于宙
- 作品数：7 被引量：43H指数：3
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- Mn掺杂ZnO稀磁半导体的化学合成及磁性研究被引量：6
- 2009年
- 采用化学方法制备了名义组分为Zn0.993Mn0.007O的Mn掺杂ZnO稀磁半导体材料,并研究了退火温度(Ts=400,600,800℃)对其结构和磁性的影响。结果表明:在退火温度低于600℃条件下,合成的样品为单一纤锌矿结构的ZnO颗粒材料;当退火温度为800℃时,合成的样品中除了纤锌矿结构ZnO外还观察到ZnMnO3第二相的存在。磁性研究表明:经过600℃退火后的样品,其室温铁磁性最强,而经过800℃退火后的样品,其铁磁性几乎消失,并表现为增强的顺磁性。结合对样品的Raman光谱和紫外-可见吸收光谱的分析,表明Mn元素进入了ZnO晶格中并替代了ZnO中的Zn离子。样品的室温铁磁性是源于(Zn,Mn)O的本征特性,并排除了样品中第二相导致其具有室温铁磁性的可能性。
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- 关键词：ZNO掺杂
- 线形结构的ZnO生长与光致发光特性研究
- 2007年
- 采用模板生长法在Si衬底上制备了具有线形结构的ZnO。样品的晶体结构、形貌及光致发光性使用XRD、AFM、SEM及PL谱进行表征。结果表明所制备的线形ZnO为六方纤锌矿型晶体结构，线宽度大约为1μm，长度约10-30μm，具有良好的发光特性。我们对这种线形结构的形成作了推测。
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- 关键词：ZNO光致发光
- 微孔状ZnO薄膜的生长与光致发光性
- 2007年
- 使用Zn（CH3COO）2·2H2O和PVA水溶液混合的办法在Si衬底上生长了微孔结构的ZnO薄膜。样品的晶体结构、形貌及光致发光性使用XRD、SEM及PL谱进行表征。结果表明所制备的ZnO为六方纤锌矿型晶体结构，微孔的孔壁是由纳米颗粒聚集而成，颗粒尺寸大约为20nm,关于这种结构的形成，我们推测PVA在微孔结构的形成过程中起到了模板作用。
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- 关键词：软模板PL
- ZnO纳米颗粒薄膜的制备与光致发光特性研究被引量：3
- 2009年
- 利用高分子包覆法(Polymer Capping Method)在Si衬底上生长了颗粒分布均匀、致密的纳米ZnO薄膜。样品的形貌和光学性能分别使用SEM,AFM和PL谱进行表征。实验发现,前驱体溶液的pH值对纳米颗粒的分散性和尺寸有很大影响,进而影响紫外发光峰位。在本实验条件下,随纳米颗粒尺寸增大,PL谱的紫外发光峰红移,符合量子尺寸效应。
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- 关键词：光学特性
- ZnO基稀磁半导体材料的 制备与性能研究
- 于宙
- 关键词：稀磁半导体ZNO共沉淀法铁磁性
- Mn掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备和磁性研究被引量：22
- 2008年
- 采用共沉淀方法制备了名义组分为Zn1-xMnxO(x=0.001,0.005,0.007,0.01)的Mn掺杂的ZnO基稀磁半导体材料,并研究了在大气气氛下经过不同温度退火后样品的结构和磁性的变化.结果表明:样品在600℃的大气条件下退火后,仍为单一的六方纤锌矿结构的ZnO颗粒材料;当样品经过800℃退火后,Mn掺杂量为0.007,0.01的样品中除了ZnO纤锌矿结构外还观察到ZnMnO3第二相的存在.磁性测量表明,大气条件下600℃退火后的样品,呈现出室温铁磁性;而800℃退火后的样品,其室温铁磁性显著减弱,并表现为明显的顺磁性.结合对样品的光致发光谱的分析,认为合成样品的室温铁磁性是由于Mn离子对ZnO中的Zn离子的替代形成的.
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- 关键词：ZNO掺杂稀磁半导体铁磁性
- Co掺杂的ZnO室温铁磁半导体材料制备与磁性和光学特性研究被引量：14
- 2009年
- 采用溶胶-凝胶法制备出具有室温铁磁性的Co掺杂的ZnO稀磁半导体材料.通过对样品的结构、磁性和发光特性的研究发现,样品具有室温铁磁性,并发现其铁磁性源于磁性离子对ZnO中Zn离子的取代.对不同温度制备的样品的磁性以及其发光特性的变化研究发现,样品的铁磁性与样品中锌间隙位(Zni)缺陷的密度有关.
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- 关键词：ZNO稀磁半导体铁磁性
