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邱锋

作品数：24 被引量：0H指数：0
供职机构：云南大学更多>>
相关领域：电子电信化学工程农业科学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇农业科学
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 8篇石墨
  • 7篇石墨烯
  • 5篇溅射
  • 4篇量子点
  • 4篇光电
  • 4篇发光
  • 3篇单晶
  • 3篇新型材料
  • 3篇型材
  • 3篇石英
  • 3篇石英管
  • 3篇探测器
  • 3篇量子
  • 3篇光电探测
  • 3篇光电探测器
  • 3篇光电性
  • 3篇光电性能
  • 3篇硅基
  • 2篇电极
  • 2篇电学

机构

  • 24篇云南大学
  • 1篇云南鑫耀半导...

作者

  • 24篇邱锋
  • 11篇杨宇
  • 10篇王茺
  • 10篇王荣飞
  • 9篇杨杰
  • 7篇胡涛
  • 7篇黄涛
  • 4篇刘青
  • 3篇陈鹏
  • 3篇申时立
  • 3篇项金钟
  • 2篇李波
  • 2篇王盼
  • 1篇张瑾
  • 1篇王媛
  • 1篇王海澎
  • 1篇张璋
  • 1篇王兆卿
  • 1篇迟庆斌
  • 1篇龙佳

传媒

  • 1篇云南化工

年份

  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 2篇2021
  • 5篇2020
  • 2篇2019
  • 6篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2010
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种静电除尘的石墨烯洁净设备
本申请涉及一种静电除尘的石墨烯洁净设备，该设备包括腔体、静电产生装置、样品固定装置、静电吸附装置、传动装置和静电消除装置；所述的腔体设置有密封层且内部抽真空；所述的静电产生装置设置为一变压器，该变压器分别与样品固定装置、...
邱锋刘子睿黄涛吕文霞褚景豫张婉田一胡涛丁家芬
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硅碳薄膜负极材料及其制备方法
本发明属于复合薄膜材料制备技术领域，特别是涉及一种锂离子电池用的硅碳薄膜负极材料及其制备方法。本发明在室温条件下采用射频磁控溅射技术和直流磁控溅射技术，在集流体上制备了硅薄膜和碳薄膜交替堆叠的结构，交替堆叠结构的层数为2...
杨宇童领王盼陈安然邱锋王荣飞
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一种Si自离子注入硅基材料改善发光性能的方法
本发明提供一种Si自离子注入硅基材料改善发光性能的方法，基于离子注入与退火技术，在表面清洗干净的硅基材料——Si基片或SOI基片的硅薄膜上通过3~5次不同能量Si自离子注入，再经调节常规退火或快速热退火不同的参数得到发光...
王茺欧阳凌曦周蒙薇王荣飞杨杰邱锋杨宇
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一种高温石墨烯基底上直接生长Ge量子点的方法
本发明属于半导体纳米复合材料制备技术领域，特别是涉及一种高温石墨烯基底上直接生长Ge量子点的方法。本发明采用溅射沉积技术，在高温条件下的石墨烯基的衬底上，直接溅射生长Ge量子点，溅射生长时间为100 s~500 s。本发...
杨宇童领龙佳邱锋王荣飞张瑾杨杰
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一种基于多层及大面积石墨烯生长用石英舟的石墨烯生长方法
本发明属于石墨烯生长的技术领域，尤其涉及基于石墨烯生长用一层、多层、卷对卷等多功能支撑平台的石墨烯生长方法，所述平台包括管状石英舟、石英插板和石英滑块；所述的管状石英舟是管状石管，其外径小于生长用石英管内径，且其管状石英...
邱锋李波王茺
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一种Si自离子注入硅基材料改善发光性能的方法
本发明提供一种Si自离子注入硅基材料改善发光性能的方法，基于离子注入与退火技术，在表面清洗干净的硅基材料——Si基片或SOI基片的硅薄膜上通过3~5次不同能量Si自离子注入，再经调节常规退火或快速热退火不同的参数得到发光...
王茺欧阳凌曦周蒙薇王荣飞杨杰邱锋杨宇
Si基纳米光电子材料制备科学与性能研究
杨宇王茺杨杰王荣飞邱锋
硅基纳米光电子材料是微电子与光电子集成的核心。在5项国家及省部级项目的支持下，项目组以实现硅基光电集成为指导，开展Ge/Si量子点、离子注入及稀土掺杂Si发光的研究，经科技成果评价，取得的创新成果总体达到国际先进水平，简...
关键词：
关键词：发光器件
一种生长石墨烯的悬挂与插片式石英舟及方法
本发明提供一种生长石墨烯的悬挂与插片式石英舟及方法，石英舟包括舟座和舟架，舟架包括上横架和/或下横架；上横架包括至少一根平行于舟座长度方向的第一横杆，和/或只是一根垂直于舟座长度方向的第二横杆；下横架包括至少两根平行于舟...
邱锋项金钟吕文霞申时立黄涛褚景豫张婉刘子睿吕凤祺
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热处理工艺制备碳硅负极材料的方法
本发明属于复合材料制备技术领域，特别是涉及一种热处理工艺制备碳硅负极材料的方法。本发明中碳薄膜和硅薄膜在制备的过程中均采用热处理工艺，热处理的温度为100 <Sup>o</Sup>C~400 <Sup>o</Sup>C。...
杨宇童领陈安然王盼邱锋王荣飞
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一种准二维钙钛矿单晶及其制备方法、一种钙钛矿光电探测器及其制备方法
本发明属于新型材料和半导体制备技术领域，具体涉及一种准二维钙钛矿单晶及其制备方法、一种钙钛矿光电探测器及其制备方法。本发明按照准二维钙钛矿的化学式(LA)<Sub>2</Sub>A<Sub>n‑1</Sub>B<Sub>...
邱锋刘子睿刘光胜田一胡涛丁家芬张博磊白旋刘青张蕊陈鹏张天明李思李金平张兴
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