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阎富兰

作品数：3 被引量：9H指数：1
供职机构：天津大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇雪崩
  • 1篇雪崩击穿
  • 1篇视觉
  • 1篇四甲基
  • 1篇四甲基氢氧化...
  • 1篇探测器
  • 1篇氢氧化
  • 1篇氢氧化铵
  • 1篇微机电系统
  • 1篇晶体管
  • 1篇可靠性
  • 1篇击穿
  • 1篇机电系统
  • 1篇甲基
  • 1篇各向异性腐蚀
  • 1篇光电
  • 1篇光电探测
  • 1篇光电探测器
  • 1篇发射结
  • 1篇高可靠

机构

  • 3篇天津大学

作者

  • 3篇阎富兰
  • 2篇张为
  • 2篇牛秀文
  • 2篇姚素英
  • 2篇王涌萍
  • 1篇田利平
  • 1篇元冰如
  • 1篇张生才
  • 1篇刘激扬
  • 1篇郑云光
  • 1篇崔金标
  • 1篇李树荣
  • 1篇田莉萍
  • 1篇张世林
  • 1篇赵毅强
  • 1篇刘艳艳

传媒

  • 1篇微电子学
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2001
  • 1篇1987
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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高性能视觉半导体光电近代探测器研制
张生才李树荣张世林赵毅强姚素英郑云光张为刘激扬阎富兰王涌萍牛秀文田利平崔金标元冰如
“高性能视觉半导体光电探测器的研制”是为我国第五套人民币防伪验钞机配套专用的特殊器件。项目选择长寿命优质无缺陷的单晶硅材料，优化器件设计，浅结注入（或扩散）技术，光抗反射技术，选用大面积光敏面等，实现了暗电流小，光灵敏度...
关键词：
关键词：高性能光电探测器高可靠性
发射结雪崩击穿导致h[*vFE*]退化的研究
—B结雪崩击穿后的硅平面晶体管，其小电流下增益将迅速下降。该文测试了硅平面晶体管3DG80和3DG30的电流增益退化率与雪崩电流I[*vav*]和雪崩时间tav之间的关系。采用热退火的方法计算出E—B结雪崩后h[*vFE...
王淑荣孟桂苓阎富兰
关键词：晶体管雪崩击穿发射结
四甲基氢氧化铵在MEMS中的应用被引量：9
2001年
通过各向异性腐蚀硅杯实验 ,研究了四甲基氢氧化铵 ( TMAH)腐蚀液的特性 ,包括硅( 1 0 0 )面腐蚀速率与溶液浓度、温度的关系 ,不同腐蚀条件下硅杯的表面状况 ,并确定了制作硅杯的最佳工艺条件。通过测试硅杯结构多晶硅压力传感器的输出特性 ,证明了
张为姚素英刘艳艳王涌萍阎富兰田莉萍牛秀文
关键词：各向异性腐蚀微机电系统四甲基氢氧化铵
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