于蕾
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京航空航天大学物理科学与核能工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家大学生创新性实验计划更多>>
- 相关领域：自然科学总论理学电子电信更多>>
- 氧分压对IWO薄膜表面形貌及光电性能的影响
- 掺钨氧化铟(In2 O3:W,IWO)薄膜是一种新型的透明导电氧化物(TCO)薄膜,其中W与In之间存在着较高的价态差,使得IWO薄膜与其他TCO薄膜相比,在相同的电阻率条件下具有载流子浓度低、迁移率高和近红外区透射率高...
- 张远鹏王文文秦诗瑶于蕾
- 关键词：直流磁控溅射氧分压表面形貌光电性能
- 氧分压对IWO薄膜表面形貌及光电性能的影响被引量：1
- 2011年
- 掺钨氧化铟(In2O3:W,IWO)薄膜是一种新型的透明导电氧化物(TCO)薄膜,其中W与In之间存在着较高的价态差,使得IWO薄膜与其他TCO薄膜相比,在相同的电阻率条件下具有载流子浓度低、迁移率高和近红外区透射率高的特点.利用直流磁控溅射法制备了IWO薄膜,利用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应及分光光度计表征了薄膜的表面形貌及光电性能.在工作压力1 Pa、氧分压为2.4×10-1Pa的条件下,实验中制备的IWO薄膜最佳电阻率为6.3×10-4Ω.cm,最高载流子迁移率为34 cm2V-1s-1,载流子浓度达到2.9×1020cm-3,可见光平均透射率约为85%,近红外平均透射率大于80%.
- 张远鹏王文文秦诗瑶于蕾
- 关键词：直流磁控溅射氧分压表面形貌光电性能
