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钟树泉

作品数：5 被引量：14H指数：1
供职机构：北京邮电大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 3篇输运过程
  • 3篇MOCVD反...
  • 2篇晶片
  • 2篇晶片键合
  • 2篇键合
  • 2篇光学
  • 2篇MOCVD
  • 1篇数值模拟
  • 1篇数值模拟研究
  • 1篇热对流
  • 1篇量子
  • 1篇量子比特
  • 1篇量子光学
  • 1篇纠缠
  • 1篇绝热
  • 1篇绝热近似
  • 1篇拉比
  • 1篇集成光学
  • 1篇反应器
  • 1篇超强

机构

  • 5篇北京邮电大学

作者

  • 5篇钟树泉
  • 3篇黄永清
  • 3篇黄辉
  • 3篇任晓敏
  • 3篇王琦
  • 2篇张霞
  • 1篇董锟
  • 1篇蔡世伟
  • 1篇田贵花

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇光学学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇中国光学学会...

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
在超强耦合条件下对量子比特纠缠保持的研究
2016年
研究了与处于相干态的量子谐振腔相耦合的,具有相互作用的两个量子比特的动力学问题。量子比特与量子谐振腔之间处于超强耦合并且它们之间的失谐量很大。利用绝热近似的方法,可以通过选择量子谐振腔相干态的平均粒子数、量子谐振腔与量子比特的耦合强度、量子谐振腔以及量子比特各自的频率和量子比特之间的相互作用强度这4个参数,来保持量子比特的纠缠。如果量子比特之间的相互作用强度为负数,可以使它们之间的纠缠保持很长时间。这些结果不同于之前的研究,并做出了对应的解释。保持纠缠使得上述结果可能会应用到量子信息处理中。
田贵花董锟钟树泉
关键词：量子光学纠缠绝热近似
MOCVD反应器热流场的数值模拟研究被引量：13
2008年
本文以低压、旋转、垂直喷淋结构的MOCVD反应器为对象,应用二维数学模型分析与计算,对反应器内部的质量输运过程进行了比较详细的研究与讨论。通过计算发现:在一定范围内,增加进气流量Q、降低操作压力P、设定适宜的生长温度t、保持合理的基座转速ω等,不仅可以非常有效地抑制热浮力效应,同时也使衬底表面流体的流动速度进一步增加,从而实现反应器内部的流场和温度场的均匀分布。研究的结果,不仅为高品质的外延生长提供了有效的解决方案,而且也为MOCVD反应器的优化设计提供了重要的参考依据。
钟树泉任晓敏王琦黄辉黄永清张霞蔡世伟
关键词：MOCVD反应器输运过程热对流
MOCVD设备工艺优化理论与低温InP/Si晶片键合机理的研究
本论文围绕任晓敏教授任首席科学家的国家973计划项目(No：2010CB327600,No：2003CB314900),以及课题组所承担的国家863重大基金项目(No：2006AA03Z416,No：2007AA03Z4...
钟树泉
关键词：MOCVD反应器输运过程
文献传递
InP/Si低温晶片键合机理的研究
将硼化物溶液用于InP/Si晶片键合的表面处理工艺,实现了两种材料之间简单、无毒性的低温（280℃）晶片键合。基于这种低温键合技术,从物理化学、热力学等理论出发,结合高分辨率透射电镜（HRTEM）、拉曼光谱（Raman）...
钟树泉任晓敏黄辉黄永清王琦张霞
关键词：集成光学晶片键合
文献传递
MOCVD反应器中流场和热场的数值研究被引量：1
2009年
利用二维动力学模型,通过变化MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)反应器的进气流量、操作压力、衬底温度、基座旋转等几个重要工艺控制参数,计算了反应器内部均匀的流场和热场分布的形态变化,描述了输运过程中产生的多种流动现象,并给出了相应的分析与说明.在此基础上,通过微扰反应器的进气量,计算并图形化了质量输运过程的瞬态行为,分析了延迟时间、驰豫振荡、自脉动振荡等瞬态现象产生的原因,为高品质外延生长工艺的设计与实施,提供了有益的解决途径.
钟树泉任晓敏黄永清王琦黄辉
关键词：MOCVD反应器输运过程
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