马锡英
- 作品数：81 被引量：91H指数：5
- 供职机构：苏州科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金苏州市科技计划项目江苏省普通高校研究生科研创新计划项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>
- Si纳米线及其器件研究进展
- 2009年
- Si纳米线是一种非常重要的一维半导体纳米材料,在纳米器件方面有很好的应用前景。综述了Si纳米线的一些重要制备方法:激光烧蚀法、模板法、化学气相生长法、热蒸发法,简要介绍了各种制备方法过程并分析各种方法制备纳米线的优缺点。还介绍了Si纳米线所制备纳米器件的电学、电子输运等特性,说明了掺硼、掺磷纳米线分别具有p型、n型半导体特征。最后介绍了Si纳米线在电子器件、纳米线电池、传感器方面的相关应用。
- 宋经纬周祥谌家军马锡英
- 关键词：SI纳米线电学特性
- 一种通过添加稀土元素提高淡水珍珠品质的方法
- 本发明公开了一种通过添加稀土元素提高淡水珍珠品质的方法，在育珠蚌的养殖水体中添加稀土元素，通过稀土元素与钙离子的相互协进作用，诱导珍珠定向生长，从而获得高品质珍珠。本发明通过在育珠蚌养殖过程中添加适量剂量的稀土元素，利用...
- 施维林金叶飞马锡英
- 文献传递
- 铜掺杂纳米氧化锌薄膜的制备及光学特性被引量：4
- 2013年
- 氧化锌(ZnO)是一种新型稀磁半导体材料,有优良的磁学及光学性质,透明度高,常温发光性能优异。根据半导体掺杂原理,以氧化锌为原料,过渡金属元素铜为掺杂元素,采用化学气相沉积法(CVD),制备了铜掺杂纳米氧化锌薄膜。利用晶向显微镜观察ZnO∶Cu在衬底硅片上的表面形貌和生长情况,利用光致发光谱和分光光度计分析了样品的光发射和光吸收特性,研究了薄膜的伏安特性。发现铜掺杂对氧化锌薄膜的光吸收和光发射以及表面伏安特性都有很大的影响。随铜掺杂含量的增加,光吸收强度明显增大,光发射峰更加丰富。适当掺杂量的情况下,电流明显增大,但掺杂量太大,会引入缺陷和晶界,反而会使漏电流增大。10%-20%掺杂量为比较理想的掺杂量。
- 张浩王鑫董洁雯邵雪峰马锡英
- 关键词：化学气相沉积法吸收谱光致发光伏安特性
- WS2/MoS2异质结的制备与光电特性被引量：1
- 2020年
- 主要研究了硫化钨(WS2)/硫化钼(MoS2)薄膜异质结的制备及其光电特性。首先以WS2粉末为原料,采用化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上沉积WS2薄膜,然后以MoS2粉末为原料在WS2薄膜表面沉积MoS2薄膜形成WS2/MoS2异质结。利用原子力显微镜(AFM)观察发现制备的WS2和MoS2薄膜大面积均匀,表面分布密集的纳米粒子,高度分别约为0.8 nm和50 nm。WS2/MoS2异质结对可见光有良好的吸收特性,并随光功率的增加,流过异质结的光电流也显著增加。另外,还发现WS2/MoS2异质结在温度和工作频率改变时I-V曲线也出现明显变化。随温度升高,流过异质结的电流显著增加,而随工作频率的增加,异质结的电容迅速减小。以上研究结果表明,WS2/MoS2异质结容易受到光照强度、温度和工作频率的影响,使其可用于制备高效率的太阳电池、光探测器和温度传感器等光电子器件,在光电子领域具有广阔的应用前景。
- 丁馨朱静怡马锡英
- 关键词：异质结光电特性
- 稀土元素Er掺杂的MoSe_(2)垂直纳米线的光致发光性能研究被引量：1
- 2022年
