闫锋
- 作品数：25 被引量：47H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：中国航空科学基金西北工业大学基础研究基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- Y_2O_3薄膜热应力分布的有限元模拟被引量：3
- 2009年
- 对采用射频磁控溅射法制备的Y_2O_3红外光学薄膜的热应力进行了分析,随着沉积温度的升高,薄膜内热应力变大;并通过计算机对热应力分布进行了模拟,剪切力随沉积温度升高而变大,且在薄膜边缘处具有极大值。
- 刘其军刘正堂唐斌闫锋
- 关键词：热应力Y2O3有限元
- 溅射功率对Au与CdZnTe晶体接触结构和性能的影响被引量：2
- 2006年
- 采用直流磁控溅射工艺,以Au为靶材在高阻半导体CdZnTe上制备导电薄膜。系统地研究了溅射功率对沉积速率、薄膜结构、组织形貌及接触性能的影响。结果表明,随溅射功率的增加沉积速率增大。I-V测试表明在高阻CdZnTe上溅射Au薄膜后不经热处理已具有良好的欧姆接触性能,溅射功率为100 W时的接触性能好于功率为40 W和70 W时的接触性能。
- 张兴刚刘正堂孙金池闫锋刘文婷
- 关键词：磁控溅射溅射功率欧姆接触
- 氧气对磁控溅射HfO_2薄膜电学性能的影响被引量：4
- 2010年
- 采用射频磁控溅射法在无氧和有氧气氛下制备了HfO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、椭圆偏振光谱(SE)以及电容-电压(C-V)测试对薄膜的结构、成分、HfO2/Si界面和HfO2栅介质MOS结构的电学性能等进行了分析表证。结果表明,溅射过程中通入氧气后,薄膜出现了较明显的结晶化;薄膜的氧化程度得到提高,成分更接近理想化学计量比HfO2。在HfO2/Si界面处存在的SiO2界面层,有氧条件下界面层的厚度增大。氧气的通入改善了HfO2栅介质MOS结构的电学性能。
- 刘文婷刘正堂闫锋田浩刘其军
- 关键词：射频磁控溅射HFO2薄膜界面层电学性能
- 含氧空位立方HfO_2电子结构和光学性质的第一性原理研究（英文）被引量：2
- 2017年
- 利用基于第一性原理密度泛函理论框架下的平面波超软赝势法,研究了含氧空位立方HfO_2的几何结构、电子结构和光学性质。计算结果表明,氧空位缺陷对晶格参数的影响不明显。能带结构和态密度结果表明在-0.216 eV处出现了氧空位缺陷能级。通过对比纯立方HfO_2的光学吸收边,由于氧空位缺陷能级的出现,含氧空位立方HfO_2的光学吸收边向低能方向移动。此外,氧空位的出现导致了静态介电常数的增加。
- 闫锋刘正堂刘其军
- 关键词：氧空位光学性质
- 烧结温度对Ca_(0.9)(NaCe)_(0.05)Bi_2Nb_2O_9无铅压电陶瓷性能的影响被引量：1
- 2018年
- 采用传统固相反应法制备了Ca_(0. 9)(Na Ce)_(0. 05)Bi_2Nb_2O_9铋层状无铅压电陶瓷。采用XRD、SEM、EDS及相关电学性能测试系统表征了样品的晶体结构、断面形貌、元素组成以及介电、压电、铁电等性能,探究不同烧结温度对于陶瓷性能的影响。结果表明:当烧结温度为1150℃时,样品的晶体结构单一均匀,呈现片层状结构,致密性较好,压电常数高达17 p C/N,介电损耗仅为0. 42%,居里温度为908℃,并且具有很好的温度稳定性,说明固相反应法制备的Ca0. 9(Na Ce)0. 05Bi2Nb2O9压电陶瓷最佳烧结温度为1150℃。
- 张飞洋闫锋郇正利杨声帅张楠赵晨
- 关键词：烧结温度压电性能居里温度
- HfO2薄膜的制备与光学性能
- 采用射频磁控反应溅射法,以高纯热压 HfO 陶瓷为靶材,在 Si 衬底上成功制备出 HfO薄膜．系统研究了工艺参数对薄膜沉积速率的影响规律,并对薄膜的光学性能进行了研究．结果表明,射频功率对薄膜沉积速率的影响最为明显,O...
- 刘文婷刘正堂许宁鹿芹芹闫锋
- 关键词：磁控反应溅射HFO2薄膜沉积速率光学性能
- 文献传递
- 大位移量、高弹性模量压电陶瓷材料的制备与研究被引量：1
- 2015年
- 本文主要采用固相反应制备了0.7PZT-(0.3-x)PNN-xPZN多元系压电陶瓷材料。通过X射线衍射法(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和电子色散谱仪(EDS)研究了该体系压电陶瓷的晶体结构、断面形貌和成分组成。采用准静态d33/d31测量仪和阻抗分析仪测量压电陶瓷片的压电应变常数d33和d31、弹性柔顺系数SE11以及其它的性能参数。同时,研究了硬性掺杂、碱金属掺杂及Ti/Zr比值变化对压电陶瓷材料性能的影响规律,摸索制备大位移量、高弹性模量压电陶瓷材料的方法。
- 闫锋郇正利王文林
- 关键词：激光陀螺压电陶瓷大位移压电性能
- 提高蓝宝石高温强度和透过率的研究被引量：8
- 2007年
- 在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上利用射频磁控反应溅射法制备出SiO2/Si3N4双层增透膜系,并对镀膜后的蓝宝石进行了高温强度测试及其透过率的研究.研究表明:镀膜后蓝宝石的高温强度和透过率均有明显提高;800℃时,镀膜蓝宝石的高温强度比未镀膜提高了41.0%;在3-5μm波段范围内,室温下镀膜后透过率比镀膜前提高8.0%;SiO2/Si3N4膜系具有较高的热稳定性,且与蓝宝石衬底附着良好.
- 李强刘正堂冯丽萍宋文燕张兴刚闫锋
- 关键词：磁控溅射蓝宝石高温强度透过率
- 射频磁控反应溅射法制备Y<,2>O<,3>薄膜的研究
- 金刚石具有优异的力学、电学、热学和光学性能，是用于长波红外波段(8～12μm)理想的窗口和头罩材料。然而，当温度超过750℃时金刚石很容易发生氧化，导致透过率急剧下降。为了满足在高速、高温下应用的要求，需要在金刚石表面制...
- 闫锋
- 关键词：金刚石抗氧化膜系设计磁控溅射工艺参数
- 文献传递
- 激光陀螺用压电陶瓷材料的制备与研究被引量：1
- 2015年
- 通过文献调研设计了压电陶瓷配方,使用传统固相法制备目标压电陶瓷以达到大应变要求,以应用于激光陀螺激光稳频器中,通过r（Zr）/r（Ti）系列实验可得r（Zr）/r（Ti）=46/54组成在1 180℃烧结时获得最佳的压电介电性能,即压电常数d33≈640pC/N,弹性刚度系数cE11=60.61GPa,相对介电常数εT33/ε0≈3 300,介电损耗tanδ≈1.85%,机电耦合系数kp=0.655,居里温度TC=272℃。X线衍射（XRD）分析确认相界组成为r（Zr）/r（Ti）=46/54,扫描电镜（SEM）表明烧结温度对陶瓷晶粒尺寸有显著影响,在1 180～1 200℃之间晶粒尺寸显著增大。
- 郇正利闫锋王文林
- 关键词：大应变居里温度晶粒尺寸
