范叔平
- 作品数：20 被引量：36H指数：3
- 供职机构：苏州大学物理科学与技术学院（能源学院）物理学系更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划江苏省教委自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术电子电信金属学及工艺更多>>
- 前驱气体CH_4、N_2的流量比对CH_x膜Raman谱的影响
- 1998年
- 沉积在Ｓｉ（１００）基片上的ＣＮｘ膜是用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＷＰＣＶＤ）制备的。本文着重探讨了ＣＨ４、Ｎ２的流量比对ＣＮｘ膜的Ｒａｍａｎ谱的影响，并采用了Ｘ－射线光电子能谱（ＸＰＳ）方法分析了ＣＮｘ膜的化学状态。
- 辛煜范叔平狄国庆沈明荣甘肇强
- 关键词：拉曼光谱CVD
- 偏压对多弧离子镀TiN膜层的影响被引量：15
- 1997年
- 主要运用多弧离子镀技术研究了偏压对不锈钢基片上镀制的TiN膜层的影响,运用扫描电子显微镜(SEM),X-射线衍射仪(XRD)和附着力测定仪研究了膜表面的钛滴、针孔、膜的取向和临界载荷等性能。结果表明:低偏压下膜表面的针孔密度较小,高偏压下钛滴趋于细化。划痕试验表明:在150～200V偏压下膜层的临界载荷最佳。
- 辛煜范叔平宁兆元杨礼富薛青金宗明
- 关键词：多弧离子镀喷镀氮化钛离子镀偏压
- 红外椭圆偏振光谱研究Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)材料的禁带宽度被引量：2
- 2000年
- 采用红外椭圆偏振光谱研究了与 Ga Sb衬底近晶格匹配的不同组分 Gax In1 - x Asy Sb1 - y样品位于禁带宽度能量位置之上、附近和之下的室温折射率光谱 .根据禁带宽度能量位置附近的折射率增强效应确定了 Gax In1 - x Asy Sb1 - y样品的禁带宽度 ,并发现在组分 x=0 .2～ 0 .3之间禁带宽度随组分 x近似于线性变化 .
- 梁帮立夏冠群黄志明范叔平褚君浩
- 关键词：半导体材料禁带宽度
- HT-6M外差式毫米波反射仪的研制被引量：1
- 2000年
- 报道了用于测量核聚变等离子体密度的毫米波反射仪 ,实验表明其空间分辨能力 :横向绝对分辨率 ΔRp=0 .7cm ,相对分辨率δRp=1.0 8% ,纵向绝对分辨率ΔLt=0 .832 cm,相对分辨率δLt=0 .943% ,时间分辨率～ 10μs,测量灵敏度为 Δγc=0 .79cm,相对测量灵敏度 δγc=1.2 2 % ,能满足实验要求 .
- 张劲松范叔平罗家融曹永军
- 关键词：毫米波聚变等离子体
- 微波等离子体化学汽相沉积法沉积CN_x膜的研究被引量：2
- 1998年
- 对用微波等离子体化学汽相沉积法沉积在Ｓｉ基片上的ＣＮｘ膜分别进行Ｒａｍａｎ散射、Ｘ射线光电子能谱、Ｘ射线衍射和扫描电子显微镜等技术的分析与测试．Ｒａｍａｎ散射的研究结果表明在ＣＨ４与Ｎ２的流量比低于１∶８时，ＣＮｘ膜的散射谱中以非晶石墨峰的形式出现．当流量比为１∶８时，则表现为较尖锐的Ｃ≡Ｎ键（２１９０ｃｍ－１）的特征峰；从Ｘ射线光电子能谱的分析结果可以看出Ｃ，Ｎ成键的方式主要是Ｃ≡Ｎ键和Ｃ—Ｎ键，但Ｘ射线衍射谱中并没有对应于βＣ３Ｎ４相的衍射峰出现；气压对膜的沉积速率有影响．
- 辛煜范叔平狄国庆沈明荣甘肇强
- 关键词：MWPCVD微波等离子体CVD
- HT-6M抽气限制器的设计及实验
- 1994年
- 对托卡马克抽气限制器的原理以及设计原则进行了详细论述。对抽气限制器及等离子体行为的影响、边界粒子排灰效率进行了论述和计算，设计出一个小而灵活的HT-6M抽气限制器，并在装置上进行了初步的物理实验。明显地观测到等离子体参数的改善，密度极限从2.4×1013／cm3上升到2.8×1013／cm3。等离子体能量及粒子约束时间都得到改善，从而证明抽气限制器是个非常有效的粒子控制部件。
- 钱潮李建刚罗南昌孟月东罗家融范叔平龚先祖林必利李成富毛心桥辜学茂
- 关键词：托卡马克装置
- Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)材料的光学常数被引量：2
- 2001年
- 报导了用红外椭圆偏振光谱测定的不同组分 GaxIn1－ xAsySb1－ y材料室温光学常数（ n和α） ,并且实验观察到明显的折射率增强效应 ,发现组分在 x=0.2～ 0.3之间折射率峰值随组分 x近似于线性变化。
- 梁帮立夏冠群范叔平郑燕兰
- 关键词：光学常数室温光电子材料
- 低掺铝TiN薄膜的XPS，XRD分析研究被引量：1
- 1996年
- 本文用多弧离子镀方法制备了Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ（ｘ＜０．３）薄膜，并且运用俄歇电子能谱（ＡＥＳ），Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）等技术对Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ进行测试和分析。结果表明：膜层中除含Ａｌ、Ｔｉ、Ｎ元素外，还出现了一定量的氧；薄膜呈现了（１１１）、（２２２）等晶面的择优取向；薄膜与基底间的附着力较好。
- 辛煜宁兆元金宗明薛青薛青
- 关键词：XPSXRD
- C_2H_2/N_2流量比对沉积Ti(C,N)薄膜影响的研究被引量：1
- 1997年
- 以C2H2和N2为反应气体，Ar作载气，用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ti（C，N）薄膜。所制备的薄膜分别用SEM，XRD，XPS等技术进行分析与测试。给果表明，薄膜结构比较致密，膜厚在1．5～20μm。薄膜呈现了较强的（111）择优取向，且该取向与流量比r＝C2H2／N2有关、薄膜的主要构成是Ti（C，N），但膜中有石墨相存在。
- 辛煜范叔平吴建新金宗明杨礼富
- 关键词：高速钢
- BaTiO_3薄膜的磁控溅射生长及特性研究被引量：7
- 2001年
- 用射频磁控溅射方法制备了 Ba Ti O3 (BT)薄膜。用扫描电镜 (SEM)观察了 Ba Ti O3 薄膜表面形貌、截面结构。电子探针分析表明样品具有良好的组份均匀性。
- 吴彩云季小兵范叔平周咏东褚君浩王康杰
- 关键词：射频磁控溅射扫描电镜介电特性钛酸钡