- 采用热蒸发法制备了稀土元素铒(Er)掺杂的垂直排列硒化钼(MoSe_(2))纳米线,并研究了稀土元素对硒化钼纳米线的结构、形貌和光电特性的影响。研究发现,Er掺杂后MoSe_(2)纳米线的成核密度和结晶度显著提高,纳米线长度从未掺杂的5 nm增加到8 nm,增加了60%。同时,与未掺杂纳米线相比,掺杂纳米线在可见光波段的光吸收率也提高了50%。此外,MoSe_(2)纳米线室温下在760 nm处发射红光,掺杂后其光致发光强度比未掺杂MoSe_(2)纳米线提高了两个数量级。更重要的是,发现掺杂纳米线在595 nm和675 nm处增加了2个发光峰,分别对应黄绿光和橙红光,主要来源于稀土元素Er^(3+)的复合发光。以上结果表明,Er^(3+)离子在纳米线中起到了活性激发中心的作用,提高了纳米线的发光强度,丰富了MoSe_(2)的发射光谱,可用于制备高效发光和光响应器件。
- 孙梓健张强张晓渝马锡英
- 关键词：光吸收光致发光
- 含超材料AZO/ZnO光子晶体近红外滤波特性的研究
- 2019年
- 基于电磁波的传输矩阵理论,对一维光子晶体在近红外波段0.85-2.30μm滤波特性进行了分析研究。由MoS_2和半导体超材料AZO/ZnO构成(AB)~N型光子晶体,其中AZO/ZnO是掺铝氧化锌层和氧化锌层交替形成的具有人工周期结构的各项异性材料,在部分近红外波段具有负的折射率。数值分析表明:此结构光子晶体在0.85-2.30μm波段具有四个光子通带;带隙随B层中填充因子h的增大发生蓝移;光子晶体透射峰的数量由光子晶体周期N决定,即周期为N时,每个通带透射峰的数量为N-1;通过改变膜层厚度能实现对透射波长的调控,如增加A层或B层厚度,透射波中心波长发生红移;而光波入射角度的增加将使透射波中心波长发生蓝移。由超材料AZO/ZnO构成的光子晶体的滤波特性为光通信波段多通道可调谐高性能滤波器的设计提供理论参考。
- 毛红敏王晓丹马锡英徐国定
- 关键词：光子晶体超材料多通道近红外
- 石墨烯硒化钼异质结的制备与光电特性研究被引量：3
- 2019年
- 研究了石墨烯/硒化钼薄膜异质结的制备及其光电特性。首先,在Si衬底上以硒化钼粉末为原料,采用化学气相沉积法(CVD)沉积硒化钼薄膜;然后,以甲烷为原料在硒化钼薄膜表面利用化学气相沉积法沉积石墨烯膜形成石墨烯/硒化钼异质结。利用原子力显微镜(AFM)观察表明,硒化钼薄膜由许多垂直于表面、直径大约2 nm、高度大约10 nm的纳米线构成,而石墨烯则为许多小片分散在衬底表面。X射线衍射分析表明,硒化钼薄膜在(004)晶面具有很强的取向生长的特性,这与AFM观察到硒化钼薄膜由许多相互平行的纳米线构成相一致。石墨烯/硒化钼异质结对可见光有良好的吸收特性,光照下具有显著的光电流产生,说明石墨烯/硒化钼异质结具有优异的光电特性,在光电器件领域可能有大的应用潜力。
- 徐铖彭涛管明艳张强马锡英
- 关键词：石墨烯化学气相沉积异质结光电特性
- 垂直法制备三维光子晶体研究
- 本文报道了应用胶体合成方法和垂直生长技术以正硅酸乙酯为前驱物在石英衬底上快速层-层自组装了面心立方(fcc)结构的三维光子晶体.透射电镜观察到合成的溶胶液含有单分散的、粒径为235nm的SiO2纳米球;应用扫描电镜观察了...
- 马锡英闫志君施维林袁宝合
- 关键词：光子晶体纳米二氧化硅光子带隙退火温度
- 文献传递
- 一种磁性氧化锌纳米线及其制备方法
- 本发明公开了一种磁性氧化锌纳米线及其制备方法。将硝酸钆、醋酸锌的溶液以1:20的质量比混合，通入氩气，携带硝酸钆、醋酸锌分子进入石英管，在500～600℃条件下生长，经700～900℃退火处理，制备得到的Gd掺杂的氧化锌...
- 马锡英
- 文献传递
- 硫化钨薄膜的制备及光电特性研究
- 2019年
- 以硫化钨(WS2)饱和溶液为原料,氩气为输运气体,采用化学气相沉积法(CVD)在硅衬底上制备了大面积均匀的硫化钨薄膜。利用X射线衍射和原子力显微镜分析了薄膜的晶体结构及表面形貌,发现该方法生长的WS2薄膜结晶性良好,表面大面积均匀。并利用分光光度计测量了薄膜的光吸收特性,研究发现样品在737 nm附近有很强的光吸收。最后,研究了硫化钨薄膜与硅衬底形成的WS2/Si异质结的I-V特性曲线,发现该异质结器件具有良好的伏安特性;另外,光照下,该异质结在可见光区具有显著的光伏效应,说明可用于制备新型硫化钨二维光电子器件。
- 许珂丁馨徐铖朱琳桑雨欣马锡英
- 关键词：光电特性
