谭明
- 作品数:4 被引量:2H指数:1
- 供职机构:北京航空航天大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 采用物理气相沉积制备多级次碲化锑纳米线束阵列的方法
- 本发明公开了一种采用物理气相沉积制备多级次碲化锑纳米线束阵列的方法,该方法通过调节玻璃基板与钨舟的距离、交流电源输出电流的大小、蒸发源-碲化锑的沉积速率,从而在真空低温环境下在玻璃基板上沉积上具有多级次纳米线束阵列碲化锑...
- 邓元谭明王瑶张志伟梁立新
- 文献传递
- 射频磁控溅射制备层状Bi-Te薄膜及热电性能研究(英文)被引量:2
- 2011年
- 采用射频磁控溅射制备了具有特殊层状纳米结构的碲化铋热电薄膜.以Bi2Te3为靶材,在不同基底温度和沉积时间下制备了薄膜,并利用X射线衍射、扫描电镜和X射线能谱等对样品进行了结构和成分分析,同时测试了薄膜的电导率和Seebeck系数.结果表明,基底温度是影响薄膜微结构和热电性能的关键因素之一,较高的基底温度利于层状结构的形成和功率因子的提高,400℃基底温度下制备薄膜的功率因子最优.然而,所有薄膜均显示不同程度偏离Bi2Te3的化学计量比而缺Te,优化薄膜成分有望进一步提高薄膜的热电性能.
- 张志伟王瑶邓元谭明
- 关键词:碲化铋射频磁控溅射热电性能
- 采用物理气相沉积制备多级次碲化锑纳米线束阵列的方法
- 本发明公开了一种采用物理气相沉积制备多级次碲化锑纳米线束阵列的方法,该方法通过调节玻璃基板与钨舟的距离、交流电源输出电流的大小、蒸发源-碲化锑的沉积速率,从而在真空低温环境下在玻璃基板上沉积上具有多级次纳米线束阵列碲化锑...
- 邓元谭明王瑶张志伟梁立新
- 定向生长A2Te3(A=Sb,Bi)热电薄膜及其器件研究
- <正>热电材料的输运性能与其晶体生长取向有密切的关联。我们通过简单的热蒸发技术制备出择优定向生长的p-Sb2Te3和n-Bi2Te3热电薄膜材料,利用XRD、SEM和EDS,对薄膜的成份与微观结构进行了研究。结果表明热电...
- 谭明邓元王瑶张志伟梁立兴
- 文献传递