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陈荣盛

作品数：5 被引量：3H指数：1
供职机构：华南理工大学理学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 5篇多晶
  • 5篇多晶硅
  • 5篇多晶硅薄膜
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  • 4篇表面势
  • 3篇英文
  • 2篇电路
  • 2篇电路仿真
  • 1篇电流模型
  • 1篇电容
  • 1篇多晶硅TFT
  • 1篇栅电容
  • 1篇直流
  • 1篇直流模型
  • 1篇基于物理
  • 1篇分析模型

机构

  • 5篇华南理工大学

作者

  • 5篇陈荣盛
  • 5篇邓婉玲
  • 5篇郑学仁
  • 2篇吴为敬
  • 1篇姚若河
  • 1篇吴朝晖

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇华南理工大学...
  • 1篇电子器件
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 3篇2008
  • 2篇2007
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
基于表面势的多晶硅薄膜晶体管的栅电容模型被引量：1
2008年
显式地推导多晶硅薄膜晶体管(Polysilicon thin-film transistors,poly-SiTFT)表面势隐含方程的近似解,该求解法非迭代的计算大大地提高了计算效率,且精确度非常高,与数值迭代结果比较,绝对误差范围只在纳伏数量级。利用求得的表面势,建立了一个poly-SiTFT栅电容模型,该电容电压模型能连续、准确地描述poly-SiTFT在线性区和饱和区的动态特性,同时该模型考虑了kink效应、沟道长度调制效应和寄生电容等。对实验数据进行拟合发现,提出的模型与实验数据符合得较好,能准确地预测poly-SiTFT的栅电容特性。
邓婉玲郑学仁陈荣盛
关键词：多晶硅薄膜晶体管表面势栅电容
用于器件描述和电路仿真的新型多晶硅TFT直流模型(英文)
2007年
提出一种新型的多晶硅薄膜晶体管电流-电压物理模型.考虑了陷阱态密度的V形指数分布,运用Lambert W函数推出了表面势的显式求解方法,大大提高了运算效率,在电路仿真中发挥了重要作用.基于指数的陷阱态密度和计算的表面势,描述了亚阈值区和强反型区的漏电流特性.推导了完整、统一的漏电流表达式,包括翘曲效应.在很广的沟道长度范围和工作区内,模型和实验数据一致.
邓婉玲郑学仁陈荣盛
关键词：多晶硅薄膜晶体管表面势直流模型
基于物理并适用于电路仿真的多晶硅薄膜晶体管薄层电荷模型(英文)被引量：1
2008年
本文利用薄层电荷理论,建立了一个基于表面势的、物理的多晶硅薄膜晶体管(Polysilicon Thin-Film Transistors ,poly-Si TFTs)的电流模型,且该模型适用于电路仿真。推导了poly-Si TFTs表面势的近似解法,该求解法非迭代的计算大大地提高了计算效率,且精确度高并得到实验验证。基于物理的迁移率方程考虑了晶界势垒高度,和由于声子散射与表面粗糙散射引起的迁移率退化。基于Brews的薄层电荷模型和上述非迭代计算表面势,本电流模型同时考虑了漏致势垒降低(DIBL)效应、kink效应和沟道长度调制效应。对不同沟长的器件实验数据比较发现,提出的模型在很广的工作电压内与实验数据符合得非常好。同时本模型的所有方程都具有解析形式,电流方程光滑连续,适用于电路仿真器如SPICE。
邓婉玲郑学仁陈荣盛吴为敬
关键词：多晶硅薄膜晶体管表面势
多晶硅薄膜晶体管的电流和电容分析模型(英文)被引量：1
2007年
提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFTs)的电流和电容分析模型.采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面势随端电压的变化,从而大大地提高了上述模型的计算效率.基于表面势的解析计算和薄层电荷方法,提出了包括小尺寸效应和翘曲效应的电流电压模型.同时,文中还提出了基于电荷的电容模型.电流和电容模型在线性区和饱和区都是连续和准确的,不需要没有物理意义的光滑处理.与实验数据的比较发现,模型和实验数据符合得较好,这也证明了所提出模型的准确性.并且,该模型适用于电路仿真器.
郑学仁邓婉玲陈荣盛
关键词：多晶硅薄膜晶体管表面势电流模型
多晶硅薄膜晶体管Kink效应研究与建模
2008年
多晶硅薄膜晶体管(P-Si TFTs)技术在SOP(system on panel)显示应用中发挥着越来越重要的作用。随着尺寸的不断缩小,P-Si TFT的Kink效应越来越明显,对有源液晶显示矩阵和驱动电路的性能影响很大。对发生Kink效应的物理机制、二维数值仿真及其一维解析模型进行了分析,讨论了晶粒边界、沟道长度与Kink效应的关系,提出建立适合电路仿真的一维解析模型的关键与展望。
陈荣盛郑学仁邓婉玲姚若河吴朝晖吴为敬
关键词：多晶硅薄膜晶体管KINK
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