董尧君
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
- 供职机构：苏州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 高k材料Ta2O5结构与电学性质的研究被引量：1
- 2011年
- 利用双离子束沉积设备在p-Si(100)衬底上制备了Ta2O5基MOS电容,研究了不同辅源能量0、100、200、300eV下薄膜生长机制、内部结构以及电学性质的差异。实验结果显示,在辅源能量200eV下制备的Ta2O5薄膜具有最小的表面粗糙度和优异的界面特性。由C-V/I-V特征曲线表明,辅源能量200eV下制备的Ta2O5基MOS电容具有最小的平带电压偏移量、氧化层电荷密度以及漏电流。研究表明合适的辅源能量可有效改善薄膜生长机制,使薄膜由类岛状沉积转化为层状生长,从而提高晶粒均匀性、薄膜平整度以及致密性,使薄膜具有较好的电学性质。
- 陈息林余涛吴雪梅董尧君诸葛兰剑
- 关键词：高K栅介质TA2O5MOSFET器件微结构电学性质
- 铪基高k薄膜的制备及退火对其物性的影响
- 随着MOSFETs的尺寸不断缩小，二氧化硅的厚度也随之不断减小，但当其物理厚度接近1nm时会有明显的量子遂穿效应。为了避免量子遂穿，需要使用高k材料来取代传统的SiO2栅介质，这样可以在保持可靠的物理厚度下，依然具有良好...
- 董尧君
- 关键词：退火工艺电学特性
- 退火对双离子束沉积的HfTaO薄膜结构和电学性质的影响
- 2012年
- 利用双离子束沉积系统沉积了HfTaO薄膜,并研究了退火对HfTaO薄膜的结构和电学性质的影响.将HfTaO薄膜分别在900℃和1 000℃下进行真空退火.利用SEM,EDXS,XPS,XRD和AFM对退火前后HfTaO薄膜的成分和结构进行分析;并对退火前后的电学特性C-V,G-V和I-V进行研究.高温退火后发现:由于Ta的掺入,HfTaO薄膜的结晶温度提高1 000℃左右.退火后HfTaO薄膜虽然积累区电容有所减小,但是薄膜的氧化层固定电荷Qf,氧化层陷阱电荷Qot和界面缺陷电荷密度Dit(Hill-Coleman方法得到)都有所减小;此外薄膜的漏电流在退火后也相应的减小.
- 董尧君余涛余涛诸葛兰剑
- 关键词：退火电学性质
- 类石墨烯材料新型器件的模拟和物理特性
- 2004年Geim等人首次通过机械剥离的方法在实验上制备出了石墨烯，它具有优异的机械、电学和热性能。由于其优越的电输运特性，例如很高的载流子速率和边缘磁性，二维的石墨烯和准一维的石墨烯纳米带在纳米器件和自旋电子器件中有着...
- 董尧君
- 关键词：石墨烯纳米带电输运特性
- 石墨烯纳米带边缘态中电子的输运特性
- 基于密度泛函理论和非平衡格林函数方法,我们系统地研究了石墨烯纳米带和类石墨烯材料如硅烯、石墨炔等纳米带中的非线性输运特性,以及掺杂和缺陷对边界态中电子输运的影响.
- 翟明星蒋超董尧君吴婷婷王雪峰
