苏蓉
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于有限元分析的集成电路瞬态热模拟被引量：2
- 2010年
- 结合EDA软件Cadence及目前常用的有限元分析软件ANSYS模拟了芯片的瞬态热效应.将从电路仿真软件中得到的电学参数作为ANSYS软件的载荷,加载到从ANSYS中建立的热模型上,对芯片的瞬态工作状态进行了热仿真,模拟芯片工作时的瞬态温度分布.针对一个简单集成电路进行芯片级的瞬态热分析,通过调整热载荷脉冲时间得到了此电路的热时间常数;模拟了同一频率不同占空比下电路的热响应情况;模拟了相同时间、相同占空比、不同频率下电路的热响应情况.
- 苏蓉郭春生冯士维张斌张光沉
- 关键词：集成电路
- 大电流密度下欧姆接触退化机理的研究被引量：1
- 2009年
- 对大电流密度下欧姆接触的结构进行了改进,采用只对接触区域老化而其它区域非破坏性的结构特点,保证测量数据的真实有效性。工艺制备中采取多次SiO2铺垫多次光刻技术解决了引线电极断裂的可能。通过施加达到或超过105A/cm2电流密度,利用文中结构测得比接触电阻早期快速失效,且随电流密度增加退化加剧,对样品老化前后进行能谱分析得知,大电流密度下接触层中Al离子发生了扩散从而破坏了良好接触。
- 张跃宗冯士维郭春生张光沉庄四祥苏蓉白云霞吕长志
- 关键词：大电流密度欧姆接触比接触电阻
- 基于有限元方法的集成电路热分析
- 随着CMOS的特征尺寸已经进入了深亚微米阶段，其元器件密度、工作速度以及集成电路规模逐渐增加，集成电路的能耗密度越来越大，导致片上温度越来越高。集成电路的功耗密度和工作温度的提高必然使得集成电路中的热问题也越来越突出，造...
- 苏蓉
- 关键词：放大电路有限元方法集成电路
- 文献传递
- 探测器中扩散结深对光响应度影响的研究被引量：1
- 2008年
- 研究了InGaAs/InP PIN探测器中扩散结深对光响应度的影响,对不同扩散条件下的光电探测器进行了对比实验,测量了不同结深下器件的I-V特性和光响应度。结果表明:扩散结深对器件的I-V特性影响不大,而对光响应度影响很大,当结深处在InGaAs吸收层上表面时,光响应度最大值出现在波长1.55μm处;而当结深进入衬底InP层后,光响应度最大值则出现在波长1μm处。另外,在闭管扩散实验中,严格控制温度和扩散时间是控制结深的关键,研究了不同扩散温度和扩散时间下的结深,为器件的制备提供了参考。
- 庄四祥冯士维王承栋白云霞苏蓉孟海杰
- 关键词：探测器光响应度INGAAS/INP结深
