陈玖琳
- 作品数：9 被引量：151H指数：4
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 二氧化锡薄膜的最佳掺杂含量理论表达式被引量：45
- 2001年
- 二氧化锡薄膜应用广泛。本文讨论掺锑和掺氟的二氧化锡透明导电薄膜的最佳掺杂含量问题 ,建立模型并给出理论表达式 ,得出的最佳掺杂含量值与实验数据相符。
- 范志新陈玖琳孙以材
- 关键词：二氧化锡半导体材料
- 氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量理论计算被引量：49
- 2001年
- 以铝掺杂氧化锌 (Al- doped Zn O,简称 AZO)和锡掺杂氧化铟 (Sn- doped In2 O3,简称 ITO)薄膜为例 ,建立了一个氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量的理论表达式 ,定量计算的结果 AZO陶瓷靶材中铝含量的理论最佳值为 C≈ 2 .9894% (wt) ,ITO陶瓷靶材中锡含量的理论最佳值为 C≈ 10 .3114% (wt) ,与实验数据相符合 .
- 范志新孙以材陈玖琳
- 关键词：氧化物半导体透明导电薄膜
- 几种半导体发光材料最佳掺杂含量的理论研究
- 该论文的工作就是对最佳掺杂含量的理论研究.该论文工作是在对电子薄膜材料掺杂的研究基础之上,主要是对几种有代表性的半导体发光材料的掺杂进行分析,从不同角度对最佳掺杂含量的理论进行探索,并应用理论公式对发光材料最佳掺杂含量进...
- 陈玖琳
- 关键词：发光材料发光效率发光特性晶体结构
- 文献传递
- Al合金布线材料Fe掺杂最佳含量的理论分析
- 本文作者对氧化物半导体透明导电薄膜材料最佳掺杂含量问题作过定量理论计算,给出了一个掺杂最佳含量的表达式,定量分析Al-Fe合金布线薄膜中Fe的最佳掺杂含量.
- 范志新陈玖琳潘良玉樊世杰
- 关键词：薄膜晶体管液晶显示器铝合金
- 文献传递
- Al合金布线材料Fe掺杂最佳含量的理论分析
- 2002年
- 介绍一个最佳掺杂含量表达式,应用此表达式分析计算了Al-Fe合金布线材料Fe掺杂最佳含量,定量计算的结果与实验数据基本符合。
- 陈玖琳潘良玉樊世杰范志新
- 关键词：晶体结构
- AZO透明导电薄膜的特性、制备与应用被引量：57
- 2000年
- 本文综述了 AZO透明导电薄膜的结构特点 ,电学和光学的特性 ,薄膜研究、应用和开发现状 。
- 范志新陈玖琳孙以材
- 关键词：AZO掺铝氧化锌透明导电薄膜
- SnO_2∶Sb气敏薄膜的最佳掺杂含量的理论计算
- 2002年
- 本文介绍一个最佳掺杂含量表达式 ,应用此表达式定量计算了 Sn O2 ∶ Sb气敏薄膜的最佳掺杂含量 ,定量计算的结果与实验数据十分符合。
- 潘良玉陈玖琳范志新
- 关键词：气敏元件晶体结构
- 硫化锌纳米微晶锰掺杂最佳含量的一个简单的理论计算被引量：8
- 2002年
- 介绍一个从晶体结构出发建立的晶体结构配位数与最佳掺杂含量关系的一个简单的理论表达式,对硫化锌纳米微晶锰掺杂最佳含量作出理论计算,定量计算的结果与实验数据相符合。该理论也适用于其他电子薄膜材料的最佳掺杂含量问题。
- 范志新陈玖琳
- 关键词：硫化锌锰掺杂ZNS纳米微晶
- 硅基发光材料铒掺杂最佳含量的一种计算方法
- 铒掺杂硅基发光材料是目前最有希望的发光材料之一,引起了人们的研究兴趣。实验结果表明,离子注入方法制备的热氧化StO2/Si薄膜中Er相对于Si的浓度为13.5%(at)左右时,发光强度得到很大的提高。这个掺杂含量人们是凭...
- 范志新陈玖琳
- 关键词：光致发光纳米硅
- 文献传递
