蔡小五
- 作品数：118 被引量：50H指数：4
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金辽宁省科技厅博士启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程医药卫生更多>>
- 微机械非制冷红外热电堆探测器的研制
- 本文阐述了热电堆探测器的原理,利用ANSYS软件模拟了热电堆探测器的性能,阐述了采用微机械微机电方法制造热电堆探测的工艺过程,采用背面各向异性腐蚀方法架空封闭薄膜,其中所用膜系结构为热二氧化硅(1500埃)+LPCVD氮...
- 蔡小五韩郑生马斌梁平治
- 关键词：红外探测器半导体薄膜
- 文献传递
- Si_3N_4/SiO_2叠层栅MOS电容抗辐照总剂量研究被引量：2
- 2008年
- 本论文主要分析了Si3N4/SiO2叠层栅MOS电容总剂量效应,叠层栅MOS电容中SiO2为20nm,Si3N4厚度分别为40nm和110nm,通过辐照前后电容CV曲线的对比分析,发现CV曲线的正方向漂移主要是由于界面态电荷的作用,同时氧化物俘获电荷也起到一定的作用。同时也发现叠层栅中Si3N4越厚,将产生越多的界面态电荷和氧化物俘获电荷。
- 蔡小五海潮和陆江王立新刘刚刘梦新
- 关键词：界面态电荷
- 一种基准电流产生电路及模拟集成电路系统
- 本发明公开了一种基准电流产生电路，包括：启动电路和核心电路，所述核心电路包括电流镜模块和带交叉耦合结构的基准电流产生模块；所述带交叉耦合结构的基准电流产生模块包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管以及第一电阻...
- 丁利强蔡小五曹硕郝宁高马利夏瑞瑞高悦欣罗家俊
- 功率VDMOS开启电压远程在线自动测试系统及方法
- 本发明公开了一种功率VDMOS开启电压远程在线自动测试系统，包括：控制计算机、数据采集卡、测试开发板和辐照源内DUT插拔开发板。本发明同时公开了一种功率VDMOS开启电压远程在线自动测试方法。利用本发明，实现了对总剂量辐...
- 蔡小五赵发展海潮和陆江王立新
- 文献传递
- 一种晶体管、钳位电路及集成电路
- 本发明公开了一种晶体管、钳位电路及集成电路，所述晶体管包括：衬底、位于所述衬底上的氧化物层、位于所述氧化物层上的硅层；所述硅层上设置有源区和漏区，所述源区和所述漏区之间为沟道区，其中，所述源区和所述漏区均为第一掺杂类型的...
- 蔡小五罗家俊刘海南曾传滨卜建辉陆江赵海涛
- 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构
- 本发明尤其涉及双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构：在P衬底内设置有第一N型掺杂区、P型掺杂区和第二N型掺杂区；在第一N型掺杂区内设置有第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区，且，第二N型重掺杂区位于第一...
- 蔡小五曾传滨赵海涛刘海南卜建辉陆江罗家俊
- 文献传递
- 一种栅极部分变窄的绝缘栅双极晶体管
- 本申请提供的一种栅极部分变窄的绝缘栅双极晶体管，涉及半导体器件领域，包括：集电极、发射极，栅极，所述栅极的底部区域形成横向展宽结构；埋栅结构，所述横向展宽结构的下方横向扩展形成所述埋栅结构；其中，所述埋栅结构与发射极电位...
- 陆江刘海南卜建辉蔡小五罗家俊
- 文献传递
- 一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件
- 本申请提供的一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件，涉及半导体器件领域，包括：N+源极接触，所述N+源极接触为深槽结构；Pwell区域，所述Pwell区域位于所述N+源极的下方；N漂移区，所述N漂移区位于所述Pwell...
- 陆江刘海南卜建辉蔡小五罗家俊
- 一种高压栅驱动电路
- 本发明公开一种高压栅驱动电路，本发明涉及集成电路技术领域，用于解决现有技术中无法实现对dV/dt噪声免疫，导致在高频高压高dV/dt噪声环境下无法正常工作的问题。包括：逻辑控制模块、窄脉冲发生器模块、高压侧通道和低压侧通...
- 蔡小五路玉党建英解亚菲卢剑单梁李博
- 微机械非制冷红外热电堆探测器被引量：4
- 2005年
- 近年来,非制冷红外探测器应用和开发一直是令人关注的焦点之一,详细介绍了几种现阶段流 行的非制冷热电堆探测器的工艺制作方法以及所用材料,并介绍了近几年来热电堆探测器的发展情况。
- 蔡小五马斌梁平治
- 关键词：非制冷红外探测器热电堆微机械
