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许志豪
许志豪
作品数:
2
被引量:1
H指数:1
供职机构:
西安电子科技大学
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发文基金:
国家自然科学基金
国家科技重大专项
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相关领域:
电子电信
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合作作者
李志明
西安电子科技大学微电子学院宽禁...
朱庆伟
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张金凤
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郝跃
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周小伟
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GAN
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西安电子科技...
作者
2篇
许志豪
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许晟瑞
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毛维
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张进城
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张金凤
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李志明
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物理学报
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金属有机物化学气相沉积生长的a(110)面GaN三角坑缺陷的消除研究
2009年
用金属有机物化学气相沉积方法在r面蓝宝石上生长了非极性a面GaN薄膜,通过采用AlGaN多量子阱插入层,得到了高质量的非极性GaN材料.用原子力显微镜和高分辨X射线衍射仪研究了a面GaN的表面形貌和结晶质量,发现非极性材料上典型的三角坑缺陷被消除,(110)面X射线双晶摇摆曲线的半峰宽为680″.
许晟瑞
张进城
李志明
周小伟
许志豪
赵广才
朱庆伟
张金凤
毛维
郝跃
关键词:
GAN
原子力显微镜
非极性
斜切衬底上AlGaN//GaN异质结材料及n型GaN材料特性研究
GaN材料作为一种第三代半导体材料,具有宽禁带、高电子饱和漂移速度和高击穿场强等优点,目前被广泛用于研制各种光电器件和高温、高频微波大功率器件。迄今为止,人们一直无法获得高质量、大尺寸的GaN体晶材料,因此器件级的GaN...
许志豪
关键词:
GAN
N型GAN
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