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邹柳娟

作品数:22 被引量:40H指数:3
供职机构:华中理工大学电子科学与技术系更多>>
发文基金:国家自然科学基金江西省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 21篇中文期刊文章

领域

  • 11篇电子电信
  • 6篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 9篇光纤
  • 8篇正电子
  • 7篇光纤光栅
  • 7篇光栅
  • 5篇色散
  • 5篇色散补偿
  • 4篇正电子湮没
  • 4篇慢正电子束
  • 3篇啁啾
  • 3篇耦合模
  • 3篇耦合模方程
  • 3篇ZRO
  • 2篇预制棒
  • 2篇染色
  • 2篇光纤预制棒
  • 2篇BRAGG光...
  • 2篇BRAGG光...
  • 2篇CHIRPE...
  • 2篇F钢
  • 2篇Y

机构

  • 18篇华中理工大学
  • 8篇江西师范大学
  • 5篇中国科学技术...
  • 4篇武汉邮电科学...
  • 3篇华中科技大学
  • 3篇湖北工业大学
  • 3篇武汉钢铁
  • 1篇五邑大学
  • 1篇武汉理工大学
  • 1篇北京玻璃研究...

作者

  • 21篇邹柳娟
  • 8篇邹道文
  • 5篇翁惠民
  • 4篇张才国
  • 4篇赵梓森
  • 3篇刘水华
  • 3篇周志敏
  • 2篇黄千峰
  • 2篇陈志红
  • 2篇唐良晶
  • 2篇程宇航
  • 2篇郁伯铭
  • 2篇韩荣典
  • 2篇周先意
  • 2篇吴一平
  • 2篇林兵
  • 2篇乔学亮
  • 2篇夏风
  • 1篇施伟
  • 1篇温鹏

传媒

  • 8篇华中理工大学...
  • 2篇光学技术
  • 2篇功能材料
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇物理
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇高校化学工程...
  • 1篇光通信技术
  • 1篇光通信研究

