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赵威: 作品数：35 被引量：1H指数：1; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>; 相关领域：电子电信轻工技术与工程更多>>

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一种控制锗纳米微结构尺寸的方法: 本发明涉及一种控制锗纳米微结构尺寸的方法，通过热氧化法实现相应纳米微结构尺寸的减小，通过控制氧气分压及反应温度，使锗与氧气反应生成易挥发的一氧化锗，达到控制锗纳米结构尺寸的目的。; 王盛凯刘洪刚孙兵薛百清常虎东赵威卢力王虹; 文献传递

一种锗纳米线叠层结构的制作方法: 本发明公开了一种锗纳米线叠层结构的制作方法，该方法包括：在单晶衬底表面交替外延单晶锗硅层与锗层；对锗硅层与锗层进行光刻和刻蚀，获得锗硅线条／锗线条的周期结构；在纯氧气氛下对锗硅线条／锗线条的周期结构进行氧化，将锗硅层中的...; 王盛凯刘洪刚孙兵常虎东赵威; 文献传递

一种高介电常数氧化物的制备方法: 本发明公开了一种高介电常数氧化物的制备方法，包括：步骤1：设定原子层沉积系统生长参数；步骤2：向原子层沉积系统反应腔体中通入金属前驱体源脉冲，紧接着用高纯氮气清洗，冲掉反应副产物和残留的金属前驱体源；步骤3：向原子层沉积...; 孙兵刘洪刚赵威王盛凯常虎东; 文献传递

高迁移率In0.6Ga0.4As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究被引量：1: 2012年; 从模拟和实验两个方面对高迁移率In_(0.6)Ga_(0.4)As沟道金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOSHEMT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件开展研究工作.研宄发现InAlAs势垒层对Ino_(0.6)Ga_(0.4)AsMOSHEMT的特性具有重要影响.与Ino_(0.6)Ga_(0.4)As MOSFET相比,Ino_(0.6)Ga_(0.4)As MOSHEMT表现出优异的电学特性.实验结果表明,In_(0.6)Ga_(0.4)As MOSHEMT的有效沟道迁移率达到2812 cm^2/V.s^(-1),是In_(0.6)Ga_(0.4)As MOSFET的3.2倍.0.02 mm栅长的MOSHEMT器件较相同栅长的MOSFET器件具有更高的驱动电流、更大的跨导峰值、更大的开关比、更高的击穿电压和更小的亚阈值摆幅.; 常虎东孙兵卢力赵威王盛凯王文新刘洪刚; 关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 INGAAS AL2O3

一种控制锗表面形貌的方法: 本发明公开了一种控制锗表面形貌的方法，该方法是将锗(Ge)置于纯氧或氧气(O2)与其它性质稳定气体的混合气体中，调节氧气(O2)分压和反应温度至高温低压工作区域，控制反应时间实...; 王盛凯刘桂明刘洪刚孙兵赵威韩乐; 文献传递

在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法: 本发明公开了一种在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法，包括：选择Ge衬底，去除Ge衬底表面的自然氧化层，然后将其转移到原子层沉积系统的腔体中，在Ge衬底表面沉积一层Al2O3</Sub...; 刘洪刚韩乐王盛凯孙兵常虎东赵威; 文献传递

一种低温晶圆键合方法: 本发明公开了一种低温晶圆键合方法，包括：对两个晶圆进行清洗；在清洗后的两个晶圆表面沉积一层氧化物；对两个晶圆中的至少一个进行表面活化处理；将表面活化处理后的两个晶圆在非真空环境下表面相对彼此接触并施加外力使其键合；以及对...; 刘洪刚李运王盛凯张雄郭浩孙兵常虎东赵威; 文献传递

一种用氟基气体钝化刻蚀胶掩蔽的薄膜的方法: 本发明公开了一种用氟基气体钝化刻蚀胶掩蔽的薄膜的方法，包括：在待刻蚀材料叠层上旋涂光刻胶并光刻，得到侧壁垂直的胶台柱作为刻蚀掩膜，完成待刻蚀样品的准备；对待刻蚀样品进行常温刻蚀；对常温刻蚀后的待刻蚀样品进行高温原位过刻蚀...; 赵威刘洪刚孙兵常虎东; 文献传递

一种在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体衬底制作超浅结的方法: 本发明公开了一种在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体衬底制作超浅结的方法，包括：清洗具有外延层的单晶衬底；在该外延层用硫化铵或其他液体的表面钝化，在该钝化表面沉积介质作为阻挡层，以借助低温退火工艺将硫或其他元素扩散到单晶衬底以形成超浅结...; 刘洪刚薛百清常虎东王盛凯孙兵赵威郭浩王虹韩乐刘桂明; 文献传递

一种纳米线衬底结构及其制备方法: 本发明公开了一种纳米线衬底结构及其制备方法，该纳米线衬底结构包括：单晶衬底；形成于单晶衬底上的缓冲层；形成于缓冲层上的牺牲层；以及形成于牺牲层上的纳米线结构层。本发明是在磷化铟和砷化镓衬底上形成铟镓砷纳米线结构，为铟镓砷...; 孙兵刘洪刚赵威王盛凯常虎东; 文献传递