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文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇GAN
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结材料
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇金属有机物
  • 1篇非极性
  • 1篇N型
  • 1篇N型GAN
  • 1篇ALGAN
  • 1篇GAN材料
  • 1篇衬底

机构

  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 2篇许志豪
  • 1篇许晟瑞
  • 1篇赵广才
  • 1篇毛维
  • 1篇张进城
  • 1篇周小伟
  • 1篇郝跃
  • 1篇张金凤
  • 1篇朱庆伟
  • 1篇李志明

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
金属有机物化学气相沉积生长的a(110)面GaN三角坑缺陷的消除研究
2009年
用金属有机物化学气相沉积方法在r面蓝宝石上生长了非极性a面GaN薄膜,通过采用AlGaN多量子阱插入层,得到了高质量的非极性GaN材料.用原子力显微镜和高分辨X射线衍射仪研究了a面GaN的表面形貌和结晶质量,发现非极性材料上典型的三角坑缺陷被消除,(110)面X射线双晶摇摆曲线的半峰宽为680″.
许晟瑞张进城李志明周小伟许志豪赵广才朱庆伟张金凤毛维郝跃
关键词:GAN原子力显微镜非极性
斜切衬底上AlGaN//GaN异质结材料及n型GaN材料特性研究
GaN材料作为一种第三代半导体材料,具有宽禁带、高电子饱和漂移速度和高击穿场强等优点,目前被广泛用于研制各种光电器件和高温、高频微波大功率器件。迄今为止,人们一直无法获得高质量、大尺寸的GaN体晶材料,因此器件级的GaN...
许志豪
关键词:GANN型GAN
文献传递
共1页<1>
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