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谭斐

作品数：23 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 9篇电荷
  • 8篇沟道
  • 8篇SOI器件
  • 7篇电路
  • 7篇集成电路
  • 6篇泄漏电流
  • 6篇背栅
  • 6篇CMOS器件
  • 5篇掺杂
  • 4篇抗辐射
  • 3篇正电
  • 3篇正电荷
  • 3篇重离子
  • 3篇陷阱电荷
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅片
  • 2篇电场
  • 2篇电场作用
  • 2篇电荷分布

机构

  • 23篇北京大学

作者

  • 23篇谭斐
  • 22篇安霞
  • 22篇黄如
  • 16篇张兴
  • 11篇武唯康
  • 9篇杨东
  • 7篇冯慧
  • 7篇黄良喜
  • 6篇黄芊芊
  • 1篇薛守斌
  • 1篇王思浩

传媒

  • 1篇中国科学：信...

年份

  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 5篇2014
  • 4篇2013
  • 6篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于自热修正的SOI NMOSFETs热载流子注入效应寿命预测方法
2014年
自热效应SHE(self-heating effect)是SOI MOSFETs可靠性研究的关键问题之一.在热载流子注入HCI(hot carrier injection)应力下会导致自热效应加剧,低估器件工作寿命,使得寿命预测不准.本文提出了一种基于直流HCI应力下的0.18μmPD-SOINMOSFETs可靠性寿命预测方法.通过栅电阻法提取沟道中因自热效应产生的温度,采用自热修正后的衬底电流/漏电流比率模型预测PD-SOI NMOSFETs在正常工作电压下的寿命值,预测结果与未消除自热影响预测出的寿命值存在较大差异,说明自热修正在寿命预测中不可忽略,否则会低估器件的工作寿命.
冯慧安霞杨东谭斐黄良喜武唯康张兴黄如
关键词：自热效应热载流子注入效应热电阻SOI
一种抗辐射的CMOS器件及其制备方法
本发明公开了一种抗辐射的CMOS器件及其制备方法，属于CMOS集成电路技术领域。该CMOS器件包括衬底、源区、漏区以及位于衬底上的垂直沟道，在垂直沟道内增加一介质保护区一，该介质保护区一位于垂直沟道中央，将垂直沟道分为两...
黄如谭斐安霞武唯康黄良喜
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抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法
本发明公开了一种抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法。本发明的SOI器件包括：衬底、埋氧层、半导体体区、栅区、源区和漏区、栅侧墙、轻掺杂漏LDD区以及防泄漏区；防泄漏区凹陷在埋氧层内，并且位于半导体体区之下...
黄如谭斐安霞黄良喜武唯康张兴
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抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法
本发明公开了一种抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法。本发明的SOI器件包括半导体衬底、埋氧层、半导体体区、栅区、源区和漏区、栅侧墙以及LDD区，其中在半导体体区引入两个防止泄漏通道产生的隔离保护层，该隔离...
黄如谭斐安霞黄芊芊杨东张兴
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一种抗单粒子辐射的多栅器件及其制备方法
本发明公开了一种抗单粒子辐射的多栅器件及其制备方法。本发明的多栅器件包括：衬底；在衬底上且分别位于两端的源区和漏区；在衬底上的源区和漏区之间的凸出的鳍型结构和介质层；在鳍型结构和介质层上的栅介质和栅电极；以及在相邻的两个...
黄如武唯康安霞谭斐黄良喜冯慧张兴
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一种减小辐射产生电荷收集的CMOS器件及其制备方法
本发明公开了一种减小辐射产生电荷收集的CMOS器件及其制备方法。本发明的CMOS器件在源区和漏区的正下方设置重掺杂的抑制电荷收集区，该区域的掺杂类型和源区和漏区的掺杂类型相反，且掺杂浓度不小于源区和漏区的掺杂浓度。抑制电...
黄如谭斐安霞黄芊芊杨东张兴
COMS器件辐照位移损伤区在沟道相对位置的估算方法
本发明公开了一种CMOS器件辐照位移损伤区在沟道的相对位置的估算方法。将CMOS器件的沟道平均分为两部分，靠近源端的部分为区域I，靠近漏端的部分为区域II。辐照后与辐照前相比，若栅源电容减小，而栅漏电容增大，则辐照位移损...
黄如谭斐安霞张兴
一种减小电荷共享效应的CMOS器件及其制备方法
本发明公开了一种减小电荷共享效应的CMOS器件及其制备方法。本发明的CMOS器件在隔离区的正下方设置俘获载流子的附加隔离区。该附加隔离区的材料为多孔硅等，由于多孔硅是一种通过电化学阳极氧化单晶硅片形成的海绵状结构的功能材...
黄如谭斐安霞黄芊芊杨东张兴
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一种抗辐射加固的SOI器件及其制备方法
本发明公开了一种抗辐射加固的SOI器件及其制备方法。本发明的SOI器件包括半导体衬底、埋氧层、体区、栅区、源区和漏区、栅侧墙、LDD区及隔离氧化层，其中，在体区的下表面和埋氧层的上表面之间，以及体区在宽度方向上的两个侧壁...
黄如谭斐安霞武唯康冯慧
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一种估算集成电路辐照效应的方法
本发明涉及一种集成电路辐照效应的估算方法，属于集成电路领域。该估算方法主要包括以下步骤：A.将受到辐照后的集成电路中的NMOS器件在源、漏之间形成的导电通路作为一个寄生晶体管；B.利用陷阱电荷数与辐照剂量的关系式：Q<S...
薛守斌王思浩谭斐安霞黄如张兴
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