胡新文
- 作品数:4 被引量:4H指数:1
- 供职机构:武汉大学物理科学与技术学院物理系更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信更多>>
- γ辐照InP的正电子湮没研究
- 1996年
- 用^(60)Co γ辐照对3种导电类型(P、N、SI)和不同掺杂浓度的InP晶体进行辐照,辐照剂量分别为10~3GY,10~4GY,10~5GY。在室温下测量了样品辐照前后的正电子寿命,发现随着辐照剂量的增加,正电子平均寿命基本不变或呈减小趋势,一方面是由于γ辐照使晶体内原子发生电离,导致晶体内空位型缺陷的电荷态发生变化,缺陷的负电性增加。另一方面γ辐照在晶体内产生缺陷,但大多数缺陷在正电子寿命测量前已在室温下退火,表明InP晶体具有较强的抗辐照能力。
- 马莉李世清陈志权胡新文鄢和平
- 关键词:Γ辐照正电子寿命电荷态磷化铟
- 用正电子湮没方法鉴别InP半导体中的缺陷被引量:4
- 1998年
- 本文测量了各种InP样品中的正电子寿命谱,用正电子湮没率连续分布测量(CON-TIN分析)结合PATFIT分析正电子寿命谱,肯定了在n型和半绝缘型InP中有In空位VIn和P空位VP,而在p型InP中只观察到In空位VIn.正电子寿命的温度关系表明所观察到的n型和半绝缘型中的VIn和VP以及p型InP中的VIn均为电中性.改进了常规的多普勒展宽谱仪.利用这一谱仪测量了n型及半绝缘型InP的多普勒展宽谱,结合正电子寿命测量结果。
- 陈志权胡新文王少阶
- 关键词:磷化铟正电子湮没
- 半导体InP的高能重离子辐照效应研究
- 1998年
- 本文利用500MeV的Ne离子对掺Zn的InP的半导体进行了辐照,并且MonteCarlo模拟及正电子湮没技术研究了辐照产生的缺陷.模拟计算结果表明,注入的Ne的离子及辐照产生的缺陷均主要集中在离子射程末端,由正电子寿命测量结果可知,在低剂量辐照时,产生的空位为单空位,当辐照齐量增大时,单空位由于相互聚合变成双空位及空位团,随着剂量进一步增大,还会形成无序的非晶层.
- 胡新文王少阶陈志权李世清侯民东
- 关键词:磷化铟辐照
- III-V族化合物半导体材料的高能重离子辐照效应
- 1998年
- 用高能(500MeV)Ne离子束对GaAs和InP进行了辐照,用MonteCarlo模拟、正电子湮没谱学以及红外光谱研究了辐照产生的缺陷特性.结果表明,在未辐照的样品中存在单空位,经辐照后,可在样品中产生单空位;当剂量较大时,还会形成双空位甚至尺寸较大的空洞.红外光谱测量发现,在辐照后的GaAs样品中有非晶区形成.此外,辐照在样品中还产生了反位缺陷GaAs和InP以及受主杂质ZnIn.对经1014ions/cm2剂量辐照的InP进行了光学实验,在辐照后的InP材料中发现了亚稳态中心.
- 陈志权李世清王柱胡新文王少阶侯明东
- 关键词:正电子湮没辐照效应砷化镓磷化铟