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陈高攀

作品数：20 被引量：4H指数：1
供职机构：清华大学研究院更多>>
发文基金：清华大学自主科研计划国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：金属学及工艺理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 6篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 13篇抛光
  • 12篇抛光液
  • 6篇机械抛光
  • 4篇离子
  • 4篇离子交换
  • 4篇离子交换法
  • 3篇氧化硅
  • 3篇双电层
  • 3篇磨粒
  • 3篇化学机械抛光
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅片
  • 2篇氮化镓
  • 2篇电子排布
  • 2篇亚铁离子
  • 2篇氧化性
  • 2篇熔石英
  • 2篇溶胶
  • 2篇酸性物质

机构

  • 20篇清华大学研究...
  • 12篇清华大学
  • 8篇深圳市力合材...

作者

  • 20篇陈高攀
  • 11篇潘国顺
  • 9篇罗桂海
  • 8篇罗海梅
  • 6篇周艳
  • 6篇顾忠华
  • 1篇邹春莉
  • 1篇梁晓璐
  • 1篇徐莉

传媒

  • 1篇高等学校化学...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2014
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种硅晶片循环抛光装置及循环抛光方法
本发明涉及一种硅晶片循环抛光装置及循环抛光方法。该装置包括抛光液处理系统，其包括：第一储液槽中设有分液漏斗和精密PH计，通过管路与抛光系统连通，在管路上设有滤芯和恒流泵；第二储液槽通过抛光系统的一出液管路与抛光系统连通，...
潘国顺陈高攀罗桂海顾忠华
大尺寸硅片边缘的抛光液、抛光液制备方法及抛光方法
本发明实施例公开了一种大尺寸硅片边缘的抛光液、抛光液制备方法及抛光方法，所述抛光液包括下述以重量百分比计的组分：磨粒5～50 wt%；碱性腐蚀剂0.1～10 wt%；分散剂0.01～1 wt%；酸性物质0.1～10 wt...
潘国顺陈高攀罗桂海罗海梅周艳潘立焱
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大尺寸硅片边缘的抛光液、抛光液制备方法及抛光方法
本发明实施例公开了一种大尺寸硅片边缘的抛光液、抛光液制备方法及抛光方法，所述抛光液包括下述以重量百分比计的组分：磨粒5～50 wt%；碱性腐蚀剂0.1～10 wt%；分散剂0.01～1 wt%；酸性物质0.1～10 wt...
潘国顺陈高攀罗桂海罗海梅周艳潘立焱
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一种硅晶片循环抛光装置及循环抛光方法
本发明涉及一种硅晶片循环抛光装置及循环抛光方法。该装置包括抛光液处理系统，其包括：第一储液槽中设有分液漏斗和精密PH计，通过管路与抛光系统连通，在管路上设有滤芯和恒流泵；第二储液槽通过抛光系统的一出液管路与抛光系统连通，...
潘国顺陈高攀罗桂海顾忠华
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化学机械抛光液及其抛光方法
本发明实施例公开了一种化学机械抛光液及其抛光方法，所述二氧化硅颗粒，20‑50wt%；碱性腐蚀剂，1‑10wt%；芬顿试剂，1‑10wt%；络合剂，0.1‑1wt%；分散剂，0.01‑1wt%；所述芬顿试剂包括硫酸亚铁与...
潘国顺陈高攀潘立焱罗海梅周艳罗桂海张楚红
一种可实现快速稳定抛光的抛光液
本发明公开了一种可实现快速稳定抛光的抛光液，属于半导体化学机械抛光领域。本发明中的主要成分包括二氧化硅磨粒、碱性腐蚀剂、聚醚胺类稳定剂及可溶性盐。本发明的抛光液电导率大于30ms/cm，利用高电解质条件下抛光液中强电解作...
潘国顺陈高攀顾忠华罗桂海龚桦
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一种快速制备大粒径硅溶胶的方法
本发明公开了一种快速大粒径硅溶胶的制备方法，属于无机应用材料领域，具体涉及一种离子交换法快速制备大粒径硅溶胶。选择以气相二氧化硅制备的高纯硅酸钠为原料通过离子交换法制备活性硅酸和二氧化硅母液，通过调节二氧化硅母液的PH值...
潘国顺陈高攀顾忠华罗桂海王鑫
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一种光学材料清洗液
本发明涉及一种光学材料清洗液，属于光学材料清洗技术领域。本发明的清洗液包括阴离子表面活性剂、氢键破坏剂、络合剂、醇类、PH调节剂、盐和水，本发明适用于熔石英、K9玻璃及微晶玻璃等光学材料抛光后表面颗粒的清洗。将本发明清洗...
潘国顺陈高攀罗海梅徐莉罗桂海周艳邹春莉
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一种半导体衬底材料抛光方法
本发明涉及一种半导体衬底材料抛光方法，属于半导体材料抛光技术领域。本发明的抛光方法包括：将线割后的半导体衬底材料进行激光抛光；对激光抛光后的半导体衬底材料进行超声波清洗，完成激光抛光处理；采用化学机械抛光处理上步骤完成的...
潘国顺陈高攀罗桂海罗海梅周艳
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一种硅化学机械抛光液
本发明公开了一种硅化学机械抛光液，属于硅化学机械抛光液技术领域。具体涉及一种适用于单晶硅边缘化学机械抛光的技术领域。所述的化学机械抛光液包括：10‑30wt％的磨料，1‑10wt％的碱性物质，0.001‑1wt％的糖类物...
潘国顺陈高攀顾忠华罗桂海徐莉
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