黄巍
- 作品数：24 被引量：9H指数：2
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院半导体光子学研究中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET
- 2014年
- 制备了氧化铪(HfO2)高k介质栅Si基Ge/SiGe异质结构肖特基源漏场效应晶体管(SB-MOSFET)器件,研究了n型掺杂Si0.16Ge0.84层对器件特性的影响,分析了n型掺杂SiGe层降低器件关态电流的机理。使用UHV CVD沉积系统,采用低温Ge缓冲层技术进行了材料生长,首先在Si衬底上外延Ge缓冲层,随后生长32 nm Si0.16Ge0.84和12 nm Ge,并生长1 nm Si作为钝化层。使用原子力显微镜和X射线衍射对材料形貌和晶体质量进行表征,在源漏区沉积Ni薄膜并退火形成NiGe/Ge肖特基结,制备的p型沟道肖特基源漏MOSFET,其未掺杂Ge/SiGe异质结构MOSFET器件的空穴有效迁移率比相同工艺条件制备的硅器件的高1.5倍,比传统硅器件空穴有效迁移率提高了80%,掺杂器件的空穴有效迁移率与传统硅器件的相当。
- 张茂添刘冠洲李成王尘黄巍赖虹凯陈松岩
- 关键词：肖特基势垒
- 金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析被引量：2
- 2013年
- 金属与Ge材料接触时界面处存在着强烈的费米钉扎效应,尤其与n型Ge形成的欧姆接触的比接触电阻率高,是制约Si基Ge器件性能的关键因素之一.本文对比了分别采用金属Al和Ni与Si衬底上外延生长的p型Ge和n型Ge材料的接触特性.发现在相同的较高掺杂条件下,NiGe与n型Ge可形成良好的欧姆接触,其比接触电阻率较Al接触降低了一个数量级,掺P浓度为2×1019cm-3时达到1.43×10-5·cm2.NiGe与p型Ge接触和Al接触的比接触电阻率相当,掺B浓度为4.2×1018cm-3时达到1.68×10-5·cm2.NiGe与n型Ge接触和Al电极相比较,在形成NiGe过程中,P杂质在界面处的偏析是其接触电阻率降低的主要原因.采用NiGe作为Ge的接触电极在目前是合适的选择.
- 严光明李成汤梦饶黄诗浩王尘卢卫芳黄巍赖虹凯陈松岩
- 关键词：比接触电阻率
- SOI上横向p-SiGe/i-Ge/n-SiGe双异质结室温电致发光
- 提出并制备了SOI上横向p-Si0.05Ge0.95/i-Ge/n-Si0.05Ge0.95双异质结LED。相比垂直结构,横向结构具有更高的光出射效率。该器件具有类似Ge沟道MOSFET结构,能够很好地与硅基MOSFET...
- 林光杨易孝辉陈宁利李成陈松岩黄巍
- 文献传递
- 磁控溅射生长高Sn组分GeSn合金薄膜
- 采用磁控溅射的方法在Si(100)衬底上生长出高Sn组分(<0.2)非晶GeSn薄膜,在快速热退火处理后结晶为多晶Ge Sn薄膜。GeSn合金中的Sn组分越高,结晶温度相应会下降,并且较低温度的热退火处理可以减少Sn偏析...
- 张璐王一森李成陈松岩黄巍徐剑芳
- 文献传递
- Ge表面处理制备GOI材料
- <正>锗(Ge)材料由于具有比硅(Si)材料更高的载流子迁移率,在光通信波段具有较高的吸收系数并且与成熟的Si工艺相兼容等优点,使其成为下一代高性能微电子器件的首选替代材料[1]。然而Ge器件存在着漏电流大的致命缺点,同...
- 赖淑妹毛丹枫陈松岩李成黄巍
- 文献传递
- Si(100)表面Se薄膜生长及其在Ti/Si欧姆接触中的应用被引量：2
- 2011年
- 本文采用分子束外延(MBE)系统在Si(100)表面淀积Se薄膜.通过控制衬底和固态Se束源炉的温度,实现了Se材料在Si(100)表面上的自限制超薄薄膜生长;在Se超薄层钝化的Si(100)表面上制备的Ti金属电极具有低的欧姆接触电阻特性,且热稳定性温度提升至400℃.
- 潘书万亓东峰陈松岩李成黄巍赖虹凯
- 关键词：硒欧姆接触
- Ge/Si单光子探测器的暗计数理论研究
- <正>1.引言随着单光子探测技术的发展,利用晶体Si中缺陷少的优势制备的单光子探测器(SPAD)具有较高的单光子探测效率(SPDE)和较低的暗计数率(DCR)[1]。近期研究人员提出了一种有效的方法来拓展Si SPAD的...
- 柯少颖林绍铭黄巍李成陈松岩
- 文献传递
- 退火对SiGe弛豫衬底热稳定性的影响
- 采用低温Ge缓冲层技术制备出SiGe虚衬底结构，研究常规退火对其热稳定性的影响。当退火温度为600℃时，我们可以获得弛豫度为98％的虚衬底结构，而SiGe合金层的组分不变。当退火温度达到800℃时，底层的低温锗(LT-G...
- 亓东锋刘翰辉陈松岩李成赖虹凯黄巍李俊
- 关键词：退火处理化学气相沉积热稳定性
- 高效GaAs/Si叠层电池设计优化
- 2012年
- 模拟一种高效GaAs/Si两结叠层电池结构,将硅材料作为叠层电池的一个底电池利用起来,拓展光谱吸收.分别讨论了隧穿结和子电池对叠层电池的影响,结果表明薄的GaAs隧穿结可以获得高效率的叠层电池,1.05μm厚的顶电池基区是子电池电流匹配的最优条件,厚的底电池有助于叠层电池效率的提高.优化后的叠层电池在一个太阳,AM 1.5G光照条件下,效率可达到43.86%,其相应的开路电压Voc=1.76V,短路电流密度Jsc=28.64mA/cm2,填充因子FF=87.25%,该设计为硅基高效太阳能电池的制备提供理论参考.
- 刘蕊李欣刘晶晶陈松岩李成黄巍
- 关键词：GAAS/SI叠层电池
- a-Ge的亲水性及其在Si-Si键合中的应用
- <正>1.引言Si-Si直接键合作为微电子领域的一项基本工艺越来越被关注。Si-Si直接键合是将两片镜片抛光的Si片经过表面清洗、活化处理、室温贴合及高温热处理等手段而实现晶片一体化的技术[1-2],虽然键合技术起步较晚...
- 柯少颖林绍铭黄巍李成陈松岩
- 关键词：微电子亲水性
- 文献传递
