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蔺冰

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：北京市自然科学基金高等学校科技创新工程重大项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇形变
  • 1篇压痕
  • 1篇杨氏模量
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元模拟
  • 1篇塑性
  • 1篇塑性形变
  • 1篇力学性能
  • 1篇力学性质
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米管
  • 1篇纳米压痕
  • 1篇XGA
  • 1篇硒
  • 1篇AL组分
  • 1篇力学性

机构

  • 2篇北京大学

作者

  • 2篇蔺冰
  • 1篇沈波
  • 1篇许福军
  • 1篇杨志坚
  • 1篇王茂俊
  • 1篇秦志新
  • 1篇张国义
  • 1篇许谏
  • 1篇苗振林
  • 1篇白树林

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2007
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
高Al组分Al_xGa_(1-x)N薄膜的弹性-塑性力学性质被引量：1
2007年
采用纳米压痕方法,研究了AlN/spphire模板上的高Al组分AlxGa1-xN薄膜的力学性质,特别是弹性-塑性转变行为.研究表明,AlxGa1-xN薄膜的杨氏模量E随着Al组分的增加而增大,薄膜中产生塑性形变所必要的剪切应力也随着Al组分的增加而增大.在AlxGa1-xN薄膜纳米压痕实验中,观察到位移不连续的跳断('pop-in')行为,并且发现'pop-in'行为强烈依赖于Al组分,Al组分的增加导致这种行为的减少.我们认为随着Al组分的增加,AlxGa1-xN中键能的增强和由于AlxGa1-xN与AlN/sapphire模板之间晶格失配减少这两个因素增加了AlxGa1-xN中新位错形成的阻力,从而导致了AlxGa1-xN薄膜中的'pop-in'行为随Al组分增加而减少.
许福军沈波王茂俊许谏苗振林杨志坚秦志新张国义蔺冰白树林
关键词：杨氏模量力学性质塑性形变
二维氮化镓薄膜材料及一维硒纳米管材料的纳米压痕实验研究
本论文首先系统介绍了纳米压痕实验技术的原理和应用，随后利用纳米压痕仪(Hysitron Tribolndenter)测量得到二维氮化镓薄膜(GaN film)材料和一维硒纳米管(Se nanotube)材料的各项力学性能...
蔺冰
关键词：纳米压痕氮化镓力学性能有限元模拟
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