袁涛
- 作品数：3 被引量：5H指数：1
- 供职机构：桂林电子工业学院信息材料科学与工程系更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程动力工程及工程热物理金属学及工艺更多>>
- 反应烧结法制备硅钼化合物
- 2005年
- 为研究反应烧结方法制备MoSi2及Mo5Si3的可行性和可用性,对Mo,Si混合粉末在无压和热压条件下的反应烧结进行了系统的研究,结果表明:反应烧结法可以制备纯MoSi2和Mo5Si3,其最低反应烧结温度分别为1200℃和1300℃左右,但通过球磨混合粉末的方法可以达到降低粉末反应烧结温度的目的,对于制备Mo5Si3而言,至少可以使反应温度降低100℃;研究也表明Mo-66.6at.%Si混合粉末热压反应烧结制备MoSi2的过程可分为四个阶段。
- 袁涛刘心宇成钧王统洋
- 关键词：MOSI2
- FeS_2薄膜光电性能的影响因素被引量：1
- 2004年
- 综述了黄铁矿 (FeS2)的晶体结构、制备方法、硫化工艺、薄膜厚度及掺杂元素对FeS2薄膜光电性能的影响,指出了现阶段在FeS2 薄膜光电性能研究中出现的问题,并指出了今后的发展方向。
- 王统洋刘心宇林培豪黄思玉袁涛
- 关键词：光电性能影响因素
- MoSi_2及其复相材料的研究进展被引量：4
- 2004年
- MoSi2作为发热体和电子材料 ,主要存在着低温脆性、高温蠕变和低温“Pesting”氧化三个方面的不足。本文重点评述了近年来国内外对其高低温力学性能和低温氧化性能的研究现状 ,并展望了其发展趋势。
- 袁涛林培豪刘心宇
- 关键词：MOSI2复相材料
