处理对铁氮膜的微结构和软磁性能的影响。发现氮气的加入导致了晶粒尺寸减小和软磁性能改善。
- 肖春涛韩建平耿胜利杨正陈子瑜
- 关键词：磁头反应溅射
- 溅射FeSiAl合金薄膜的结构及软磁性能被引量：3
- 1997年
- Ｓｅｎｄｕｓｔ合金是制做薄膜磁头和ＭＩＧ磁头的理想材料，本工作用射频溅射法制备了Ｓｅｎｄｕｓｔ成分的ＦｅＳｉＡｌ合金薄膜，研究了制备条件对膜结构和软磁性能的影响，并对其机理进行了讨论。发现只有在适当的阳极电压范围（４．２～４．４ｋＶ）和基板温度（２５０℃）下才能制备出结晶完善的样品，从而获得良好的软磁性能。
- 耿胜利肖春涛杨正
- 关键词：射频溅射软磁合金软磁性能