年份

  • 2篇2001
  • 3篇2000
  • 3篇1999
  • 6篇1998
  • 1篇1995
  • 1篇1993
  • 2篇1991
  • 1篇1990
  • 2篇1989
22 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Chirped Bragg光纤光栅的优化设计与优化指数被引量:2
2000年
根据线性ChirpedBragg光纤光栅的一般原理 ,探讨了不同啁啾系数 ,准高斯耦合函数对Bragg反射光栅的反射率及色散补偿特性的响应。结果表明 :增大啁啾系数以及选取适当的准高斯耦合函数 ,在保证反射率较大的情况下 ,能有效地改善色散补偿特性。通过引入微波领域的“优化指数”这一概念 ,量化了色散补偿器的补偿能力。
邹柳娟潘小龙邹道文刘水华林兵赵梓森
关键词:光纤光栅耦合模方程色散补偿
染色机数学模型及计算机模拟
1989年
本文根据纺织物染色工艺过程中所遵循的热量平衡和质量平衡基本关系,提出了纺织物染色过程实现微机数模控制的数学模型,并以国内典型的常温常压式染色机典型温度曲线为例,作了计算机数学模拟研究,获得了染色机升温、降温、保温等过程所需的加冷水量、蒸汽量、排水量随时间的变化关系曲线,为染色机实现微机数模控制提供了理论依据。
郁伯铭邹柳娟是度芳温鹏张义忠孟桦
关键词:染色机计算机模拟染色过程数学模型热量平衡染色温度
关于莫来石的正电子湮没研究
1990年
<正>对于合成莫来石,大多数通过显微镜、扫描电镜进行定性分析,至今未找出一种较合理适用的方法来描述合成莫来石的显微结构。本文采用正电子湮没技术研究这一问题。1.实验方法与结果 本文工作用烧结法合成莫来石,工艺为配料、细磨混合、成型、烧结。按原料Al_2O_3/SiO_2的不同配比,制成HM3,HM4,A,B_2,HM5,B,HM6共7组不同的试样,样品为φ12×2(mm)的圆片。烧结温度分别为1600℃,1650℃,1700℃,均保温3h。莫来石的分子式为3Al_2O_3·2SiO_2。 莫来石的合成原料化学组成见表1.表1中只给出了6组,样品成分是通过化学分析的方法获得的,Al_2O_3/SiO_2指的是它们的重量比。
邹柳娟张才国王玺堂李楠
关键词:莫来石正电子湮没显微结构
同步轧制与异步轧制B_3F钢的正电子寿命研究
1991年
本文用正电子湮没技术研究了同步轧制与异步轧制B_3F钢的机械性能;说明了异步轧制可以减小轧制力,提高机械性能;发现了样品的抗拉强度与正电子寿命之间存在着一定的关系.
张才国邹柳娟王桂兰
关键词:轧钢异步轧制机械性能
微机染色控制系统设计
1991年
1 系统硬件结构 a.计算机部分(图1)。控制系统由加强型CMOS八位微处理器HD64180,两个28脚存储器插座,一个RS422串行口,一个RS423-A/RS232-C串行口和一个传感器及控制电路组成。
温鹏李燕邹柳娟郁伯铭
关键词:微机染色工艺控制系统
变迹啁啾Bragg光纤光栅的矩阵分析被引量:10
2001年
本文用传输矩阵法分析了各种变迹与线性啁啾 Bragg光纤光栅的响应特性 ,构造了各种变迹函数 ,进行了比较 .分析了变迹函数、啁啾系数、折射率变化量以及光栅长度对反射带宽、最大反射率的影响 .找到了最佳变迹函数和量佳啁啾系数 .特例中的数值分析表明 ,补偿 1 0 0 km光纤色散带宽为 1 nm的最佳光栅长度是 1 40 mm,最佳啁啾系数为 0 .0 4 8nm/ cm.
叶志清邹道文邹柳娟陈志红
关键词:光纤光栅啁啾光栅矩阵分析响应特性
平方型啁啾光纤光栅高阶色散补偿器的理论设计被引量:2
2001年
对周期保持恒定,而其有效折射率大小随其长度按平方律变化的啁啾光纤光栅提出了一个理论设计模型.从该模型出发,得到了光栅有效折射率分布函数与光栅色散量之间的关系.最后将该模型的计算结果与传输矩阵法的计算机模拟结果进行了比较,二者基本上一致.
马卫东邹柳娟陈志红施伟江山王青林赵梓森
关键词:光纤光栅啁啾色散补偿器
40Li_2O-12P_2O_5-48V_2O_5非晶快离子导体的晶化过程研究
1993年
用正电子湮没技术、差热分析和X射线衍射等方法研究了40Li_2O-12P_2O_5-48V_2O_5非晶快离子导体的晶化过程.实验发现,在孕育期正电子平均寿命出现一反常增高,在此之前,正电子寿命是稳定的,在晶化开始后,正电子平均寿命减小并有涨落.这些结果与电子率测量、差热分析曲线相对应.
张才国邹柳娟汤钧民崔万秋
关键词:非晶态离子导体晶化正电子湮没
全文增补中
S异步恒延伸轧制产品B_2F钢的正电子湮没研究
1989年
本文用正电子湮没技术研究了PV-E轧制产品B_2F钢,测得了正电子寿命与轧制压力及机械性能间的对应关系,为PV-E轧制工艺提供了依据。实验表明,轧制过程中B_2F钢中存在大量位错和空位团缺陷,且正电子寿命与速比有一定对应关系,揭示了速比对机械性能的影响。
邹柳娟张才国王桂兰王铭宗
关键词:正电子湮没带钢
使用MCVD设备制取62.5μm大芯径、大数值孔径光纤预制棒的新工艺探索被引量:2
1999年
总结了使用MCVD设备制备大芯径、大数值孔径光纤预制棒的新工艺。探索在不掺硼的情况下,在预制棒芯层逐层增加GeCl4的流量。在内包层掺氟以降低内包层折射率。解决了为达到较高折射率差Δn,在芯层掺锗过多而引起光纤预制棒在沉积后期和缩棒过程中由材料的热膨胀系数而导致的炸裂问题。并通过改变火焰平移速度,提高了沉积速率,缩短了制棒时间。所拉制的光纤、数值孔径NA高达0.30。
邹柳娟李勤陈应天
关键词:光纤预制棒大芯径大数值孔径MCVD光纤
共3页<123>
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